一种封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种封装结构，包括：载片、芯片及塑封材料层；所述载片中具有若干凹槽，所述凹槽的尺寸适于容纳所述芯片，所述凹槽沿所述芯片放置方向依次分为第一部分和第二部分，所述第一部分的尺寸沿所述芯片放置方向变小，所述第二部分的尺寸不变；所述芯片设置在所述凹槽中，所述芯片背面与所述凹槽底部接触；所述塑封材料层覆盖在所述芯片及所述载片上，并填充到所述芯片与载片中间的间隙中。本实用新型专利技术通过在载片上加工一种斜坡下带有垂直结构的凹槽，实现自动对准，芯片会自动滑落到凹槽的垂直结构中，所述芯片也不易滑出固定位置，使得键合工艺更为稳定。提高了键合工艺位置的精确度，还避免了热膨胀系数不匹配、晶圆的翘曲等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种封装结构
本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种封装结构。
技术介绍
传统的3D晶圆级封装多采用扇入型(Fan-in)型态，应用于低接脚数的IC。但伴随IC讯号输出接脚数目增加，对锡球间距的要求趋于严格，加上印刷电路板构装对于IC封装后尺寸需求以及讯号输出接脚位置的调整需求，从而变化衍生出扇出型(Fan-out)等各式新型3D晶圆级封装型态，其制程甚至跳脱传统封装概念。扇出型3D晶圆级封装技术是先将芯片作切割分离，然后将芯片按照一定间距重构到新的晶圆或面板上，接着进行塑封以形成面板。虽然扇出型3D晶圆级封装可满足更多I/O数量之需求，但是在进行曝光时，一个曝光场内往往有多个芯片，一次曝光需要平衡补偿多个芯片的水平偏差。然而在现有技术中，很难实现一次曝光能同时平衡补偿多个芯片的水平偏差。因此，急需提供一种新的封装结构，以解决现有技术中芯片的位置精确度不够、热膨胀系数不匹配、晶圆的翘曲等问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种封装结构，以解决现有技术中芯片的位置精确度不够、热膨胀系数不匹配、晶圆的翘曲等问题。为了达到上述目的，本技术提供了一种封装结构，包括：载片、芯片及塑封材料层；所述载片中具有若干凹槽，所述凹槽的尺寸适于容纳所述芯片，所述凹槽沿所述芯片放置方向依次分为第一部分和第二部分，所述第一部分的尺寸沿所述芯片放置方向变小，所述第二部分的尺寸不变；所述芯片设置在所述凹槽中，所述芯片背面与所述凹槽底部接触；所述塑封材料层覆盖在所述芯片及所述载片上，并填充到所述芯片与载片中间的间隙中。可选的，在所述封装结构中，所述凹槽第二部分的正投影容纳所述芯片的正投影。可选的，在所述封装结构中，所述芯片正面设置有焊垫。可选的，在所述封装结构中，所述封装结构还包括凸块，所述凸块设置在所述塑封材料层上面，并与贯穿所述塑封材料层的焊垫相连。可选的，在所述封装结构中，所述塑封材料层包括环氧树脂塑封材料层。可选的，在所述封装结构中，所述封装结构还包括增粘材料层，所述增粘材料层设置在所述凹槽低部，所述载片与所述芯片之间。可选的，在所述封装结构中，所述增粘材料层包括合成树脂增粘材料层或合成橡胶增粘材料层。可选的，在所述封装结构中，所述载片包括晶圆类载片或面板类载片。本技术提供的封装结构中，所述载片中具有若干凹槽，所述凹槽的尺寸适于容纳所述芯片，所述凹槽沿所述芯片放置方向依次分为第一部分和第二部分，所述第一部分的尺寸沿所述芯片放置方向变小，所述第二部分的尺寸不变；所述芯片设置在所述凹槽中，所述芯片背面与所述凹槽底部接触；所述塑封材料层覆盖在所述芯片及所述载片上，并填充到所述芯片与载片中间的间隙中。在键合工艺中，通过在载片上加工一种斜坡下带有垂直结构的凹槽，实现自动对准，芯片会自动滑落到凹槽的垂直结构中，带有垂直结构的凹槽能够固定芯片位置，使得芯片在键合完成后不易滑出固定位置，从而使得键合工艺更加稳固，该过程能将键合精度由微米级提升到亚微米级。本申请提高了键合工艺位置的精确度，通过采用斜坡下带有垂直结构的凹槽，避免了热膨胀系数不匹配、晶圆的翘曲等问题。附图说明图1为本技术实施例提供的扇出型芯片封装的结构图；图2为本技术实施例提供的芯片键合示意图；图3为本技术实施例提供的扇出型芯片封装图；其中，101-凹槽；102-载片；201-芯片；202-焊垫；203-塑封材料层。具体实施方式下面将结合示意图对本技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。请参考图1、图2和图3，图1为本技术实施例提供的扇出型芯片封装的结构图；图2为本技术实施例提供的芯片键合示意图；图3为本技术实施例提供的扇出型芯片封装图。本技术提供了一种封装结构，包括：载片102、芯片201及塑封材料层203；所述载片102中具有若干凹槽101，所述凹槽101的尺寸适于容纳所述芯片201，所述凹槽101沿所述芯片201放置方向依次分为第一部分和第二部分，所述第一部分的尺寸沿所述芯片201放置方向变小，所述第二部分的尺寸不变；所述芯片201设置在所述凹槽101中，所述芯片201背面与所述凹槽101底部接触；所述塑封材料层203覆盖在所述芯片201及所述载片102上，并填充到所述芯片201与载片102中间的间隙中。具体的，所述凹槽101的第一部分尺寸沿所述芯片201放置方向变小，而第一部分中最小的尺寸足以容纳所述芯片201，因此其间隙至少包括所述芯片201未能填充的第一部分的部分空间，在本技术中，所述塑封材料层203的在塑封的过程中，需要将此类间隙填充。进一步的，所述凹槽101的深度大于或小于所述芯片201的厚度。具体的，所述芯片201可以部分地嵌入所述载片102的凹槽101中，此时所述塑封材料层203在所述载片102上的厚度较大，包括所述芯片201超出的厚度和最终覆盖的厚度；所述芯片201也可以完全地嵌入所述凹槽101中，此时所述塑封材料层203可以较薄，仅仅需要覆盖所述芯片201即可。通常的，常规扇出型芯片201键合方法是将生产完成的集成电路芯片201切割成独立的芯片201，所述芯片201由键合设备分拣放置到载片102上。本技术中通过在载片102上加工一种斜坡下带有垂直结构的凹槽101，实现自动对准，芯片201会自动滑落到凹槽101的垂直结构中，带有垂直结构的凹槽101能够固定芯片201位置，使得芯片201在键合完成后不易滑出固定位置，从而使得键合工艺更加稳固，该过程能将键合精度由微米级提升到亚微米级。本申请提高了键合工艺位置的精确度。通过采用斜坡下带有垂直结构的凹槽101，还避免了热膨胀系数不匹配、晶圆的翘曲等问题。在所述封装结构中，所述凹槽101第二部分的正投影能够容纳所述芯片201的正投影。具体的，在所述封装结构中，所述凹槽101第二部分的尺寸适于容纳所述芯片201。所述凹槽101的形状可以是圆台加圆柱体，也可以是方形台加长方体等。本技术对所述凹槽101的形状不做限制。通常的，所述芯片201为方形的，因此所述凹槽101第二部分的形状优选为长方体形状，且其上下表面的尺寸恰好能够容纳所述芯片201，使所述芯片201在所述凹槽101内位置稳固，并且在键合完成后不易滑出固定位置，从而使得键合工艺更加稳固，本结构能将键合精度由微米级提升到亚微米级。在所述封装结构中，所述芯片201正面设置有若干个由集成电路生产工艺加工生成的焊垫202。所述焊垫202位于主动电路结构上方，是电子电路表面组装技术，称为表面贴装或表面安装技术。所述焊垫202是通过回流焊或浸焊等方法加以焊接组装的电路装连技术，它将无引脚或短引线表面组装元器件安装在印制电路板的表面或其它基板的表面上。所述焊垫202用来构成电路板的图案，即各种为特殊元件类型设计的焊垫202组合。进一步的，在所述封装结构中，所述芯片201背面与所述凹槽101底部接触，所述芯片201的背面即与设置有所述焊垫202的面相对的一面，所述芯片201的背面与所述凹槽101第二部分的底部相接触。在本技术所提供的所述封装结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：载片、芯片及塑封材料层；所述载片中具有若干凹槽，所述凹槽的尺寸适于容纳所述芯片，所述凹槽沿所述芯片放置方向依次分为第一部分和第二部分，所述第一部分的尺寸沿所述芯片放置方向变小，所述第二部分的尺寸不变；所述芯片设置在所述凹槽中，所述芯片背面与所述凹槽底部接触；所述塑封材料层覆盖在所述芯片及所述载片上，并填充到所述芯片与载片中间的间隙中。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：载片、芯片及塑封材料层；所述载片中具有若干凹槽，所述凹槽的尺寸适于容纳所述芯片，所述凹槽沿所述芯片放置方向依次分为第一部分和第二部分，所述第一部分的尺寸沿所述芯片放置方向变小，所述第二部分的尺寸不变；所述芯片设置在所述凹槽中，所述芯片背面与所述凹槽底部接触；所述塑封材料层覆盖在所述芯片及所述载片上，并填充到所述芯片与载片中间的间隙中。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述凹槽第二部分的正投影容纳所述芯片的正投影。3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片正面设置有焊垫。...

【专利技术属性】
技术研发人员：章磊，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31