精密金属支架结构及其制作方法技术

本发明专利技术是一种精密金属支架结构及其制作方法，可作为发光二极管支架或晶片导线架，包含步骤如下:a)提供一至少一面设置一黏着层的绝缘片与一金属箔；b)该绝缘片形成至少一个开孔；c)将该金属箔的一第一表面与绝缘片压合且由黏着层固定；d)对金属箔进行镀铜，使开孔下的金属箔形成一第一接点以及位于金属箔的一第二表面增加一镀铜层；e)金属箔与绝缘片压合后于上下表面涂布一光阻，做选择性曝光后对金属箔上的镀铜层进行蚀刻，以形成至少一导线与部分形成于导线上的第二接点；及f)在第二表面形成一绝缘层，并采用微影制程使第二接点外露于绝缘层，借由上述方式可由绝缘片及金属箔蚀刻取代了传统冲压方式来形成导线架或LED金属支架。支架。支架。

【技术实现步骤摘要】
精密金属支架结构及其制作方法


[0001]本专利技术一种精密金属支架，尤指一种精密金属支架结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]按，目前的半导体晶片在封装时，都是先将晶片固定在导线架预设的位置，再进行金线打设使晶片IO与内脚线路电性连结。打完金线后使用树脂于晶片及导线架上形成一封装体，该封装体将晶片及导线架的内脚线路封装于内部，仅露出外脚线路于外部。经裁切障碍杆（Dam bar）及联结杆（Tie bar）后，封装完成的半导体元件初步成形。其后再经电镀、剪切成型及检测等制程，成品便可出厂。
[0003]相似地，发光二极管晶粒的封装也有类似的制程。以现有的侧向型发光二极管的封装结构来说，其主要包含了一个胶座以及LED金属支架。LED金属支架由铜料带经冲压而制成，将LED金属支架经过电镀处理，银材料电镀于LED金属支架的表面上形成一电镀层。 之后将电镀完成的LED金属支架放置于公母模具上利用热压或射出成型，形成该胶座于LED金属支架上。胶座上具有供LED金属支架外露的中空功能区，该中空功能区可供固晶及打线。打线后于该中空功能区内部注入胶体，即完成侧向型发光二极管的封装制程。
[0004]无论是导线架或者LED金属支架，一般都需要透过模具进行冲压制作，相关的冲压模具技术门槛高且成本昂贵；若采蚀刻技术制作时，在蚀刻制程中很可能发生蚀刻不足或过度，造成封装后的良率不佳的问题。此外，在电镀及后续制程上，易产生脚偏、贴带溢胶、脱落、切脚漏切、镀偏等问题。
[0005]对于以上传统导线架与LED金属支架的制程问题，封装界需要一种创新的精密金属支架结构及其制作方法来解决。

技术实现思路

[0006]本专利技术的主要目的在于：采用绝缘片及金属箔蚀刻取代了传统冲压方式来形成导线架或LED金属支架。除了可以减少导线架或LED金属支架在后续制程上的失误发生外，还可省去开发导线架或LED金属支架的精密模具成本。
[0007]本专利技术所采用的技术手段如下所述。
[0008]为达上述目的，本专利技术是一种精密金属支架结构制作方法，该精密金属支架结构可作为发光二极管支架或晶片导线架，包含步骤：a) 提供一至少一面设置一黏着层的绝缘片与一金属箔；b) 该绝缘片形成至少一个开孔；c) 将该金属箔的一第一表面与该绝缘片压合且由该黏着层固定；d) 对该金属箔进行镀铜，使该开孔下的该金属箔形成一第一接点以及位于该金属箔的一第二表面增加一镀铜层；e) 该金属箔与该绝缘片压合后于上下表面涂布一光阻，做选择性曝光后对该金属箔上的该镀铜层进行蚀刻，以形成至少一导线与部分形成于该导线上的第二接点；及f) 在该第二表面形成一绝缘层，并采用微影制程使该第二接点外露于该绝缘层。
[0009]根据本专利技术的一实施例，进一步包含步骤g)：裁切步骤f)所制成的精密金属支架
结构，以取得独立的单元个体。
[0010]根据本专利技术的一实施例，其中该绝缘片为PI膜（Polyamide，聚酰亚胺）或无金属箔基板。
[0011]根据本专利技术的一实施例，其中该无金属箔基板(至少一面附黏着层)为FR-4基板或FR-5基板。
[0012]根据本专利技术的一实施例，其中该绝缘片厚度介于3μm至1mm之间。
[0013]根据本专利技术的一实施例，其中该黏着层为硅胶、Acrylic胶或Epoxy胶。
[0014]根据本专利技术的一实施例，其中该绝缘片上的该开孔形成方式为:冲压、机钻或雷射钻。
[0015]根据本专利技术的一实施例，其中该金属箔最大厚度不大于140μm。
[0016]根据本专利技术的一实施例，其中该绝缘层为阻焊剂(Solder Mask)、硅胶、Acrylic胶或Epoxy胶。
[0017]根据本专利技术的一实施例，其中镀铜方式为化学镀铜或电镀铜。
[0018]依据精密金属支架结构制作方法制成的一种精密金属支架结构，其可作为发光二极管支架或晶片导线架，其包含：一绝缘片，该绝缘片形成至少一个开孔；一金属箔，该金属箔第一表面与该绝缘片由一黏着层压合黏着固定，位于该开孔处的该金属箔形成一第一接点，其中该金属箔第二表面以蚀刻方式形成至少一条导线与至少一形成于部分该导线的第二接点；及一绝缘层，该绝缘层形成于该金属箔的该第二表面，该至少一导线上的该第二接点由该绝缘层外露。
[0019]根据本专利技术的一实施例，其中该绝缘片为PI膜（Polyamide，聚酰亚胺）或无金属箔基板。
[0020]根据本专利技术的一实施例，其中该无金属箔基板(至少一面附黏着层)为FR-4基板或FR-5基板。
[0021]根据本专利技术的一实施例，其中该绝缘片厚度介于3μm至1mm之间。
[0022]根据本专利技术的一实施例，其中该黏着层为硅胶、Acrylic胶或Epoxy胶。
[0023]根据本专利技术的一实施例，其中该绝缘片上的该开孔形成方式为:冲压、机钻或雷射钻。
[0024]根据本专利技术的一实施例，其中该金属箔最大厚度不大于140μm。
[0025]根据本专利技术的一实施例，其中该绝缘层以微影制程使该第二接点外露。
[0026]根据本专利技术的一实施例，其中该绝缘层为阻焊剂(Solder Mask)、硅胶、Acrylic胶或Epoxy胶。
附图说明
[0027]图1 为本专利技术较佳实施例的流程示意图。
[0028]图2为本专利技术较佳实施例的立体示意图。
[0029]图3 为图1局部剖面线A-A结构的第一制作结构剖面示意图。
[0030]图4 为本专利技术较佳实施例的第二制作结构剖面示意图。
[0031]图5 为本专利技术较佳实施例的第三制作结构剖面示意图。
[0032]图6 为本专利技术较佳实施例的第四制作结构剖面示意图。
[0033]图7 为本专利技术较佳实施例的第五制作结构剖面示意图。
[0034]图8 为本专利技术铜箔蚀刻后的结构俯视示意图。
[0035]图9 为本专利技术另一种铜箔蚀刻后的结构俯视示意图。
[0036]图10 为本专利技术另一种第五制作结构的结构俯视示意图。
[0037]图号说明：精密金属支架结构
……
1绝缘片
……
10开孔
……
100黏着层
……
102金属箔
……
12第一表面
……
120第二表面
……
122第一接点
……
124导线
……
126第二接点
……
128绝缘层
……
14。
具体实施方式
[0038]请参阅图1及图2所示，为本专利技术较佳实施例的流程示意图及立体示意图。同时一并参考图3、图4、图5、图6及图7所示，分别为图1局部剖面线A-A结构的第一制作结构剖面示意图、第一制作结构剖面示意图、第二制作结构剖面示意图、第三制作结构剖面示意图及第四制作结构剖面示意图。本专利技术是一种精密金属支架结构及其制作方法，该精密金属支本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种精密金属支架结构制作方法，其特征在于，该精密金属支架结构作为发光二极管支架或晶片导线架，包含步骤：a) 提供一至少一面设置一黏着层的绝缘片与一金属箔；b) 该绝缘片形成至少一个开孔；c) 将该金属箔的一第一表面与该绝缘片压合且由该黏着层固定；d) 对该金属箔进行镀铜，使该开孔下的该金属箔形成一第一接点以及位于该金属箔的一第二表面增加一镀铜层；e) 该金属箔与该绝缘片压合后于上下表面涂布一光阻，做选择性曝光后对该金属箔上的该镀铜层进行蚀刻，以形成至少一导线与部分形成于该导线上的第二接点；及f) 在该第二表面形成一绝缘层，并以微影制程使该第二接点外露于该绝缘层。2.如权利要求1所述的精密金属支架结构制作方法，其特征在于，包含步骤g)：裁切步骤f)所制成的精密金属支架结构，以取得独立的单元个体。3.如权利要求1所述的精密金属支架结构制作方法，其特征在于，该绝缘片为PI膜或无金属箔基板。4.如权利要求3所述的精密金属支架结构制作方法，其特征在于，该至少一面附黏着层的无金属箔基板为FR-4基板或FR-5基板。5.如权利要求1所述的精密金属支架结构制作方法，其特征在于，该绝缘片厚度介于3μm至1mm之间。6.如权利要求1所述的精密金属支架结构制作方法，其特征在于，该黏着层为硅胶、Acrylic胶或Epoxy胶。7.如权利要求1所述的精密金属支架结构制作方法，其特征在于，该绝缘片上的该开孔形成方式为:冲压、机钻或雷射钻。8.如权利要求1所述的精密金属支架结构制作方法，其特征在于，该金属箔最大厚度不大于140μm。9.如权利要求1所述的精密金属支架结构制作方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国华，
申请(专利权)人：洪捷实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：