一种片式电阻器及其制造方法技术

技术编号:19697966 阅读:34 留言:0更新日期:2018-12-08 12:47
本发明专利技术涉及一种片式电阻器及其制造方法,该片式电阻器包括:绝缘基板;第一正面电极,所述第一正面电极包括第一正面电极大电极和第一正面电极小电极,第一正面大电极和第一正面电极小电极分别设置于绝缘基板上表面两端且两者之间留有空隙;电阻层,所述电阻层覆盖部分第一正面电极且填充两个第一正面电极之间的空隙;第二正面电极,所述第二正面电极包括第二正面小电极和第二正面大电极,所述第二正面小电极与第一正面大电极面连接,所述第二正面大电极与第一正面电极小电极以及电阻层面连接;第一保护层,所述第一保护层覆盖部分第二正面电极大电极且填充两个第二正面电极之间的空隙。本发明专利技术提供的片式电阻器具有电阻值低和TCR水平高的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种片式电阻器及其制造方法
本专利技术涉及一种片式电阻器,尤其涉及一种具有低电阻值和低TCR的片式电阻器,及其制造方法。
技术介绍
近年来,随着便携式电话、摄像机、平板电脑的发展,对小型电子装置的需求日益增长。这些小型电子装置的性能与运用在这些电子装置中的电子器件直接相关,尤其是与超低阻值的片式电阻器的性能直接相关。片式超低阻通常有厚膜超低阻、合金膜超低阻、纯合金超低阻三个主流种类,按阻值覆盖划分厚膜超低阻覆盖1000mΩ≥R≥10mΩ,合金膜超低阻覆盖500mΩ≥R≥1mΩ,纯合金超低阻覆盖200mΩ≥R≥0.5mΩ。按TCR性能从高到低排序纯合金超低阻≥合金膜超低阻>厚膜超低阻。按功率性能从高到低排序纯合金超低阻>合金膜超低阻>厚膜超低阻。按成本从高到低排序纯合金超低阻>合金膜超低阻>厚膜超低阻。TCR值越低、性能越高,TCR值越高、性能越低。如图2所示,为现有常用的厚膜超低阻产品结构图,在基板100的下表面印刷一对背面银导电层601、602,在基板100上表面印刷一对正面银导电层201、202,然后烧成。在基板100表面印刷一层电阻层300,且与正面银导电层201、202搭接相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种片式电阻器,其特征在于,包括:绝缘基板;第一正面电极,所述第一正面电极包括第一正面电极大电极和第一正面电极小电极,第一正面大电极和第一正面电极小电极分别设置于绝缘基板上表面两端且两者之间留有空隙;电阻层,所述电阻层覆盖部分第一正面电极且填充两个第一正面电极之间的空隙;第二正面电极,所述第二正面电极包括第二正面小电极和第二正面大电极,所述第二正面小电极与第一正面大电极面连接,所述第二正面大电极与第一正面电极小电极以及电阻层面连接,两个第二正面电极之间留有空隙;第一保护层,所述第一保护层覆盖部分第二正面电极大电极且填充两个第二正面电极之间的空隙。

【技术特征摘要】
1.一种片式电阻器,其特征在于,包括:绝缘基板;第一正面电极,所述第一正面电极包括第一正面电极大电极和第一正面电极小电极,第一正面大电极和第一正面电极小电极分别设置于绝缘基板上表面两端且两者之间留有空隙;电阻层,所述电阻层覆盖部分第一正面电极且填充两个第一正面电极之间的空隙;第二正面电极,所述第二正面电极包括第二正面小电极和第二正面大电极,所述第二正面小电极与第一正面大电极面连接,所述第二正面大电极与第一正面电极小电极以及电阻层面连接,两个第二正面电极之间留有空隙;第一保护层,所述第一保护层覆盖部分第二正面电极大电极且填充两个第二正面电极之间的空隙。2.根据权利要求1所述的片式电阻器,其特征在于:所述片式电阻器还包括第二保护层,所述第二保护层覆盖第一保护层以及部分第二正面电极。3.根据权利要求1或2所述的片式电阻器,其特征在于:所述电阻层的厚度为10~50um。4.根据权利要求1或2所述的片式电阻器,其特征在于:所述第一正面电极、第二正面电极的材质为银钯合金,所述银钯合金中钯的重量百分百为0.1~30%。5.一种片式电阻器的制备方法,其特征在于,包括:在绝缘基板正面两端,采用厚膜印刷方式涂布...

【专利技术属性】
技术研发人员:麦俊林瑞芬练洁兰
申请(专利权)人:广东风华高新科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1