一种发光二极管的芯片及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的芯片及制备方法，属于发光二极管制造领域。芯片包括衬底、外延层、P型电极和N型电极，发光二极管芯片的外延层的第一表面上阵列布置有钼酸镍纳米片，其中第一表面为外延层的远离衬底的表面，使外延层的第一表面的粗糙度增大，可以减少发光二极管发出的光线在第一表面处的全反射，从而提高发光二极管的光提取效率，同时，由于钼酸镍具有较好的导电性，因此钼酸镍纳米片也能够起到良好的电流扩展作用，最终提高发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的芯片及制备方法
本专利技术涉及发光二极管制造领域，特别涉及一种发光二极管的芯片及制备方法。
技术介绍
发光二极管(LED：LightEmittingDiode)具有体积小、寿命长、功耗低等优点，目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。现有的发光二极管的芯片主要包括衬底、设置在衬底上的外延层和设置在外延层上的P型电极和N型电极，现有的一种发光二极管芯片的出光面位于外延层的远离衬底的表面。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：由于发光二极管芯片在发光时，有部分光线会在外延片和空气的界面处发生全反射而反射回芯片的内部，因此导致现有的发光二极管光提取效率低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种发光二极管的芯片及制备方法，能够提高发光二极管的光提取效率。所述技术方案如下：本专利技术实施例提供了一种发光二极管芯片，所述芯片包括衬底、外延层、P型电极和N型电极，所述外延层形成在所述衬底上，所述P型电极设置在所述外延层的第一表面上，所述第一表面为所述外延层的远离所述衬底的表面，所述外延层上设置有电极凹槽，所述N型电极设置在所述电极凹槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片，所述芯片包括衬底、外延层、P型电极和N型电极，所述外延层形成在所述衬底上，所述P型电极设置在所述外延层的第一表面上，所述第一表面为所述外延层的远离所述衬底的表面，所述外延层上设置有电极凹槽，所述N型电极设置在所述电极凹槽内，其特征在于，所述第一表面的位于所述P型电极之外的区域设置有阵列布置的钼酸镍纳米片。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，所述芯片包括衬底、外延层、P型电极和N型电极，所述外延层形成在所述衬底上，所述P型电极设置在所述外延层的第一表面上，所述第一表面为所述外延层的远离所述衬底的表面，所述外延层上设置有电极凹槽，所述N型电极设置在所述电极凹槽内，其特征在于，所述第一表面的位于所述P型电极之外的区域设置有阵列布置的钼酸镍纳米片。2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述钼酸镍纳米片沿平行所述第一表面的x方向的长度为1～100nm，所述钼酸镍纳米片沿平行所述第一表面的y方向的长度为1～2nm，所述钼酸镍纳米片在垂直所述第一表面的方向的长度为2～200nm，所述x方向与所述y方向相互垂直。3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述钼酸镍纳米片沿平行所述第一表面的x方向的长度为30～50nm，所述钼酸镍纳米片沿平行所述第一表面的y方向的长度为1～2nm，所述钼酸镍纳米片在垂直所述第一表面的方向的长度为40～80nm。4.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长外延层；在所述外延层上形成电极凹槽；在所述外延层的第一表面上形成P型电极，在所述电极凹槽内形成N型电极；在所述第一表面的位于所述P型电极之外的区域形成阵列布置的钼酸镍纳米片。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述第一表面的位于所述P型电极之外的区域形成阵列布置的钼酸镍纳米片...

【专利技术属性】
技术研发人员：程丁，韦春余，周飚，胡加辉，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33