温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开了高密度集成封装的射频微系统，包括第一晶片层、第二晶片层、第三晶片层、第四晶片层，第一晶片层、第二晶片层、第三晶片层、第四晶片层，采用围坝结构做低温晶圆级键合堆叠在一起，并通过晶片内垂直通孔实现芯片间的上下互连，形成高密度集成...
该专利属于浙江铖昌科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江铖昌科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。