封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种封装结构，其包括重布线路结构、晶粒、绝缘密封体、保护层以及多个导电端子。重布线路结构具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。晶粒电性连接至重布线路结构。晶粒具有主动面、相对于主动面的后表面以及位于主动面与后表面之间的侧边。绝缘密封体包封晶粒的侧边以及重布线路结构的第一表面。保护层位于晶粒的后表面以及绝缘密封体上。导电端子形成于重布线路结构的第二表面上。另外，一种封装结构的制造方法亦被提出。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制造方法
本专利技术涉及一种封装结构，尤其涉及一种具有保护层的封装结构及其制造方法。
技术介绍
近几年来，半导体封装技术的发展逐渐朝向体积较小、重量较轻、整合度(integrationlevel)较高、制造成本较低的产品迈进。于此同时，当小型化封装结构之时，如何保有封装件的可靠性(reliability)实为目前研究人员亟欲解决的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体封装结构及其制造方法，其可以有效地提升封装结构的可靠性且具有较低的制造成本。本专利技术提供一种封装结构，其包括重布线路结构、晶粒、绝缘密封体、保护层以及多个导电端子。重布线路结构具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。晶粒电性连接至重布线路结构。晶粒具有主动面、相对于主动面的后表面以及位于主动面与后表面之间的侧边。绝缘密封体包封晶粒的侧边以及重布线路结构的第一表面。保护层位于晶粒的后表面以及绝缘密封体上。导电端子形成于重布线路结构的第二表面上。在本专利技术的一实施例中，保护层的杨氏模量在0.5GPa和5GPa之间的范围内。在本专利技术的一实施例中，保护层的颜色为黑色。在本专利技术的一实施例中，保护层的厚度范围介于10微米至40微米之间。本专利技术提供一种封装结构的制造方法。本方法包括至少以下步骤。提供载体基板。形成保护层于载体基板上。设置多个晶粒于保护层上。各个晶粒具有主动面、相对于主动面的后表面以及位于主动面与后表面之间的侧边。晶粒的后表面贴附至保护层。以绝缘密封体包封晶粒的侧边。形成重布线路结构于晶粒以及绝缘密封体上。重布线路结构电性连接至晶粒。将载体基板自保护层分离。形成多个导电端子于重布线路层上。在本专利技术的一实施例中，本方法更包括形成离型层于载体基板以及保护层之间。在本专利技术的一实施例中，保护层通过涂布处理或层压处理形成。在本专利技术的一实施例中，导电端子通过植球处理形成。在本专利技术的一实施例中，相较于绝缘密封体的热膨胀系数，载体基板的热膨胀系数较为接近保护层的热膨胀系数。在本专利技术的一实施例中，保护层的材质包括B阶(B-stage)材料。在本专利技术的一实施例中，保护层的杨氏模量小于绝缘密封体的杨氏模量。在本专利技术的一实施例中，保护层的湿气吸收率低于绝缘密封体的湿气吸收率。基于上述，保护层形成于晶粒以及绝缘密封体上。晶粒以及绝缘密封体被保护层良好地保护，且使得通过绝缘密封体以及晶粒之间的界面的水分渗透的问题可以被有效地减少。除此之外，相较于绝缘密封体的热膨胀系数，由于载体基板的热膨胀系数较为接近保护层的热膨胀系数，可以充分地减少于封装结构的制造过程中的翘曲问题。因此，可以提升封装结构的可靠性。此外，通过将B阶材料作为保护层，可以提高封装结构的整体强度。此外，也可以降低封装结构的制造过程中的分层以及晶粒偏移的问题。除此之外，通过使用保护层来替代绝缘密封体的包模(over-molding)部分，可以有效地降低封装结构的制造成本。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A至图1I是依据本专利技术一实施例的封装结构的制造方法的剖面示意图。附图标号说明：10：封装结构100：载体基板200：离型层300：保护层400：晶粒400a：表面402：接垫404：钝化图案406：导电连接端子500：绝缘密封体500a：第一表面500b：第二表面500b'：薄化的第二表面600：重布线路结构600a：第一表面600b：第二表面610：介电层620：导电元件700：导电端子具体实施方式图1A至图1I是依据本专利技术一实施例的封装结构10的制造方法的剖面示意图。请参照图1A，提供载体基板100。载体基板100可以由玻璃、硅、塑胶或其他适宜的材料所制成。形成离型层200于载体基板100上，以暂时地增强载体基板100以及随后形成于其上的元件之间的黏着。离型层可以为光热转换(lighttoheatconversion；LTHC)黏着层或是其他适宜的黏着层。请参照图1B，于离型层200上形成保护层300。离型层200可以位于保护层300以及载体基板100之间。保护层300可以由B阶(B-stage)材料制成。举例来说，保护层300可以包括构成晶粒黏着膜(dieattachfilm；DAF)的树脂。保护层300可以通过涂布处理(coatingprocess)或层压处理(laminationprocess)形成。举例来说，保护层300可以是干膜，且可以通过层压处理贴附于离型层200上。或者，可以通过涂布处理将保护层300的溶液(液态)涂布于离型层200上。之后，将前述的溶液干燥或固化以形成保护层300的固态层。在一些实施例中，保护层300的厚度范围介于10微米(micrometer；μm)至40微米之间。在前述的厚度范围内，保护层300可以充分地保护封装结构10内的其他元件，同时保持封装结构10的薄化特征。请参照图1C，形成多个晶粒400于保护层300上。保护层300可以是用于将晶粒400贴附于保护层300上的晶粒黏着膜。保护层300还可以作为缓冲层，以避免在封装结构10的制造过程期间，其他元件与载体基板100之间的分层(delamination)。各个晶粒400具有形成于其上的多个导电连接端子406。晶粒400可以通过以下的步骤制造。首先，提供晶圆(未显示)，且晶圆具有多个接垫402形成于其上。接着，形成钝化层(未显示)以覆盖接垫402以及晶圆。钝化层被图案化以形成多个钝化图案404。钝化层例如可以通过微影(photolithography)以及蚀刻处理(etchingprocess)以图案化。钝化图案404暴露出至少部分接垫402。然后，形成导电连接端子406于接垫402上。导电连接端子406可以通过镀析处理(platingprocess)形成。镀析处理例如为电镀(electro-plating)、化学镀(electroless-plating)、浸镀(immersionplating)或类似之方法。之后，研磨晶圆上相对于导电连接端子406的后表面，并将其切割成多个晶粒400。各个晶粒400上，具有导电连接端子406的表面为晶粒400的主动面(activesurface)。换言之，相对于主动面的表面400a为晶粒400的后表面。各个晶粒400还包括位于主动面以及后表面(即，表面400a)之间的侧边。如图1C所示，各个晶粒400的主动面远离保护层300。各个晶粒400的后表面(即，表面400a)可以物理性地贴附至保护层300。在一些实施例中，导电连接端子406可以为导电凸块(conductivebump)，导电柱(conductivepillar)或上述之组合。导电连接端子406的材质可以为铜、铝、锡、金、银或上述的组合。请参照图1D，绝缘密封体500用以包封晶粒400。绝缘密封体500可以位于保护层300以及晶粒400上，以使绝缘密封体500完全覆盖晶粒400。举例来说，绝缘密封体500包封晶粒400的侧边。在一些实施例中，绝缘密封体500可以包括通过模塑处理(moldingprocess)所形成的模塑化合物(moldingcompound)。在一些替代性实施例中，绝缘密封体500可以是由例如是环氧树脂(epoxy)或其他适宜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：重布线路结构，具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面；晶粒，电性连接至所述重布线路结构，所述晶粒具有主动面、相对于所述主动面的后表面以及位于所述主动面与所述后表面之间的侧边；绝缘密封体，包封所述晶粒的所述侧边以及所述重布线路结构的所述第一表面；保护层，位于所述晶粒的所述后表面以及所述绝缘密封体上；以及多个导电端子，形成于所述重布线路结构的所述第二表面上。

【技术特征摘要】
2017.06.06 US 15/614,6171.一种封装结构，其特征在于，包括：重布线路结构，具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面；晶粒，电性连接至所述重布线路结构，所述晶粒具有主动面、相对于所述主动面的后表面以及位于所述主动面与所述后表面之间的侧边；绝缘密封体，包封所述晶粒的所述侧边以及所述重布线路结构的所述第一表面；保护层，位于所述晶粒的所述后表面以及所述绝缘密封体上；以及多个导电端子，形成于所述重布线路结构的所述第二表面上。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述保护层的材质包括B阶材料。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述保护层的杨氏模量小于所述绝缘密封体的杨氏模量。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述保护层的湿气吸收率低于所述绝缘密封体的湿气吸收率。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述重布线路结构包括至少一介电层以及嵌入于所述至少一介电层中的多个导电元件，且所述晶粒与所述多个导电元件电性连接。6.根据权利要求1所述的封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：张简上煜，徐宏欣，林南君，
申请(专利权)人：力成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71