半导体部件以及白色发光二极管器件制造技术

实现可靠性高的半导体部件。半导体部件(10)具备半导体基板(20)、半导体元件部(21)、再布线层(30)以及绝缘层(40)。半导体基板(20)具有相互对置的第一面(201)和第二面(202)、以及与第一面(201)和第二面(202)正交的侧面(210)。半导体元件部(21)形成在半导体基板(20)的第一面(201)侧的区域。再布线层(30)形成在半导体基板(20)的第一面(201)。绝缘层(40)遍及半导体基板(20)的侧面(210)和第二面(202)而相接触。并且，绝缘层(40)与再布线层(30)中的与和半导体基板(20)相接触的面相反侧的半导体部件(10)的背面(301)不相关。

Semiconductor components and white light emitting diode devices

Semiconductor components with high reliability are realized. The semiconductor component (10) has a semiconductor substrate (20), a semiconductor component part (21), a rewiring layer (30) and an insulating layer (40). The semiconductor substrate (20) has first (201) and second (202) opposite to each other, and a side (210) orthogonal to the first (201) and second (202). The semiconductor element section (21) is formed in an area on the first side (201) side of the semiconductor substrate (20). The re-wiring layer (30) is formed on the first side (201) of the semiconductor substrate (20). The insulating layer (40) contacts the side (210) and the second side (202) of the semiconductor substrate (20). Moreover, the insulating layer (40) is not related to the back (301) of the semiconductor component (10) on the opposite side of the surface contacted with the semiconductor substrate (20) in the re-wiring layer (30).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体部件以及白色发光二极管器件
本技术涉及具备形成有半导体元件部的半导体基板和再布线层的半导体部件、具备该半导体部件的白色发光二极管器件以及半导体部件的制造方法。
技术介绍
随着电子部件的小型化，安装型的半导体部件也正在小型化。作为一个方法，有芯片尺寸封装，且已大量投入实际应用中。在芯片尺寸封装的半导体部件中，再布线层形成在半导体基板的一面。因此，半导体基板的侧面露出在外部，会成为可靠性降低的主要原因。作为解决该问题的结构，专利文献1、2所记载的半导体部件在半导体基板以及再布线层的侧面具备绝缘膜。专利文献1：日本特开2015－72943号公报专利文献2：日本特开2001－144213号公报然而，在由专利文献1、2的结构构成的半导体部件中，侧面的绝缘膜有时会因将半导体部件安装于电路基板时的冲击而脱落。另外，在安装了半导体部件的状态下，若对电路基板施加冲击，则侧面的绝缘膜有时会因该冲击而脱落。而且，半导体基板的材料和侧面的绝缘膜的材料不同，线膨胀系数也不同。因此，在半导体基板与侧面的绝缘膜的界面容易产生剥离。在专利文献2的结构中，侧面的绝缘膜也覆盖半导体部件的背面。该情况下，由于该剥离容易产生形成在半导体部件的背面的凸块的脱落这种不良状况、与凸块连接的金属柱(从再布线层的背面突出的导体)的破损这种不良状况。如上所述，在由专利文献1、2的结构构成的半导体部件中存在可靠性不稳定的方面。
技术实现思路
因此，本技术的目的在于提供可靠性高的半导体部件。该技术的半导体部件具备半导体基板、半导体元件部、再布线层以及绝缘层。半导体基板具有相互对置的第一面和第二面以及与第一面和第二面正交的侧面。半导体元件部形成在半导体基板的第一面侧的区域中。再布线层形成在半导体基板的第一面。绝缘层遍及半导体基板的侧面和第二面而相接触。并且，绝缘层是与再布线层中的与和半导体基板相接触的面相反侧的面不相关的形状。在该结构中，半导体基板通过绝缘层而不与外部的不期望的导体发生短路，几乎不产生绝缘层从半导体基板的脱落。另外，在该技术的半导体部件中，优选绝缘层从半导体基板的侧面遍及再布线层的侧面而相接触。在该结构中，进一步可靠地抑制绝缘层从半导体基板的脱落。另外，在该技术的半导体部件中，半导体元件部可以是利用pn接合的二极管。在该结构中，作为半导体部件，能够实现ESD保护部件。因此，能够实现可靠性高的ESD保护部件。另外，在该技术的半导体部件中，优选绝缘层为白色。在该结构中，照射到半导体部件的光保持原样地以低损失反射。因此，对在想要反射光的环境下配置半导体部件的情况有效。另外，该技术的白色发光二极管器件具备作为上述的ESD保护部件发挥功能的半导体部件、白色发光二极管、电路基板以及盖部件。白色发光二极管与半导体部件并联连接。电路基板安装有半导体部件和白色发光二极管。盖部件具有透光性。盖部件被配置在电路基板中的安装半导体部件和白色发光二极管的面侧。半导体部件和白色发光二极管被配置在由电路基板和盖部件封闭的空间内。半导体部件的绝缘层为白色。在该结构中，通过作为ESD保护部件发挥作用的半导体部件保护由过电流造成的白色发光二极管的破坏。另外，从白色发光二极管射出并传递到半导体部件的光被半导体部件的绝缘层反射。由此，抑制由半导体部件吸收光所造成的光的损失，白色发光二极管器件的发光效率提高。另外，该技术的半导体部件的制造方法具有如下的各工序。该制造方法具有在半导体基板的第一面侧的区域形成多个半导体元件部的工序。该制造方法具有通过在半导体基板的第一面形成针对多个半导体元件部的每一个具有再布线导体的再布线层，形成分别具有半导体元件部和再布线导体的多个功能部件的工序。该制造方法具有在半导体基板的与第一面对置的第二面粘贴切割胶带，并以比包括功能部件的最终形状的半导体部件的形状小的尺寸将半导体基板和再布线层切断而单片化为多个功能部件的工序。该制造方法具有将多个功能部件中的再布线层侧的外表面粘贴于保持板的表面的工序。该制造方法具有形成覆盖保持板的表面以及多个功能部件的绝缘性树脂材料的工序。该制造方法具有将绝缘性树脂材料切断而单片化为具备功能部件和绝缘性树脂材料的半导体部件的工序。在通过该制造方法制造的半导体部件中，绝缘层从半导体基板的侧面遍及第二面形成，且为与再布线层中的与和半导体基板相接触的面相反侧的面不相关的形状。因此，能够容易地制造具有这样的绝缘层的结构的可靠性高的半导体部件。根据该技术，能够实现可靠性高的半导体部件。附图说明图1是表示本技术的第一实施方式所涉及的半导体部件的主要结构的侧面剖视图。图2是本技术的第一实施方式所涉及的半导体部件的外观立体图。图3是表示本技术的第一实施方式所涉及的半导体部件的制造方法的流程图。在图4中，(A)是表示本技术的第一实施方式所涉及的半导体部件的功能部件的形成工序的侧面剖视图，(B)是表示本技术的第一实施方式所涉及的半导体部件的翻转配置的工序的侧面剖视图，(C)是表示本技术的第一实施方式所涉及的半导体部件的绝缘性树脂材料的形成工序的侧面剖视图，(D)是表示本技术的第一实施方式所涉及的半导体部件的薄膜化工序的侧面剖视图，(E)是表示对本技术的第一实施方式所涉及的分割为半导体部件的单片的分割工序的侧面剖视图。图5是表示本技术的实施方式所涉及的白色发光二极管器件的主要结构的侧面剖视图。具体实施方式参照附图对本技术的第一实施方式所涉及的半导体部件以及半导体部件的制造方法进行说明。图1是表示本技术的第一实施方式所涉及的半导体部件的主要结构的侧面剖视图。图2是本技术的第一实施方式所涉及的半导体部件的外观立体图。如图1、图2所示，半导体部件10具备半导体基板20、再布线层30以及绝缘层40。半导体基板20例如是Si基板。半导体基板20在俯视时呈矩形。半导体基板20具备第一面201、第二面202以及侧面210。第一面201和第二面202相互对置。侧面210是与第一面201和第二面202正交的面，将第一面201的各边与第二面202的各边连接。在半导体基板20的第一面201侧的区域形成有半导体元件部21。半导体元件部21为规定的深度以及平面形状。半导体元件部21使用已知的半导体工艺来形成。例如在图1所示的方式中，在半导体基板20的第一面201侧形成有规定的深度的n型半导体层(n型阱)。在n型半导体层内分开形成两个p型半导体部。两个p型半导体部在第一面201露出。这两个p型半导体部的露出部是由半导体元件部21形成的半导体元件的输入输出端子。根据该结构，形成相互连接阴极且阳极分别在第一面201露出的两个pn接合的二极管。由此，半导体部件10能够被作为ESD保护元件来利用。再布线层30在俯视时呈矩形，其面积与半导体基板20的面积相同。再布线层30与半导体基板20的第一面201相接触而接合。再布线层30具备绝缘层31、32以及再布线导体341、342。更具体而言，绝缘层31和绝缘层32从第一面201侧起按该顺序层叠。绝缘层31例如由SiO2构成。可以将半导体基板20的钝化层作为绝缘层31。绝缘层32例如由绝缘性树脂构成。再布线导体341、342例如由Al构成。再本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体部件，其特征在于，具备：半导体基板，具有相互对置的第一面和第二面、以及与所述第一面和所述第二面正交的侧面；半导体元件部，形成在所述半导体基板的所述第一面侧的区域；再布线层，形成在所述半导体基板的所述第一面；以及绝缘层，遍及所述半导体基板的所述侧面和所述第二面而相接触，所述绝缘层是与所述再布线层中的与和所述半导体基板相接触的面相反侧的面不相关的形状。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.16 JP 2016-1198901.一种半导体部件，其特征在于，具备：半导体基板，具有相互对置的第一面和第二面、以及与所述第一面和所述第二面正交的侧面；半导体元件部，形成在所述半导体基板的所述第一面侧的区域；再布线层，形成在所述半导体基板的所述第一面；以及绝缘层，遍及所述半导体基板的所述侧面和所述第二面而相接触，所述绝缘层是与所述再布线层中的与和所述半导体基板相接触的面相反侧的面不相关的形状。2.根据权利要求1所述的半导体部件，其特征在于，所述绝缘层从所述半导体基板的侧面遍及所述再布线层的侧面而相接触。3.根据权利要求1或者权利要求2所述的半导体部件，其特征在于，所述半导体元件部是利用pn接合的二极管。4.根据权利要求1或者权利要求2所述的半导体部件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：中矶俊幸，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：日本,JP