一种半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体制作方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底的表面形成第一阱区；在所述第一阱区中形成第二阱区；提供第二衬底，所述第二衬底导电类型与所述第一衬底导电类型相同；在所述第二衬底的表面形成第三阱区；将所述第一衬底未形成阱的表面和所述第二衬底未形成阱的表面进行键合。该方法采取背面直接键合的方式，形成高压逆阻IGBT，所形成的器件能够实现高压反向耐压，且制作工艺与传统IGBT制造工艺兼容，工艺简单，可实施性强，克服了现有技术中高压逆阻IGBT制作困难、成本高昂等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
双向阻断能力的半导体器件，以IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)又称作绝缘栅双极型晶体管为主要代表。逆阻型IGBT(ReverseBlockingIGBT,RB-IGBT)是在传统穿通型IGBT基础上演化而来的一种新型的IGBT器件，和传统的IGBT相比，逆阻型IGBT具有反向阻断能力，正、反向均可承受电压，被广泛应用于矩阵变换器、中点箝位拓扑和T型变换器中。附图1为常见的RB-IGBT结构，现有的RB-IGBT的制作过程为(以附图1RB-IGBT为例)：在P型衬底1上外延一定厚度的N-外延层2作为N-漂移区；在该N-漂移区上形成P-阱区3和n+源区4；在该N-漂移区上通过扩散形成终端结构，所述终端结构包括n+截止环6，p+场限环5和P+隔离沟槽8；在该RB-IGBT的正面和背面分别形成正面电极7和背面电极(背面电极图中未画出)。目前常用的制造逆阻型IGBT终端的技术为扩散隔离、沟槽隔离、V型凹槽隔离和混合隔离等，现有的逆阻型IGBT的制作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底的表面形成第一阱区；在所述第一阱区中形成第二阱区；提供第二衬底，所述第二衬底导电类型与所述第一衬底导电类型相同；在所述第二衬底的表面形成第三阱区；将所述第一衬底未形成阱的表面和所述第二衬底未形成阱的表面进行键合。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底的表面形成第一阱区；在所述第一阱区中形成第二阱区；提供第二衬底，所述第二衬底导电类型与所述第一衬底导电类型相同；在所述第二衬底的表面形成第三阱区；将所述第一衬底未形成阱的表面和所述第二衬底未形成阱的表面进行键合。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，将所述第一衬底未形成阱的表面和所述第二衬底未形成阱的表面进行键合包括：分别对所述第一衬底和所述第二衬底进行表面清洁处理；在室温下对所述第一衬底未形成阱的表面和所述第二衬底未形成阱的表面进行预键合；在小于1000℃的温度条件下对经过预键合的所述第一衬底和所述第二衬底继续进行键合。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在300℃～450℃温度条件下对经过预键合的所述第一衬底和所述第二衬底继续进行键合。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，将所述第一衬底未形成阱的表面和所述第二衬底未形成阱的表面进行键合包括：分别对所述第一衬底和所述第二衬底进行表面进行亲水性预处理；在室温下对所述第一衬底和所述第二衬底进行键合；然后对键合后的所述第一衬底和所述第二衬底在1000℃高温下进行退火。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：在所述第一衬底的非键合表面沉积金属层，并对所述金属层进行图形化，形成第一衬底表面电极；在所述第二衬底的非键合表面沉积金属层，并对所述金属层进行图形化，形成第二衬底电极。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述第一衬底的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘江，金锐，崔磊，王耀华，高明超，赵哿，吴鹏飞，张璧君，温家良，潘艳，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，国家电网有限公司，国网河北省电力有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11