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本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体制作方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底的表面形成第一阱区；在所述第一阱区中形成第二阱区；提供第二衬底，所述第二衬底导电类型与所述第一衬底导电类型相同；在所述第二衬底的表面形成第三阱区；将所述...该专利属于全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网河北省电力有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网河北省电力有限公司授权不得商用。