【技术实现步骤摘要】
一种高绝缘黑色亚光聚酰亚胺薄膜和多层膜
本专利技术属于电子薄膜绝缘材料制备
，具体涉及一种高绝缘黑色亚光聚酰亚胺薄膜及其制备方法和多层膜。
技术介绍
随着市场上光电产品的快速发展，对作为光电产品覆盖膜的黑色聚酰亚胺薄膜的综合性能提出更高的要求，即要求将黑色聚酰亚胺薄膜光泽度降低至30GU以下，且能保持较好的电绝缘性能，即电气强度≥80kV/mm。由于影响黑色亚光聚酰亚胺薄膜的电绝缘性主要因素是添加的低导电炭黑的添加量和分散均匀性，如果减少炭黑添加量直接影响了薄膜的透过率，遮蔽效果不能满足产品使用要求，仅能从薄膜中炭黑的分散均匀性来提高电性能。黑色亚光聚酰亚胺薄膜在制备时需要加入遮光填料、消光粉、黑颜料等，而炭黑作为重要黑色颜料是黑膜产品的首选，但是因其具有一定导电性，使得最终产品的电绝缘性受到影响，固采用其他黑色颜料或钛白粉来代替炭黑来降低透光率，但是黑色颜料存在黑度偏低、耐热性不好的问题，不能达到炭黑效果，也不能满足聚酰亚胺黑膜制备工艺要求。据曾成华等人[钛白粉遮盖力影响因素分析,矿物岩石，2014年第34期第2期，18-21页]报道，钛白粉的一项重要指标...
【技术保护点】
1.一种高绝缘黑色亚光聚酰亚胺薄膜，包含聚酰亚胺聚合物和无机填料，其特征在于，无机填料包括如下重量份数的组分：低导电炭黑1.0份、消光粉0.4～2.0份、钛白粉0.1～1.2份。
【技术特征摘要】
1.一种高绝缘黑色亚光聚酰亚胺薄膜，包含聚酰亚胺聚合物和无机填料，其特征在于，无机填料包括如下重量份数的组分：低导电炭黑1.0份、消光粉0.4～2.0份、钛白粉0.1～1.2份。2.根据权利要求1所述的高绝缘黑色亚光聚酰亚胺薄膜，其特征在于，按照重量百分比计算，以聚酰亚胺聚合物和无机填料的总量为100%，无机填料占4.35~21.88%。3.根据权利要求1所述的高绝缘黑色亚光聚酰亚胺薄膜，其特征在于，制备聚酰亚胺聚合物的原料包括芳香族二胺、芳香族二酐和极性有机溶剂，其中芳香族二胺为4，4’-二氨基二苯醚、3，4’-二氨基二苯醚、对苯二胺、间苯二胺、联苯二胺中的任意一种或两种混合物；芳香族二酐为均苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’-联苯四酸二酐，3，3’，4，4’-二苯甲醚四酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四酸二酐中的任意一种或两种以上任意比的混合物；极性有机溶剂为N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮和γ-丁内酯中的一种或两种以上任意比的组合；聚酰亚胺聚合物的合成采用行业内常规合成法，采用原位聚合、溶液缩聚、无规共聚和嵌段聚合中任意一种，所述芳香族二酐与芳香族二胺的摩尔比为0.9～1.1:1，按照质量百分比保证所合成的聚酰胺酸树脂固含量为10～22％，合成温度控制在0～40℃，待二酐加完后反应时间为3～10h，聚酰胺酸树脂粘度以旋转粘度计测控制在1000mpa·s~15万mpa·s。4.根据权利要求1所述的高绝缘黑色亚光聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述低导电炭黑为原生态粒径10～500nm的表面电阻≥108的纳米低导电纳米炭黑；所述消光粉为气相法和沉淀法生产的任意一种二氧化硅，优选气相法二氧化硅，其粒径为1～8um，为微米级二氧化硅；所述钛白粉为金红石型、锐钛矿型和混晶型中的任意一种，优选金红石型，其粒径为0.1～3.0μm。5.一种高绝缘黑色亚光聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，按照如下步骤进行制备：步骤1）、在温度为0～40℃的条件下，按照常规聚酰亚胺合成方法，将芳香族二胺溶解于极性有机溶剂中，再加入芳香族二酐，反应时间在3～12h之间，得到聚酰胺酸树脂，并且按照质量百分比保证其固含量为10～22％，粘度控制在1000mpa·s~15万mpa·s；其中所述芳香族二酐与芳香族二胺的摩尔比为0.9～1.1:1；步骤2）、按照重量份数取19.5～57.4份的填料分散液与上述步骤1）的150份聚酰胺酸树脂混合搅拌制得黑色聚酰胺酸树脂，按照常规双向拉伸法，将黑色聚酰胺酸树脂消泡，流延成膜，再经双向拉伸，高温亚胺化得到高绝缘黑色亚光聚酰亚胺薄膜。6.根据权利要求5所述一种高绝缘黑色亚光聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述填料分...
【专利技术属性】
技术研发人员：姬亚宁，青双桂，白小庆，蒋耿杰，
申请(专利权)人：桂林电器科学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：广西,45
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