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大功率层叠式芯片结构制造技术
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文档序号:19781886
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本发明涉及一种大功率层叠式芯片结构,将第二引脚设置成锡焊在一起的封装部分和外接部分两部分,使得第二引脚的外接部分在切割多余部分以及弯折成型时,降低传递到封装部分的应力,从而降低芯片所受应力,降低芯片在生产时的损坏率,提高大功率层叠式芯片结构...
该专利属于苏州锝耀电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州锝耀电子有限公司授权不得商用。
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