一种电子元件极性标识模具制造技术

本实用新型专利技术涉及一种电子元件极性标识模具，包括上模型腔和顶针，所述上模型腔上设有通孔，所述顶针的端部穿过所述通孔并延伸至所述通孔外，所述顶针的端部中延伸至所述通孔外的部分在上模型腔的内表面形成顶针凸台。采用顶针凸台替代与上模型腔一体成型的凸台，制造成本大大降低，且维修更换只需拆除顶针，直接更换顶针即可，更换周期极短，有效地保证电子元件极性标识的清晰辨别的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种电子元件极性标识模具
本技术涉及电子元件制造的
，具体的讲是一种电子元件极性标识模具。
技术介绍
现有的电子元件极性标识模具通常采用上模型腔表面预置凸台，凸台表面粗糙度比上模型腔表面的粗糙度低，故而封装后，电子元件表面在凸台位置形成凹陷，造成一定的高度以及粗糙度上的差异，进而便于识别，但长时间作业后，凸台磨损，高度不足且表面粗糙度改变，无法达到之前的极性识别效果，造成极性标识不清晰、操作难度变大、易反向插件的问题，且与上模型腔一体成型的凸台维修难度大、维修周期长。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术的目的是提供一种电子元件极性标识模具，解决与上模型腔一体成型的凸台磨损后造成的电子元件极性标识不清晰且凸台磨损后维修不便的问题。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种电子元件极性标识模具，包括上模型腔和顶针，所述上模型腔上设有通孔，所述顶针的端部穿过所述通孔并延伸至所述通孔外，所述顶针的端部中延伸至所述通孔外的部分在上模型腔的内表面形成顶针凸台。进一步，所述顶针凸台的表面粗糙度为0.1-0.2um。进一步，所述通孔采用上宽下窄结构，顶针头部穿过所述通孔并延伸至所述通孔外，顶针尾部卡设在上模型腔内部，顶针的尾端与上模型腔外表面平齐。进一步，所述顶针的纵截面呈T型，顶针头部的纵截面呈长方形，顶针尾部的纵截面呈长方形。进一步，所述顶针头部为圆柱，尾部为长方体，顶针头部在上模型腔内表面形成的顶针凸台为圆柱。进一步，所述通孔的孔径为0.5mm-5.0mm。进一步，所述通孔的孔径为1.0mm。进一步，所述顶针端部直径为1.0mm，顶针凸台的直径为1.0mm。进一步，所述顶针凸台的高度为0.01mm-3.00mm。进一步，所述顶针凸台的高度为0.03mm。本技术的有益效果是：本技术的一种电子元件极性标识模具，采用顶针凸台替代与上模型腔一体成型的凸台，制造成本大大降低，且维修更换只需拆除顶针，直接更换顶针即可，更换周期极短，有效地保证电子元件极性标识的清晰辨别的效果。附图说明下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步描述：图1是本技术的结构拆分剖面图；图2是现有模具结构剖面图；图3是本技术的结构剖面图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面将结合附图对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。参照图1，一种光电耦合器极性标识模具，包括上模型腔1和顶针3，所述上模型腔1上设有通孔2，所述顶针3的端部穿过所述通孔2并延伸至所述通孔2外，所述顶针3的端部中延伸至所述通孔2外的部分在上模型腔1的内表面形成顶针凸台。所述顶针凸台的表面粗糙度为0.1-0.2um。所述通孔2采用上宽下窄结构，顶针3头部穿过所述通孔2并延伸至所述通孔2外，顶针3尾部卡设在上模型腔1内部，顶针3的尾端与上模型腔1外表面平齐。所述顶针3的纵截面呈T型，顶针3头部的纵截面呈长方形，顶针3尾部的纵截面呈长方形。所述顶针3头部为圆柱，尾部为长方体，顶针3头部在上模型腔1内表面形成的顶针凸台为圆柱。所述顶针凸台的表面粗糙度为0.1-0.2um；所述上模型腔1内表面粗糙度为0.4-0.6um；所述通孔2的孔径为1.0mm；所述顶针3端部直径为1.0mm，顶针凸台的直径为1.0mm；所述顶针凸台的高度为0.03mm；所述顶针3的尾部直径等于通孔2的孔径，使顶针3穿过通孔2后固定在上模型腔1上，不会滑动；顶针3设计为T型，既方便固定又容易拆除。参照图2，电子元件的封装过程属于高压力挤进过程，使用环氧树脂通过1.3T压力挤进填充进上模型腔1，高温固化成型。在挤进过程中，高压力的环氧树脂及其填充成分二氧化硅将会与上模型腔1表面形成高强度的摩擦，从而导致长时间作业后上模型腔1表面磨损，凸台又属于上模型腔1表面凸起部分，受力更加严重，磨损程度加剧，凸台高度不足且因磨损造成表面粗燥度改变，无法达到电子元件极性标识清晰辨别的效果，造成识别困难，且凸台的维修难度大，维修周期长。参照图3，本技术的一种电子元件极性标识模具，采用顶针凸台替代现有与上模型腔一体成型的凸台，使用寿命增加；同时当顶针3出现磨损需维修更换时，维修周期简短，且极大的降低了维修成本；同时，上模型腔1的形成属于表面电火花腐蚀，如需在表面形成凸台，则腐蚀过程中，凸台边缘电火花腐蚀形成的粗糙度将会有明显的差异，影响产品表面外观，而顶针凸台的设计，在电火花腐蚀上模型腔1的过程中，底部属于平面状态，腐蚀形成的表面粗糙度一致性良好，再穿过通孔2，插入顶针3形成顶针凸台，具有更好的产品表面效果。本技术的相关参数根据实施例为光电耦合器时进行选择，替换为其他电子元件时，相应地修改通孔2的孔径、顶针3的端部直径、顶针凸台的高度等参数即可。综上所述，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解；其依然能够对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中不乏技术特征进行等同替换，而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术实施例技术方案的精神和范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子元件极性标识模具，其特征在于：包括上模型腔(1)和顶针(3)，所述上模型腔(1)上设有通孔(2)，所述顶针(3)的端部穿过所述通孔(2)并延伸至所述通孔(2)外，所述顶针(3)的端部中延伸至所述通孔(2)外的部分在上模型腔(1)的内表面形成顶针凸台。

【技术特征摘要】
1.一种电子元件极性标识模具，其特征在于：包括上模型腔(1)和顶针(3)，所述上模型腔(1)上设有通孔(2)，所述顶针(3)的端部穿过所述通孔(2)并延伸至所述通孔(2)外，所述顶针(3)的端部中延伸至所述通孔(2)外的部分在上模型腔(1)的内表面形成顶针凸台。2.根据权利要求1所述的一种电子元件极性标识模具，其特征在于：所述顶针凸台的表面粗糙度为0.1-0.2um。3.根据权利要求1所述的一种电子元件极性标识模具，其特征在于：所述通孔(2)采用上宽下窄结构，顶针(3)头部穿过所述通孔(2)并延伸至所述通孔(2)外，顶针(3)尾部卡设在上模型腔(1)内部，顶针(3)的尾端与上模型腔(1)外表面平齐。4.根据权利要求3所述的一种电子元件极性标识模具，其特征在于：所述顶针(3)的纵截面呈T型，顶针(3)头部的纵截面呈长方形，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙凤义，高康，董海昌，
申请(专利权)人：珠海市大鹏电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44