【技术实现步骤摘要】
大功率层叠式芯片结构
本专利技术涉及一种大功率层叠式芯片结构，属于芯片封装
技术介绍
大功率层叠式芯片结构是以环氧树脂将芯片、引脚等封装成一体。如图1所示为一种常见的大功率层叠式芯片结构的结构图，包括内部含有芯片的环氧树脂，作为正负极的第一引脚和第二引脚设置在环氧树脂的底端和侧面。第二引脚需要从环氧树脂侧面引出，并经若干次弯折形成与第一引脚齐平的导电接触面，现有技术中，第二引脚通常是一个整体铜件，在切除引脚多余部分和弯折引脚时，会向环氧树脂内的芯片产生应力，芯片受到应力作用时容易发生损坏，导致产品良品率不足。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：为解决现有技术中芯片在封装过程中容易发生损坏的问题，提供一种能够提高生产产品良品率的大功率层叠式芯片结构及芯片封装生产方法。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种大功率层叠式芯片结构，包括：环氧树脂；第一引脚，位于环氧树脂底部，且第一引脚下底面露出；第二引脚，从环氧树脂侧面伸出，包括位于环氧树脂内的封装部分和与封装部分通过焊锡焊接在一起的延伸到环氧树脂外的外接部分，外接部分经若干折弯后形成与第一引脚...
【技术保护点】
1.一种大功率层叠式芯片结构，其特征在于，包括：环氧树脂(1)；第一引脚(2)，位于环氧树脂(1)底部，且第一引脚(2)下底面露出；第二引脚(3)，从环氧树脂(1)侧面伸出，包括位于环氧树脂(1)内的封装部分和与封装部分通过焊锡焊接在一起的延伸到环氧树脂(1)外的外接部分，外接部分(31)经若干折弯后形成与第一引脚(2)齐平的导电接触面；所述第一引脚(2)和所述第二引脚(3)的封装部分之间设置有若干芯片(41)；所述封装部分包括，方形的接触部(301)，设置在接触部(301)一条边上的倾斜设置的第一弯折部(302)，设置在第一弯折部(302)一侧的向着接触部(301)所在平...
【技术特征摘要】
1.一种大功率层叠式芯片结构，其特征在于，包括：环氧树脂(1)；第一引脚(2)，位于环氧树脂(1)底部，且第一引脚(2)下底面露出；第二引脚(3)，从环氧树脂(1)侧面伸出，包括位于环氧树脂(1)内的封装部分和与封装部分通过焊锡焊接在一起的延伸到环氧树脂(1)外的外接部分，外接部分(31)经若干折弯后形成与第一引脚(2)齐平的导电接触面；所述第一引脚(2)和所述第二引脚(3)的封装部分之间设置有若干芯片(41)；所述封装部分包括，方形的接触部(301)，设置在接触部(301)一条边上的倾斜设置的第一弯折部(302)，设置在第一弯折部(302)一侧的向着接触部(301)所在平面延伸的第二弯折部(303)；所述外接部分包括，方形的外接部(311)，设置在外接部(311)一条边上的倾斜设置的第三弯折部(312)，第三弯折部(312)与第二弯折部(303)之间通过锡焊连接在一起。2.根据权利要求1所述的大功率层叠式芯片结构，其特征在于，接触部(301)所在平面与第一弯折部(302)所在平面的夹角α为60°-80°，第一弯折部(302)...
【专利技术属性】
技术研发人员：李飞帆，钱淼，
申请(专利权)人：苏州锝耀电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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