一种发光二极管芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电层、P型电极、N型电极和钝化保护层，钝化保护层包括依次层叠的第一子层和第二子层，第一子层的材料采用氮氧化硅，第一子层中氧组分的含量沿钝化保护层的层叠方向逐渐增多，第一子层中氮组分的含量沿钝化保护层的层叠方向逐渐减少，第二子层的材料采用二氧化硅。本发明专利技术可以有效避免有源层发出的光线从透明导电层直接入射到二氧化硅层时折射率发生较大的变化，减小有源层发出的光线中被反射的光子数量，从而减少在传输路径上损耗掉的光子数量，提高发光二极管芯片的出光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管芯片及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。作为高效、环保、绿色的新一代固态照明光源，LED具有低电压、低功耗、体积小、重量轻、寿命长、可靠性高等优点。自20世纪90年代氮化镓(GaN)基LED由日本科学家开发成功以来，LED的工艺技术不断进步，发光亮度不断提高，正在迅速而广泛地应用在交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源、户外全彩显示屏等领域。现有的发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电层、P型电极、N型电极和钝化保护层。N型半导体层、有源层、P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，透明导电层和P型电极设置在P型半导体层上，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，钝化保护层铺设在透明导电层和凹槽内除N型电极设置区域之外的其它区域上。其中，透明导电层的材料可以采用氧化铟锡(英文：Indiumtinoxide，简称：ITO)，钝化保护层的材料可以采本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电层、P型电极、N型电极和钝化保护层，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述透明导电层和所述P型电极设置在所述P型半导体层上，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述钝化保护层设置在所述凹槽内除所述N型电极设置区域之外的其它区域和所述透明导电层上；其特征在于，所述钝化保护层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的材料采用氮氧化硅，所述第一子层中氧组分的含量沿所述钝化保护层的层叠方向逐渐增多，所述第一子...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电层、P型电极、N型电极和钝化保护层，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述透明导电层和所述P型电极设置在所述P型半导体层上，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述钝化保护层设置在所述凹槽内除所述N型电极设置区域之外的其它区域和所述透明导电层上；其特征在于，所述钝化保护层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的材料采用氮氧化硅，所述第一子层中氧组分的含量沿所述钝化保护层的层叠方向逐渐增多，所述第一子层中氮组分的含量沿所述钝化保护层的层叠方向逐渐减少，所述第二子层的材料采用二氧化硅。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一子层中氧组分的含量达到最大值时，所述第一子层的材料变成二氧化硅。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一子层中氮组分的含量达到最大值时，所述第一子层中氮组分的含量与所述第一子层中氧组分的含量之比为1:4。4.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二子层的致密度小于所述第一子层的致密度。5.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一子层的厚度大于所述第二子层的厚度。6.一种发光二极管芯片的制作方法，所述制作方法包括：在衬底上依次形成N型半导体层、有源层和P型半导体层；在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的凹槽；在所述P型半导体层形成透明导电层；在所述P型半导体层上设置P型电极，并在所述凹槽内的N型半导体层上设置N型电极；在所述凹槽内除所述N型电极设置区域之外的其它区域和所述透明导电层上形成钝化保护层；其特征在于，所述钝化保护层...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，顾小云，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33