一种用于光电耦合器的引线框架及其光电耦合器制造技术

本发明专利技术公开的一种用于光电耦合器的引线框架及其光电耦合器，包括多个矩阵排列的引线框架单元；两排相邻的引线框架单元之间设有用于两排之间分隔的横筋，两排相邻引线框架单元所对应的管脚并列排布；每个引线框架单元包括第一芯片粘结部、第二芯片粘结部、第一固晶焊线部和第二固晶焊线部，第一芯片粘结部用于安装红外光发射芯片，第二芯片粘结部用于安装红外光接收芯片，红外光发射芯片和红外光接收芯片位于同一片引线框架上用于形成多个封装体；该光电耦合器采用单片左右对射模式，通过空间布局及芯片尺寸优化，适于贴片式357光电耦合器，引线框架厚度0.2mm，具有体积小、节省原材料，方便自动化作业，工作效率和安规数值点高。工作效率和安规数值点高。工作效率和安规数值点高。

【技术实现步骤摘要】
一种用于光电耦合器的引线框架及其光电耦合器


[0001]本专利技术涉及光电耦合器技术，尤其涉及一种用于光电耦合器的引线 框架及其光电耦合器。

技术介绍

[0002]光电耦合器是一种把红外光发射器件和红外光接受器件以及信号 处理电路等封装在同一管壳内的器件。当输入电信号加到输入端发光器 件LED上，LED发光，光接收器件接收光信号并转换成电信号，然后 将电信号直接输出，或者将电信号放大处理成标准数字电平输出，这样 就实现了“电-光-电”的转换及传输，光是传输的媒介，因而输入端 与输出端在电气上是绝缘的，也称为电隔离。
[0003]现有光电耦合器，一般采用一片发射芯片框架和一片接收芯片框架 互相重叠，而形成多个封装体，生产工艺为固晶
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烧结
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焊线
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A芯片 点硅胶
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硅胶固化
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A/B支架叠合
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1号模封装
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去1号模残胶
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2号 模封装
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去2号模残胶
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电镀
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成型
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高压测试
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电性分BIN
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打印
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外观检查。如图1所示，现有的光电耦合器的引线框架都是由A引线框 架和B引线框架叠合而成，即红外光发射芯片1
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和红外光接收芯片2
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的两芯片上下对射式地分别设于A引线框架和B引线框架上，并且固 晶时必须在两台设备上完成，工艺繁锁、流转速度慢、能耗高、成本高、 工艺过程控制难度大。
[0004]而且，现有的光电耦合器，大多是管脚直插式的，由于红外光发射 芯片和红外光接收芯片分别设置于二片引线框架的位置单元上，导致产 品厚度一般在3.4～3.5mm之间，产品体积较大，不利于后续自动化机械 作业，工作效率低。同时，如现有双片框架的357光电耦合器，其安规 测试值不大于3750V，由于其产品需要两片框架重叠一起而构成一个封 装体，同时又因这个产品的厚度标准尺寸为2.0mm，从而导致红外光发 射芯片和红外光接收芯片设置单元的距离受限。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种产品厚度低、体积小，方便自动化机械作业、工作 效率高，安规数值点高及节省原材料的用于光电耦合器的引线框架及其 光电耦合器。
[0006]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0007]一种用于光电耦合器的引线框架，包括多个矩阵排列的引线框架单 元；
[0008]两排相邻的引线框架单元之间设有用于两排之间分隔的横筋，两排 相邻引线框架单元所对应的管脚并列排布；
[0009]每个引线框架单元包括第一芯片粘结部、第二芯片粘结部、第一固 晶焊线部和第二固晶焊线部，所述第一芯片粘结部用于安装红外光发射 芯片，所述第二芯片粘结部用于安装红外光接收芯片，所述第一芯片粘 结部对应的红外光发射芯片和所述第二芯片粘结部对应的红外光接收 芯片位于同一片引线框架上用于形成多个封装体；
[0010]所述第一芯片粘结部与正极管脚连接，所述第一固晶焊线部与负极 管脚连接；
[0011]所述第二芯片粘结部与集电极管脚连接，所述第二固晶焊线部与发 射极管脚连接。
[0012]进一步地，所述引线框架单元的厚度不大于0.2mm。
[0013]进一步地，每个引线框架单元上第一芯片粘结部与所述第二芯片粘 结部之间的内侧间距L1不小于0.7mm、且外侧间距L2不大于2.1mm。
[0014]进一步地，所述横筋的宽度不小于0.35mm。
[0015]一种光电耦合器，包括一体封装的上述的一种用于光电耦合器的引 线框架的引线框架单元、红外光发射芯片和红外光接收芯片，所述红外 光发射芯片插装连接于所述引线框架单元上的第一芯片粘结部处，所述 红外光接收芯片插装连接于所述引线框架单元上的第二芯片粘结部处；
[0016]所述红外光发射芯片通过导线与所述引线框架单元上的第一固晶 焊线部连接，所述红外光接收芯片通过导线与所述引线框架单元的第二 固晶焊线部连接；
[0017]所述红外光发射芯片和所述红外光接收芯片位于同一片引线框架 上而形成多个封装体。
[0018]进一步地，所述第一芯片粘结部和第二芯片粘结部同平面设置于所 述引线框架单元的表面。
[0019]进一步地，所述第一芯片粘结部处的引红外光发射芯片与所述第二 芯片粘结部处的红外光接收芯片左右对称设置、且相互左右对射式的设 于所述引线框架单元上。
[0020]本专利技术的有益效果是：
[0021]本专利技术的光电耦合器中，采用单片左右对射模式，通过空间布局及 芯片尺寸优化，适于贴片式357光电耦合器，引线框架厚度0.2mm，具 有体积小、方便自动化机械作业，工作效率和安规数值点高，节省原材 料特点。
[0022]对比现有双片框架式光电耦合器，红外光发射芯片和红外光接收芯 片分别设置于二片引线框架的位置单元上，由于需要两片框架重叠一起 而构成一个封装体，同时又因这个产品的厚度标准尺寸为2.0mm，从而 导致红外光发射芯片和红外光接收芯片设置单元的距离受限，安规测试 的隔离电压值很难超过3750V；本专利技术的红外光发射芯片和红外光接收 芯片为左右对射式的设置于一片引线框架单元上，通过合理设计基岛区 域相关尺寸，在满足芯片功能性放置要求的前提下，同时满足封装空间 高度限制要求，从而使保持产品同样2.0mm厚度的情况下，外光发射 芯片和红外光接收芯片设置单元的距离在折弯后实现≥0.4mm的有效 内部爬电距离，远远大于传统双片框架式的357光电耦合器的有效内部 爬电距离，由于加大左右间隙距离，大幅度提升了绝缘爬电间隙，其安 规测试的隔离电压值达到5000V，远要高于同行业的3750V标准，使之 在更小的空间内达到更高级别的高耐压绝缘强度。
[0023]而且，对比现有双片框架式的同类光电耦合器357产品，本专利技术的 光电耦合器耐压强度和可靠性更强，还可以在应用中匹配兼容光电耦合 器817产品的电路应用，使之填补小型化贴片光电耦合器817的市场需 求，达到一个型号适用于不同类型的产品。
【附图说明】
[0024]图1是现有的引线框架的光电耦合器剖视结构放大示意图；
[0025]图2是本专利技术矩阵排列的引线框架结构示意图；
[0026]图3是图2中一排引线框架的放大结构图；
[0027]图4是图3中C部一个引线框架单元的放大结构示意图；
[0028]图5是本专利技术引线框架加工成光电耦合器的加工流程示意图及每 个流程中局部一个单元的放大示意图；
[0029]图6是本专利技术光电耦合器的剖视结构放大图；
[0030]图7是本专利技术光电耦合器的俯视结构放大图；
[0031]图8是本专利技术光电耦合器的侧视结构放大图。
【具体实施方式】
[0032]下面将结合本发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于光电耦合器的引线框架，其特征在于，包括多个矩阵排列的引线框架单元(1)；两排相邻的引线框架单元(1)之间设有用于两排之间分隔的横筋(2)，两排相邻引线框架单元(1)所对应的管脚(3)并列排布；每个引线框架单元(1)包括第一芯片粘结部(4)、第二芯片粘结部(5)、第一固晶焊线部(6)和第二固晶焊线部(7)，所述第一芯片粘结部(4)用于安装红外光发射芯片(40)，所述第二芯片粘结部(5)用于安装红外光接收芯片(50)，所述第一芯片粘结部(4)对应的红外光发射芯片(40)和所述第二芯片粘结部(5)对应的红外光接收芯片(50)位于同一片引线框架上用于形成多个封装体；所述第一芯片粘结部(4)与正极管脚(8)连接，所述第一固晶焊线部(6)与负极管脚(9)连接；所述第二芯片粘结部(5)与集电极管脚(10)连接，所述第二固晶焊线部(7)与发射极管脚(11)连接。2.根据权利要求1所述的一种用于光电耦合器的引线框架，其特征在于：所述引线框架单元(1)的厚度不大于0.2mm。3.根据权利要求1或2所述的一种用于光电耦合器的引线框架，其特征在于：每个引线框架单元(1)上第一芯片粘结部(4)与所述第二芯片粘结部(5)之间的内侧间距L1不小于0.7mm、且外侧间距L2不大于2.1mm。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊民，
申请(专利权)人：珠海市大鹏电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：