一种光电耦合器的筛选方法技术

本发明专利技术公开的一种光电耦合器的筛选方法，包括以下步骤：步骤S1，选取不同批次的光电耦合器产品；步骤S2，将选取的光电耦合器安装在测试台上，在20mA的电流条件下，通过重复多次的VF值测试，观察线性变化，对光电耦合器进行常规VF值测试；步骤S3，采用200mA大电流连续冲击200次；步骤S4，采用50mA和10mA的高低电流连续冲击；通过增加200mA电流冲击检验芯片损伤，以及增加10mA与50mA大小电流冲击下的VF值波动误差、来检测芯片损伤及键合线超声波键合虚焊问题，来筛选存在超声波键合焊接不稳定、导致红外发射芯片阻值变化大的不良品。致红外发射芯片阻值变化大的不良品。致红外发射芯片阻值变化大的不良品。

【技术实现步骤摘要】
一种光电耦合器的筛选方法


[0001]本专利技术涉及电子电器技术，尤其涉及一种光电耦合器的筛选方法。

技术介绍

[0002]光电耦合器是把发光二极管和光敏三极管封装在一起，通过光电之间的互相转换实现信号传递的器件，凭借其体积小、寿命长、无触点、抗干扰性强、传输速度高、输出与TTL和CMOS电路兼容等特点，被广泛应用于军事、航天、核技术等特殊空间环境的电子设备上。在高速光电耦合器的筛选中，光耦中的微观缺陷不会造成光耦的突然失效，但是有可能会出现故障复现困难的情况，给失效归零造成一定的困扰；因此，性能测试全面的可靠性测试极其重要，它能配合相关试验尽早的剔除早期性能存在缺陷的产品，可有效提高整机系统的可靠性。
[0003]光电耦合器主要由红外发光二极管、光敏三极管、键合丝、基板、导光胶和外封装材料组成。键合丝主要用于建立红外发光二极管、光敏三极管与电路输入输出键合点间的电气连接，其主要材料有金、银、铜和铝等。光电耦合器的生产制程中，键合点颈缩处的断路或虚接是最常见的一类微观缺陷，也是光耦键合工艺的薄弱环节，易受到剪切应力的影响。造成这种缺陷的原因之一是光耦内部的硅胶与基板、塑封材料的热膨胀系数差异过大，当受到强烈的热冲击或长时间处于较强的热应力时，光耦内部的键合丝就会受到水平方向上的剪切力作用；由于应力集中，键合点处会首先拉脱断开或进而虚接。此外，还包括在光耦制作过程中造成的键合点微观缺陷，如操作人员在焊接时压力过大或过小导致键合点产生过压焊或虚焊现象。
[0004]如光电耦合器817产品，对应发射端红外发光二极管芯片的焊线作业，一般通过超声波键合动作，使键合线与芯片焊垫及二焊点连接形成电路导通，而焊线作业过程中键合压板压合的精准度、芯片焊垫硬度及厚度等相关因素，也会直接影响超声波键合作业的稳定性，由于以上因素，常常造成焊线作业异常。而焊线作业异常是光电耦合器生产制程中，产生不良问题的主要因素，同时由于这些不良问题的可视性差，虽然加大人工抽检比例的筛选，对不良管控有一定帮助，但会造成极大的人工成本支出和产品浪费。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种适用于光电耦合器817的产品筛选，在不影响产品制程工作效率的前提条件下，有效提升出货产品可靠性的光电耦合器的筛选方法。
[0006]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0007]一种光电耦合器的筛选方法，包括以下步骤：
[0008]步骤S1，选取不同批次的光电耦合器产品；
[0009]步骤S2，将选取的光电耦合器安装在测试台上，在20mA的电流条件下，通过重复多次的VF值测试，观察线性变化，若线性稳定且VF值在规定范围内，则判定光电耦合器产品的质量一致性良好；
[0010]步骤S3，采用200mA大电流连续冲击200次，检验光耦内部芯片的损伤，若测试数据无波动则判定光电耦合器产品的质量稳定；
[0011]步骤S4，采用50mA和10mA的高低电流连续冲击，检验光耦内部芯片的损伤，并依据光电耦合器产品的阻值，红外发射芯片的VF值与电流的线性特性，采用50mA和10mA的大小电流冲击测试光电耦合器产品的VF值，相互之间进行差值计算，依据光电耦合器VF特性值波动的变化线性差异，来筛选存在超声波键合焊接不稳定、导致红外发射芯片阻值变化大的不良品。
[0012]进一步地，所述步骤S4中还包括：
[0013]光电耦合器产品测试中，在10mA、20mA、50mA、200mA不同电流条件下分别测试VF值；
[0014]并针对10mA、20mA、50mA、200mA不同条件下的VF值，相互之间进行差值计算，计算不同条件下的数据误差；
[0015]结合制程选取的单芯片20mA条件下VF原始值范围为1.24
‑
1.28V，大小电流对比观察200mA与10mA条件下误差波动相对较大，故此选择50mA与10mA条件下误差作为参考值，范围限定为≤0.220，由此判定，VF误差值大于0.27的光电耦合器产品为虚焊不良产品。
[0016]本专利技术的有益效果是：
[0017]在对光电耦合器产品测试过程中，发现10mA、20mA、50mA、200mA不同电流条件下的线性稳定一致性良好，本专利技术针对光电耦合器817产品制程加工中存在的技术问题，在10mA、20mA、50mA、200mA不同电流条件下分别测试VF值，并针对10mA、20mA、50mA、200mA不同条件下的VF值，相互之间进行差值计算，计算不同条件下的数据误差；并依据光电耦合器产品的阻值，红外发射芯片的VF值与电流的线性特性，依据光电耦合器VF特性值波动的变化线性差异，来筛选存在超声波键合焊接不稳定、导致红外发射芯片阻值变化大的不良品，能够实现对制程中光电耦合器产品进行100％测试筛选，同时不影响制程工作效率，有效提升出货产品可靠性，提升产品市场竞争力。
[0018]同时，在光电耦合器对应的芯片VF原始值范围变化时，可依据相应测试条件进行误差值调整，保证测试的随机稳定性。
【附图说明】
[0019]图1是本专利技术不同批次光耦产品在不同电流条件下的不同VF值测试观察下的线性变化示意图。
【具体实施方式】
[0020]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]一种光电耦合器的筛选方法，适用于光电耦合器817产品的制程加工，如图1所示，包括以下步骤：
[0022]步骤S1，选取不同批次的光电耦合器产品；
[0023]步骤S2，将选取的光电耦合器安装在测试台上，在20mA的电流条件下，通过重复多次的VF值测试，观察线性变化，若线性稳定且VF值在规定范围内，则判定光电耦合器产品的质量一致性良好；即通过多次测试来判定光电耦合器产品的一致性。
[0024]步骤S3，采用200mA大电流连续冲击200次，检验光耦内部芯片的损伤，若测试数据无波动则判定光电耦合器产品的质量稳定；
[0025]步骤S4，采用50mA和10mA的高低电流连续冲击，检验光耦内部芯片的损伤，并依据光电耦合器产品的阻值，红外发射芯片的VF值与电流的线性特性，采用50mA和10mA的大小电流冲击测试光电耦合器产品的VF值，依据光电耦合器VF特性值波动的变化线性差异，来筛选存在超声波键合焊接不稳定、导致红外发射芯片阻值变化大的不良品。
[0026]其中，该步骤S4中还包括：
[0027]光电耦合器产品测试中，在10mA、20mA、50mA、200mA不同电流条件下分别测试VF值，如下表1所示；
[0028]表1
[0029][0030]表1中，20
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10误差是指20mA条件下与10mA条件下的VF值相互相减的差值，以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电耦合器的筛选方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，选取不同批次的光电耦合器产品；步骤S2，将选取的光电耦合器安装在测试台上，在20mA的电流条件下，通过重复多次的VF值测试，观察线性变化，若线性稳定且VF值在规定范围内，则判定光电耦合器产品的质量一致性良好；步骤S3，采用200mA大电流连续冲击200次，检验光耦内部芯片的损伤，若测试数据无波动则判定光电耦合器产品的质量稳定；步骤S4，采用50mA和10mA的高低电流连续冲击，检验光耦内部芯片的损伤，并依据光电耦合器产品的阻值，红外发射芯片的VF值与电流的线性特性，采用50mA和10mA的大小电流冲击测试光电耦合器产品的VF值，相互之间进行差值计算，依据光电耦合器VF特性值波动的变化线性差异，来...

【专利技术属性】
技术研发人员：高康，黄俊民，何丁财，孙凤义，董海昌，
申请(专利权)人：珠海市大鹏电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：