高密度集成封装的射频微系统技术方案

本实用新型专利技术公开了高密度集成封装的射频微系统，包括第一晶片层、第二晶片层、第三晶片层、第四晶片层，第一晶片层、第二晶片层、第三晶片层、第四晶片层，采用围坝结构做低温晶圆级键合堆叠在一起，并通过晶片内垂直通孔实现芯片间的上下互连，形成高密度集成封装的射频微系统模块；本实用新型专利技术用围坝结构把射频芯片直接堆叠在一起进行三维集成，可以实现气密性封装，减小了射频微系统的体积，减轻了射频微系统的重量，提高了射频微系统的封装密度，降低了互连线的传输损耗，增强了射频微系统的性能；而且，晶圆级键合封装，可以同时批次性封装很多产品，提高了生产效率，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
高密度集成封装的射频微系统
本技术涉及射频微系统领域，更具体的说，它涉及高密度集成封装的射频微系统。
技术介绍
目前传统多芯片模块封装技术(MultiChipModule，MCM)是高密度电子封装技术中代表性技术，它可以方便的实现有源/无源电路、基带/射频电路的集成，在电子系统中得到广泛应用。由于MCM只能通过衬底来实现立体化的高密度互连，互连线条的特征尺寸受工艺制约只能做到数十微米到数百微米，芯片采取水平化的排布方式，如附图2所示，其在互连占用面积、信号传输长度与延迟将随着芯片数量和I/O引脚数的增加而迅速变大，难以满足射频微系统/电子模块对高密度、高速互连、集成多种类型器件技术的需求。
技术实现思路
本技术克服了现有技术的不足，提供了一种缩小微系统体积，提高封装密度，减轻整体重量，增强微系统可靠性的高密度集成封装的射频微系统。本技术的技术方案如下：高密度集成封装的射频微系统，包括第一晶片层、第二晶片层、第三晶片层、第四晶片层；第一晶片层上设有天线芯片，第二晶片层上设有射频功放和/或低噪功能的芯片，第三晶片层上设有射频信号控制芯片，第四晶片层上设有电源芯片；第一晶片层、第二晶片层、第三本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.高密度集成封装的射频微系统，其特征在于，包括第一晶片层、第二晶片层、第三晶片层、第四晶片层；第一晶片层上设有天线芯片，第二晶片层上设有射频功放和/或低噪功能的芯片，第三晶片层上设有射频信号控制芯片，第四晶片层上设有电源芯片；第一晶片层、第二晶片层、第三晶片层、第四晶片层上均设有金属围坝。

【技术特征摘要】
1.高密度集成封装的射频微系统，其特征在于，包括第一晶片层、第二晶片层、第三晶片层、第四晶片层；第一晶片层上设有天线芯片，第二晶片层上设有射频功放和/或低噪功能的芯片，第三晶片层上设有射频信号控制芯片，第四晶片层上设有电源芯片；第一晶片层、第二晶片层、第三晶片层、第四晶片层上均设有金属围坝。2.根据权利要求1所述的高密度集成封装的射频微系统，其特征在于：所述第一晶片层为玻璃基片，所述第二晶片层为氮化镓衬底，所述第三晶片层、第四晶片层都采用硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雪平，王志宇，张勋，朱丹丹，康弘毅，
申请(专利权)人：浙江铖昌科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33