半导体发光模块及其半导体发光二极管芯片制造技术

本发明专利技术公开一种半导体发光模块及其半导体发光二极管芯片。半导体发光二极管芯片包括一半导体发光结构、一导光结构层以及一反光结构层。半导体发光结构包括一用于产生一投射光源的发光层。导光结构层连接于半导体发光结构。反光结构层连接于导光结构层。发光层所产生的投射光源投向导光结构层与反光结构层。借此，投向导光结构层与反光结构层的投射光源能通过导光结构层与反光结构层的配合，以形成一从导光结构层的一外表面投射而出的广角光源。

Semiconductor light-emitting module and semiconductor light-emitting diode chip

The invention discloses a semiconductor light-emitting module and a semiconductor light-emitting diode chip. The semiconductor light emitting diode chip includes a semiconductor light emitting structure, a light conducting structure layer and a reflective structure layer. The semiconductor light emitting structure includes a light-emitting layer for generating a projection light source. The light guiding structure layer is connected to the semiconductor luminous structure. The reflective structure layer is connected to the light guide structure layer. The projecting light source generated by the luminous layer is directed to the light guiding structure layer and the reflective structure layer. Thus, the projection light source of the light guide structure layer and the reflective structure layer can form a wide angle light source projected from an outer surface of the light guide structure layer by the combination of the light guide structure layer and the reflective structure layer.

【技术实现步骤摘要】
半导体发光模块及其半导体发光二极管芯片
本专利技术涉及一种发光模块及其发光二极管芯片，特别是涉及一种半导体发光模块及其半导体发光二极管芯片。
技术介绍
发光二极管(LED)在各种电子产品与工业上的应用日益普及，发光二极管所需的能源成本远低于传统的白热灯或荧光灯，这是传统光源所无法能及的。发光二极管为一固态冷光源，通常会以芯片的形式存在，发光二极管芯片经过封装之后的尺寸仍然非常轻巧，因此在电子产品体积日益轻薄短小的趋势之下，发光二极管的需求也与日俱增。然而，传统的发光二极管芯片无法提供发光角度较大或者发光范围涵盖较广的广角光源。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种半导体发光模块及其半导体发光二极管芯片。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是，提供一种半导体发光二极管芯片，其包括：一半导体发光结构、一导光结构层以及一反光结构层。所述半导体发光结构包括多个按序堆叠的半导体材料层，其中，多个所述半导体材料层之中的其中四层分别为一基底层、一n型导电层、一发光层以及一p型导电层。所述导光结构层连接于所述基底层。所述反光结构层连接于所述导光结构层。其中，所述发光层连接于所述n型导电层与所述p型导电层之间，以用于产生一投射光源，且所述导光结构层连接于所述基底层与所述反光结构层之间，以用于接收所述投射光源。其中，所述发光层所产生的所述投射光源投向所述导光结构层与所述反光结构层，且投向所述导光结构层与所述反光结构层的所述投射光源通过所述导光结构层与所述反光结构层的配合，以形成一从所述导光结构层的一外表面投射而出的广角光源。更进一步地，所述基底层、所述n型导电层、所述发光层以及所述p型导电层按序堆叠，且所述导光结构层的厚度介于0.4mm至0.8mm之间，其中，所述基底层为一蓝宝石材料层，所述n型导电层为一n型氮化镓材料层，且所述p型导电层为一p型氮化镓材料层。更进一步地，所述导光结构层具有一入光面以及一围绕地连接于所述入光面的围绕出光面，所述入光面连接于所述基底层，且所述围绕出光面围绕地连接于所述基底层与所述反光结构层之间，其中，所述发光层所产生的所述投射光源穿过所述入光面以进入所述导光结构层内，且进入所述导光结构层内的所述投射光源穿过所述围绕出光面以离开所述导光结构层而形成所述广角光源。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外一技术方案是，提供一种半导体发光模块，其包括：一电路基板以及一半导体发光二极管芯片。所述半导体发光二极管芯片设置在所述电路基板上，其中，所述半导体发光二极管芯片包括：一半导体发光结构、一导光结构层以及一反光结构层。所述半导体发光结构包括多个按序堆叠的半导体材料层，其中，多个所述半导体材料层之中的其中四层分别为一基底层、一n型导电层、一发光层以及一p型导电层。所述导光结构层连接于所述基底层。所述反光结构层连接于所述导光结构层。其中，所述n型导电层的外侧端具有一第一芯片焊垫，且所述n型导电层的所述第一芯片焊垫通过一第一导电单元以电性连接于所述电路基板的一第一基板焊垫。其中，所述p型导电层的外侧端具有一第二芯片焊垫，且所述p型导电层的所述第二芯片焊垫通过一第二导电单元以电性连接于所述电路基板的一第二基板焊垫。其中，所述发光层连接于所述n型导电层与所述p型导电层之间，以用于产生一投射光源，且所述导光结构层连接于所述基底层与所述反光结构层之间，以用于接收所述投射光源。其中，所述发光层所产生的所述投射光源投向所述导光结构层与所述反光结构层，且投向所述导光结构层与所述反光结构层的所述投射光源通过所述导光结构层与所述反光结构层的配合，以形成一从所述导光结构层的一外表面投射而出的广角光源。更进一步地，所述基底层、所述n型导电层、所述发光层以及所述p型导电层按序堆叠，且所述导光结构层的厚度介于0.4mm至0.8mm之间，其中，所述基底层为一蓝宝石材料层，所述n型导电层为一n型氮化镓材料层，且所述p型导电层为一p型氮化镓材料层。更进一步地，所述导光结构层具有一入光面以及一围绕地连接于所述入光面的围绕出光面，所述入光面连接于所述基底层，且所述围绕出光面围绕地连接于所述基底层与所述反光结构层之间，其中，所述发光层所产生的所述投射光源穿过所述入光面以进入所述导光结构层内，且进入所述导光结构层内的所述投射光源穿过所述围绕出光面以离开所述导光结构层而形成所述广角光源。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外再一技术方案是，提供一种半导体发光二极管芯片，其包括：一半导体发光结构、一导光结构层以及一反光结构层。所述半导体发光结构包括一用于产生一投射光源的发光层。所述导光结构层连接于所述半导体发光结构。所述反光结构层连接于所述导光结构层。其中，所述发光层所产生的所述投射光源投向所述导光结构层与所述反光结构层，且投向所述导光结构层与所述反光结构层的所述投射光源通过所述导光结构层与所述反光结构层的配合，以形成一从所述导光结构层的一外表面投射而出的广角光源。更进一步地，所述半导体发光结构包括一基底层、一n型导电层以及一p型导电层，且所述导光结构层连接于所述半导体发光结构的所述基底层，以使得所述基底层比所述n型导电层更靠近所述导光结构层，其中，所述基底层、所述n型导电层、所述发光层以及所述p型导电层按序堆叠，且所述导光结构层的厚度介于0.4mm至0.8mm之间，其中，所述基底层为一蓝宝石材料层，所述n型导电层为一n型氮化镓材料层，且所述p型导电层为一p型氮化镓材料层，其中，所述导光结构层具有一入光面以及一围绕地连接于所述入光面的围绕出光面，所述入光面连接于所述基底层，且所述围绕出光面围绕地连接于所述基底层与所述反光结构层之间，其中，所述发光层所产生的所述投射光源穿过所述入光面以进入所述导光结构层内，且进入所述导光结构层内的所述投射光源穿过所述围绕出光面以离开所述导光结构层而形成所述广角光源。更进一步地，所述半导体发光结构包括一n型导电层以及一p型导电层，且所述导光结构层连接于所述半导体发光结构的所述n型导电层，以使得所述n型导电层比所述p型导电层更靠近所述导光结构层，其中，所述n型导电层、所述发光层以及所述p型导电层按序堆叠，且所述导光结构层的厚度介于0.4mm至0.8mm之间，其中，所述n型导电层为一n型氮化镓材料层，且所述p型导电层为一p型氮化镓材料层，其中，所述导光结构层具有一入光面以及一围绕地连接于所述入光面的围绕出光面，所述入光面连接于所述n型导电层，且所述围绕出光面连接于所述n型导电层与所述反光结构层之间，其中，所述发光层所产生的所述投射光源穿过所述入光面以进入所述导光结构层内，且进入所述导光结构层内的所述投射光源穿过所述围绕出光面以离开所述导光结构层而形成所述广角光源。更进一步地，所述半导体发光结构包括一基底层、一n型导电层以及一p型导电层，且所述导光结构层连接于所述半导体发光结构的所述p型导电层，以使得所述p型导电层比所述发光层更靠近所述导光结构层，其中，所述基底层、所述n型导电层、所述发光层以及所述p型导电层按序堆叠，且所述导光结构层的厚度介于0.4mm至0.8mm之间，其中，所述基底层为一蓝宝石材料层，所述n型导电层为一n型氮化镓材料层，且所述p型导电层为一p型氮本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光二极管芯片，其特征在于，所述半导体发光二极管芯片包括：一半导体发光结构，所述半导体发光结构包括多个按序堆叠的半导体材料层，其中，多个所述半导体材料层之中的其中四层分别为一基底层、一n型导电层、一发光层以及一p型导电层；一导光结构层，所述导光结构层连接于所述基底层；以及一反光结构层，所述反光结构层连接于所述导光结构层；其中，所述发光层连接于所述n型导电层与所述p型导电层之间，以用于产生一投射光源，且所述导光结构层连接于所述基底层与所述反光结构层之间，以用于接收所述投射光源；其中，所述发光层所产生的所述投射光源投向所述导光结构层与所述反光结构层，且投向所述导光结构层与所述反光结构层的所述投射光源通过所述导光结构层与所述反光结构层的配合，以形成一从所述导光结构层的一外表面投射而出的广角光源。

【技术特征摘要】
2017.03.29 TW 1061105211.一种半导体发光二极管芯片，其特征在于，所述半导体发光二极管芯片包括：一半导体发光结构，所述半导体发光结构包括多个按序堆叠的半导体材料层，其中，多个所述半导体材料层之中的其中四层分别为一基底层、一n型导电层、一发光层以及一p型导电层；一导光结构层，所述导光结构层连接于所述基底层；以及一反光结构层，所述反光结构层连接于所述导光结构层；其中，所述发光层连接于所述n型导电层与所述p型导电层之间，以用于产生一投射光源，且所述导光结构层连接于所述基底层与所述反光结构层之间，以用于接收所述投射光源；其中，所述发光层所产生的所述投射光源投向所述导光结构层与所述反光结构层，且投向所述导光结构层与所述反光结构层的所述投射光源通过所述导光结构层与所述反光结构层的配合，以形成一从所述导光结构层的一外表面投射而出的广角光源。2.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其特征在于，所述基底层、所述n型导电层、所述发光层以及所述p型导电层按序堆叠，且所述导光结构层的厚度介于0.4mm至0.8mm之间，其中，所述基底层为一蓝宝石材料层，所述n型导电层为一n型氮化镓材料层，且所述p型导电层为一p型氮化镓材料层。3.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其特征在于，所述导光结构层具有一入光面以及一围绕地连接于所述入光面的围绕出光面，所述入光面连接于所述基底层，且所述围绕出光面围绕地连接于所述基底层与所述反光结构层之间，其中，所述发光层所产生的所述投射光源穿过所述入光面以进入所述导光结构层内，且进入所述导光结构层内的所述投射光源穿过所述围绕出光面以离开所述导光结构层而形成所述广角光源。4.一种半导体发光模块，其特征在于，所述半导体发光模块包括：一电路基板；以及一半导体发光二极管芯片，所述半导体发光二极管芯片设置在所述电路基板上，其中，所述半导体发光二极管芯片包括：一半导体发光结构，所述半导体发光结构包括多个按序堆叠的半导体材料层，其中，多个所述半导体材料层之中的其中四层分别为一基底层、一n型导电层、一发光层以及一p型导电层；一导光结构层，所述导光结构层连接于所述基底层；以及一反光结构层，所述反光结构层连接于所述导光结构层；其中，所述n型导电层的外侧端具有一第一芯片焊垫，且所述n型导电层的所述第一芯片焊垫通过一第一导电单元以电性连接于所述电路基板的一第一基板焊垫；其中，所述p型导电层的外侧端具有一第二芯片焊垫，且所述p型导电层的所述第二芯片焊垫通过一第二导电单元以电性连接于所述电路基板的一第二基板焊垫；其中，所述发光层连接于所述n型导电层与所述p型导电层之间，以用于产生一投射光源，且所述导光结构层连接于所述基底层与所述反光结构层之间，以用于接收所述投射光源；其中，所述发光层所产生的所述投射光源投向所述导光结构层与所述反光结构层，且投向所述导光结构层与所述反光结构层的所述投射光源通过所述导光结构层与所述反光结构层的配合，以形成一从所述导光结构层的一外表面投射而出的广角光源。5.根据权利要求4所述的半导体发光模块，其特征在于，所述基底层、所述n型导电层、所述发光层以及所述p型导电层按序堆叠，且所述导光结构层的厚度介于0.4mm至0.8mm之间，其中，所述基底层为一蓝宝石材料层，所述n型导电层为一n型氮化镓材料层，且所述p型导电层为一p型氮化镓材料层。6.根据权利要求4所述的半导体发光模块，其特征在于，所述导光结构层具有一入光面以及一围绕地连接于所述入光面的围绕出光面，所述入光面连接于所述基底层，且所述围绕出光面...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶志庭，潘锡明，
申请(专利权)人：宏齐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71