测试电路和设备制造技术

本申请实施例提供的测试电路和设备，其中，测试电路包括电压源和第一测试子电路，电压源的正极与第一待测IGBT器件的集电极电信号连接，电压源的负极接地；该第一待测IGBT器件连接于第一测试子电路内，第一待测IGBT器件的栅极与发射极短接；第一测试子电路包括第一电流源，第一电流源的负极与第一待测IGBT器件的发射极电信号连接，第一电流源的正极接地；如此，第一电流源指示的输出电流能够保证实际流过IGBT的电流在可接受的误差范围之内，从而解决了相关技术中实际流过IGBT的电流与测试电流不符导致的对IGBT进行BVCES参数测试精度低的问题。低的问题。低的问题。

【技术实现步骤摘要】
测试电路和设备


[0001]本技术涉及电力半导体测试
，特别是涉及一种测试电路和设备。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称为IGBT)是由双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor，简称为BJT)和金氧半场效晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor,简称为MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有BJT的低导通压降和MOSFET的高输入阻抗两方面的优点。IGBT器件是能源变换和传输的核心器件，俗称电子电力装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。在IGBT生产过程中，需要对IGBT器件进行CE击穿电压参数(简称为：BVCES参数)测试，剔除测试不通过的IGBT器件，以节约后续工序的生产成本。
[0003]当前，对IGBT器件进行BVCES参数测试的方案中，电流源需要给IGBT器件提供测试电流，由于IGBT器件具有高击穿电压的特性，IGBT器件两端的电位差较大(例如：800V)，因此，连接电流源与IGBT器件的集电极的屏蔽线上的电压也很大，当屏蔽线上的信号线对屏蔽层阻抗较低时，会导致电流源输出的测试电流有部分会通过屏蔽层漏掉，导致实际流过IGBT器件的电流与测试电流不符，影响BVCES参数的测试精度。
[0004]目前，针对相关技术中对IGBT器件进行BVCES参数测试精度低的问题，尚未提出有效的解决方案。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供的测试电路和设备，以至少解决相关技术中对IGBT器件进行BVCES参数测试精度低的问题。
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种测试电路，用于测试IGBT器件中集电极与发射极之间的击穿电压，所述测试电路包括：电压源和第一测试子电路，其中，
[0007]所述电压源的正极与第一待测IGBT器件的集电极电信号连接，所述电压源的负极接地；
[0008]所述第一待测IGBT器件连接于所述第一测试子电路内，所述第一待测IGBT器件的栅极与发射极短接；
[0009]所述第一测试子电路包括第一电流源，所述第一电流源的负极与所述第一待测IGBT器件的发射极电信号连接，所述第一电流源的正极接地。
[0010]在其中一些实施例中，所述第一测试子电路还包括第一可变电阻，所述第一可变电阻与所述第一电流源串联。
[0011]在其中一些实施例中，将所述第一待测IGBT器件的额定测试电压与额定测试电流的比值定义为第一额定电阻值，所述第一可变电阻的阻值和所述第一额定电阻值成正相关。
[0012]在其中一些实施例中，所述第一可变电阻的阻值为所述第一额定电阻值的1/10。
[0013]在其中一些实施例中，所述测试电路还包括第二测试子电路，所述第二测试子电路与所述第一测试子电路并联；
[0014]所述电压源的正极与第二待测IGBT器件的集电极电信号连接，所述电压源的负极接地；
[0015]所述第二待测IGBT器件连接于所述第二测试子电路内，所述第二待测IGBT器件的栅极与发射极短接；
[0016]所述第二测试子电路包括第二电流源；所述第二电流源的负极与所述第二待测IGBT器件的发射极电信号连接，所述第二电流源的正极接地。
[0017]在其中一些实施例中，所述第二测试子电路还包括第二可变电阻，所述第二可变电阻与所述第二电流源串联。
[0018]在其中一些实施例中，所述第二电流源为电压电流源，所述第二电流源通过所述电压电流源在电流源模式下工作以输出测试电流。
[0019]在其中一些实施例中，所述第一电流源满足以下条件：所述第一电流源在开启状态下两端的电位差的最大值不超过预设电压值，所述预设电压值小于或等于10V。
[0020]在其中一些实施例中，所述电压源为第一电压电流源，所述电压源通过所述第一电压电流源在电压源模式下工作以输出测试电压；所述第一电流源为第二电压电流源，所述第一电流源通过所述第二电压电流源在电流源模式下工作以输出测试电流；所述第一电压电流源输出的额定电压大于所述第二电压电流源输出的额定电压。
[0021]第二方面，本申请实施例提供了一种测试设备，包括上述任一项所述的测试电路。
[0022]相比于相关技术，本申请实施例提供的测试电路和测试设备，通过测试电路包括电压源和第一测试子电路，其中，电压源的正极与第一待测IGBT器件的集电极电信号连接，电压源的负极接地；该第一待测IGBT器件连接于第一测试子电路内，第一待测IGBT器件的栅极与发射极短接；第一测试子电路包括第一电流源，第一电流源的负极与第一待测IGBT器件的发射极电信号连接，第一电流源的正极接地；如此，第一电流源指示的输出电流能够保证实际流过IGBT器件的电流在可接受的误差范围之内，从而解决了相关技术中实际流过IGBT的电流与测试电流不符导致的对IGBT器件进行BVCES参数测试精度低的问题，通过在第一测试子电路中设置第一电流源，提高了BVCES参数测试的精度。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为本申请第一实施例提供的测试电路示意图；
[0025]图2为相关技术中提供的测试电路示意图；
[0026]图3为本申请第二实施例提供的测试电路示意图；
[0027]图4为本申请第三实施例提供的测试电路示意图；
[0028]图5为根据相关技术而提供的一种假设的测试电路示意图；
[0029]图6为本申请第四实施例提供的测试电路示意图；
[0030]图7为本申请第五实施例提供的测试电路示意图。
具体实施方式
[0031]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0032]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0033]可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试电路，用于测试IGBT器件中集电极与发射极之间的击穿电压，其特征在于，所述测试电路包括：电压源和第一测试子电路，其中，所述电压源的正极与第一待测IGBT器件的集电极电信号连接，所述电压源的负极接地；所述第一待测IGBT器件连接于所述第一测试子电路内，所述第一待测IGBT器件的栅极与发射极短接；所述第一测试子电路包括第一电流源，所述第一电流源的负极与所述第一待测IGBT器件的发射极电信号连接，所述第一电流源的正极接地。2.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述第一测试子电路还包括第一可变电阻，所述第一可变电阻与所述第一电流源串联。3.根据权利要求2所述的测试电路，其特征在于，将所述第一待测IGBT器件的额定测试电压与额定测试电流的比值定义为第一额定电阻值，所述第一可变电阻的阻值和所述第一额定电阻值成正相关。4.根据权利要求3所述的测试电路，其特征在于，所述第一可变电阻的阻值为所述第一额定电阻值的1/10。5.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述测试电路还包括第二测试子电路，所述第二测试子电路与所述第一测试子电路并联；所述电压源的正极与第二待测IGBT器件的集电极电信号连接，所述电压源的负极接地；所述第二待测IGBT器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海洋，张健，耿霄雄，胡江，钟锋浩，
申请(专利权)人：杭州长川科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：