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本发明公开了一种发光二极管的芯片及制备方法，属于发光二极管制造领域。芯片包括衬底、外延层、P型电极和N型电极，发光二极管芯片的外延层的第一表面上阵列布置有钼酸镍纳米片，其中第一表面为外延层的远离衬底的表面，使外延层的第一表面的粗糙度增大，可...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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