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MIM电容器及其制造方法技术
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文档序号:19832443
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一种MIM电容器及其制造方法,所述方法包括:提供半导体衬底,并在所述半导体衬底的表面形成下极板铜金属层;在所述下极板铜金属层的表面形成第一铝金属薄膜;在所述第一铝金属薄膜的表面形成氧化铝介质层;在所述氧化铝介质层的表面形成第二铝金属薄膜;在...
该专利属于德淮半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。
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