MIM电容器及其制造方法技术

一种MIM电容器及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底的表面形成下极板铜金属层；在所述下极板铜金属层的表面形成第一铝金属薄膜；在所述第一铝金属薄膜的表面形成氧化铝介质层；在所述氧化铝介质层的表面形成第二铝金属薄膜；在所述第二铝金属薄膜的表面形成上极板铜金属层。本发明专利技术方案可以提高铜金属层的导电性能，有助于提高MIM电容器的品质。

【技术实现步骤摘要】
MIM电容器及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种MIM电容器及其制造方法。
技术介绍
随着半导体器件集成度的提高，对电容器要求越来越趋于高电容密度化，尤其是射频(RF)以及模拟/混合信号(AMS)集成电路器件，对电容密度的要求更高。在现有技术中，高介电常数金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)电容器得到了广泛的研究。具体而言，MIM电容器的电阻率较小，具有内部耗尽、电容较大、寄生电容较小等优点。目前，通常在后段工艺(BEOL)中，形成铜互连结构时形成MIM电容器，所述MIM电容器的上下极板即为铜互连结构中相邻的铜金属层，所述MIM电容器的介质层的材料通常采用氧化铝。然而在现有工艺中，铜金属层的导电性能有待提高。亟需一种MIM电容器的制造方法，可以提高铜金属层的导电性能，有助于提高MIM电容器的品质。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种MIM电容器及其制造方法，可以提高铜金属层的导电性能，有助于提高MIM电容器的品质。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种MIM电容器的制造方法，包括：提供半导体衬底，并在所述半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MIM电容器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底的表面形成下极板铜金属层；在所述下极板铜金属层的表面形成第一铝金属薄膜；在所述第一铝金属薄膜的表面形成氧化铝介质层；在所述氧化铝介质层的表面形成第二铝金属薄膜；在所述第二铝金属薄膜的表面形成上极板铜金属层。

【技术特征摘要】
1.一种MIM电容器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底的表面形成下极板铜金属层；在所述下极板铜金属层的表面形成第一铝金属薄膜；在所述第一铝金属薄膜的表面形成氧化铝介质层；在所述氧化铝介质层的表面形成第二铝金属薄膜；在所述第二铝金属薄膜的表面形成上极板铜金属层。2.根据权利要求1所述的MIM电容器的制造方法，其特征在于，还包括：采用退火工艺，对所述半导体衬底进行退火。3.根据权利要求2所述的MIM电容器的制造方法，其特征在于，所述退火工艺的工艺参数选自以下一项或多项：退火温度为200摄氏度至400摄氏度；退火时长为120s至180s。4.根据权利要求1所述的MIM电容器的制造方法，其特征在于，在所述下极板铜金属层的表面形成第一铝金属薄膜包括：在所述下极板铜金属层的表面形成第一铝金属层；平坦化所述第一铝金属层，以形成第一预设厚度的第一铝金属薄膜。5.根据权利要求4所述的MIM电容器的制造方法，其特征在于，所述第一预设厚度与所述下极板铜金属层的含氧量具有正比例关系。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：杨鸣鹤，金子貴昭，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32