一种阵列基板、有机电致发光显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、有机电致发光显示面板及显示装置，在数据信号线和电源信号线之间设置耦合电容。当信号线上电压发生变化时，信号线电压变化引起像素电路中各个寄生电容的充电量变化，从而造成串扰时，设置的耦合电容，可以吸收一部分电荷，减小信号线电压的波动对其他信号线的影响，改善显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、有机电致发光显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、有机电致发光显示面板及显示装置。
技术介绍
目前，有源矩阵型有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDisplay，AMOLED)显示器具有广阔的市场应用。OLED面板中的像素是由驱动薄膜晶体管(DrivingThinFilmTransistor，DTFT)在饱和状态下所产生的电流进行驱动发光的。在OLED面板中信号线之间会存在寄生电容，信号线上的电压变化会引起像素电路中各寄生电容充电量的变化，从而造成串扰，影响显示效果。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板、有机电致发光显示面板及显示装置，用以解决现有的OLED中信号线的电压变化造成的串扰问题。因此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：多个呈阵列排布的像素电路，分别与所述像素电路连接的数据信号线、栅极信号线和电源信号线；所述像素电路包括：驱动晶体管、开关晶体管、发光器件、存储电容和耦合电容；其中，所述开关晶体管的栅极与所述栅极信号线相连，源极与所述数据信号线相连，漏极与所述驱动晶体管的栅极相连；所述驱动晶体管的源极与所述电源信号线相连，漏极与所述发光器件的阳极相连；所述发光器件的阴极与所述阴极信号线相连；所述存储电容连接于所述电源信号线和所述驱动晶体管的栅极之间；所述耦合电容连接于所述电源信号线和所述数据信号线之间。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述耦合电容包括：耦合电极；所述耦合电极与所述数据信号线之间存在第一交叠区域，所述耦合电极与所述电源信号线之间存在第二交叠区域；所述耦合电极与所述数据信号线在所述第一交叠区域通过过孔相连；所述耦合电极与所述电源信号线在所述第二交叠区域构成所述耦合电容。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述耦合电容包括：耦合电极；所述耦合电极与所述数据信号线之间存在第一交叠区域，所述耦合电极与所述电源信号线之间存在第二交叠区域；所述耦合电极与所述数据信号线在所述第一交叠区域构成所述耦合电容；所述耦合电极与所述电源信号线在所述第二交叠区域通过过孔相连。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述耦合电容包括：耦合电极；所述耦合电容包括串联的第一耦合电容和第二耦合电容；所述耦合电极与所述数据信号线之间存在第一交叠区域，所述耦合电极与所述电源信号线之间存在第二交叠区域；所述耦合电极与所述数据信号线在所述第一交叠区域构成所述第一耦合电容；所述耦合电极与所述电源信号线在所述第二交叠区域构成所述第二耦合电容。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述耦合电极位于所述像素电路中的导电膜层。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述耦合电极位于所述栅极金属层、有源层、阳极层、或电容电极层；其中，当所述耦合电极位于所述有源层时，所述耦合电极为注入离子的半导体层。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述耦合电极所在膜层为第一导电层，所述数据信号线和所述电源信号线所在膜层为第二导电膜层，所述第一导电膜层和所述第二导电膜层之间存在绝缘层；所述绝缘层在所述第一交叠区域和所述第二交叠区域所在位置处具有凹槽。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述第一导电膜层为阳极层，所述绝缘层为平坦化层。另一方面，本专利技术实施例还提供了一种有机电致发光显示面板，包括本专利技术实施例提供的上述阵列基板。另一方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述有机电致发光显示面板。本专利技术实施例的有益效果包括：本专利技术实施例提供的一种阵列基板、有机电致发光显示面板及显示装置，在数据信号线和电源信号线之间设置耦合电容。当信号线上电压发生变化时，信号线电压变化引起像素电路中各个寄生电容的充电量变化，从而造成串扰时，设置的耦合电容，可以吸收一部分电荷，减小信号线电压的波动对其他信号线的影响，改善显示效果。附图说明图1为现有技术中的像素电路的电路示意图；图2为本专利技术实施例提供的阵列基板中像素电路的电路示意图；图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的一种俯视示意图；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的另一种俯视示意图；图5为本专利技术实施例提供的阵列基板的另一种俯视示意图；图6为本专利技术实施例提供的图3中沿AA的一种截面示意图；图7为本专利技术实施例提供的图4中沿AA的一种截面示意图；图8为本专利技术实施例提供的图5中沿AA的一种截面示意图；图9为本专利技术实施例提供的图3中沿AA的另一种截面示意图；图10为本专利技术实施例提供的图3中沿AA的另一种截面示意图；图11为本专利技术实施例提供的图3中沿AA的另一种截面示意图；图12为本专利技术实施例提供的有机电致发光显示面板的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。OLED发光器件是电流驱动的器件，如图1所示，现有的OLED像素电路具有一个开关晶体管T1，一个驱动晶体管T2，一个存储电容Cs，一个发光器件F。流经发光器件F的电流驱动晶体管T2的栅极电压VG的波动会对Id的大小产生影响。多种因素都会造成VG波动，比如栅极信号线Gate与驱动晶体管T2的栅极(或开关晶体管T1的漏极)之间存在寄生电容，栅极信号线Gate上的电压变化会造成驱动晶体管T2的栅极电压的波动。在一些复杂的像素电路中，例如6T1C，7T1C的像素电路中，驱动晶体管T2的栅极与多种信号线之间都存在寄生电容，这些信号线上电压的变化会造成驱动晶体管T2的栅极电压波动。并且多种信号线之间也存在寄生电容，一种信号线上电压的变化会通过寄生电容的充放电影响其他信号线上的电压，从而造成串扰。本专利技术实施例提供的一种阵列基板，包括：多个呈阵列排布的像素电路，分别与像素电路连接的数据信号线Data、栅极信号线Gate和电源信号线VDD；如图2所示，像素电路包括：驱动晶体管T2、开关晶体管T1、发光器件F、存储电容Cs和耦合电容Cc；其中，开关晶体管T1的栅极与栅极信号线Gate相连，源极与数据信号线Data相连，漏极与驱动晶体管T2的栅极相连；驱动晶体管T2的源极与电源信号线VDD相连，漏极与发光器件F的阳极相连；发光器件F的阴极与阴极信号线VSS相连；存储电容Cs连接于电源信号线VDD和驱动晶体管T2的栅极之间；耦合电容Cc连接于电源信号线VDD和数据信号线Data之间。具体地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，在数据信号线Data和电源信号线VDD之间设置耦合电容Cc。当信号线上电压发生变化时，信号线电压变化引起像素电路中各个寄生电容的充电量变化，从而造成串扰时，设置的耦合电容Cc，可以吸收一部分电荷，减小信号线电压的波动对其他信号线的影响，改善显示效果。具体地，图2中仅示出了一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：多个呈阵列排布的像素电路，分别与所述像素电路连接的数据信号线、栅极信号线、电源信号线和阴极信号线；所述像素电路包括：驱动晶体管、开关晶体管、发光器件、存储电容和耦合电容；其中，所述开关晶体管的栅极与所述栅极信号线相连，源极与所述数据信号线相连，漏极与所述驱动晶体管的栅极相连；所述驱动晶体管的源极与所述电源信号线相连，漏极与所述发光器件的阳极相连；所述发光器件的阴极与所述阴极信号线相连；所述存储电容连接于所述电源信号线和所述驱动晶体管的栅极之间；所述耦合电容连接于所述电源信号线和所述数据信号线之间。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：多个呈阵列排布的像素电路，分别与所述像素电路连接的数据信号线、栅极信号线、电源信号线和阴极信号线；所述像素电路包括：驱动晶体管、开关晶体管、发光器件、存储电容和耦合电容；其中，所述开关晶体管的栅极与所述栅极信号线相连，源极与所述数据信号线相连，漏极与所述驱动晶体管的栅极相连；所述驱动晶体管的源极与所述电源信号线相连，漏极与所述发光器件的阳极相连；所述发光器件的阴极与所述阴极信号线相连；所述存储电容连接于所述电源信号线和所述驱动晶体管的栅极之间；所述耦合电容连接于所述电源信号线和所述数据信号线之间。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述耦合电容包括：耦合电极；所述耦合电极与所述数据信号线之间存在第一交叠区域，所述耦合电极与所述电源信号线之间存在第二交叠区域；所述耦合电极与所述数据信号线在所述第一交叠区域通过过孔相连；所述耦合电极与所述电源信号线在所述第二交叠区域构成所述耦合电容。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述耦合电容包括：耦合电极；所述耦合电极与所述数据信号线之间存在第一交叠区域，所述耦合电极与所述电源信号线之间存在第二交叠区域；所述耦合电极与所述数据信号线在所述第一交叠区域构成所述耦合电容；所述耦合电极与所述电源信号线在所述第二交叠区域通过过孔相连。...

【专利技术属性】
技术研发人员：程鸿飞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11