阵列基板、显示面板及其制造方法技术

本申请涉及阵列基板、显示面板及其制造方法，所述阵列基板包括基板，阵列在基板上的多个主动开关、形成于主动开关上的彩色滤光层、位于彩色滤光层上的间隔单元层、及形成于彩色滤光层及间隔单元层上的电极层，所述基板包括显示区和非显示区，所述电极层包括位于显示区的第一电极层和位于非显示区的第二电极层。本发明专利技术提供的阵列基板、显示面板及其制造方法，通过将电极层形成于间隔单元层上，增大了讯号线与电极层之间的距离，使得电容变小，降低了下基板的讯号线的负载，同时，可省略金球材料及涂布制程，以此降低阵列基板的材料及成本。

Array Substrate, Display Panel and Its Manufacturing Method

The present application relates to an array substrate, a display panel and a manufacturing method thereof. The array substrate includes a substrate, a plurality of active switches on the array substrate, a color filter layer formed on the active switch, a spacer layer located on the color filter layer, and an electrode layer formed on the color filter layer and spacer layer. The substrate comprises a display area and a non-display area, and the electrode layer comprises a first electrode layer located in the display area and a second electrode layer located in the non-display area. The array substrate, display panel and its manufacturing method provided by the invention increase the distance between the signal line and the electrode layer by forming the electrode layer on the spacer unit layer, make the capacitance smaller, reduce the load of the signal line of the lower substrate, and omit the golden ball material and coating process, thereby reducing the array substrate. Material and cost.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及其制造方法
本申请涉及显示
，尤其涉及阵列基板、显示面板及其制造方法。
技术介绍
液晶显示面板通常包括上基板、下基板及配置于两基板间的液晶层，其工作原理是通过在两个基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转。液晶显示面板容易因上下板错位而导致色彩不均、显示效果不佳等不良现象，行业内常采用在阵列上的彩色滤光膜技术(COA，ColorFilteronArray)及在阵列上的间隔物技术(POA，PSonArray)来改善这些不良现象，并且将COA和POA制程工艺中的工序集中在下基板，以更加简化上基板的结构，降低不良现象出现的机率。传统的COA+POA技术中的阵列工艺，按照的是薄膜晶体管(TFT，thinfilmtransistor)制程、彩色滤光层(colorfilter)制程、电极层(PE，PixelElectrode制程、间隔单元层(PS，PhotoSpacer)制程的顺序，其中，PS制程会安排在PE制程完成之后。由于PS制程在PE制程的后面，间隔单元形成于电极层上，这种结构下所对应的下基板的讯号线(未图示)负载较大，从而增加了液晶显示面板的材料及成本。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供阵列基板、显示面板及其制造方法，降低基板讯号线的负载。本专利技术提供一种阵列基板，包括：基板，包括显示区和非显示区；多个主动开关，阵列在所述基板上；彩色滤光层，阵列于所述基板上且形成于所述多个主动开关上；间隔单元层，形成于所述彩色滤光层上；电极层，形成于所述彩色滤光层及所述间隔单元层上，所述电极层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层位于所述显示区，所述第二电极层位于所述非显示区。在一个实施例中，所述间隔单元层包括多个间隔单元，所述第一电极层包括覆盖于所述间隔单元上的第一电极区域。在一个实施例中，所述第一电极区域覆盖所述间隔单元包括：所述第一电极区域覆盖于所述间隔单元的侧面和/或上端面。在一个实施例中，所述第一电极区域形成于至少部分所述间隔单元上。在一个实施例中，所述第一电极层还包括形成于所述色阻单元上的第二电极区域，所述第二电极区域和所述第一电极区域连接。在一个实施例中，所述第二电极层和所述第一电极层之间绝缘。本专利技术还提供一种显示面板，包括：第一基板，包括公共电极层；第二基板，包括上述阵列基板，所述第二基板与所述第一基板对向设置；所述第二电极层与所述公共电极层连接导通。本专利技术还提供一种阵列基板的制造方法，包括如下步骤：提供一基板，在所述基板上形成多个主动开关；在所述基板上形成彩色滤光层；形成间隔单元层于所述彩色滤光层上；形成电极层于所述彩色滤光层及所述间隔单元层上，包括：在所述基板的显示区形成第一电极层，在所述基板的非显示区形成第二电极层。在一实施例中，在所述基板上形成多个色阻单元构成所述彩色滤光层，在至少部分所述色阻单元上形成间隔单元，多个所述间隔单元构成所述间隔单元层。在一个实施例中，所述第一电极层包括形成于所述间隔单元上的第一电极区域，所述第一电极区域形成于所述间隔单元的侧面和/或上端面。为解决上述技术问题，本专利技术提供了阵列基板、显示面板及其制造方法，通过将电极层形成于间隔单元层上，增大了讯号线与电极层之间的距离，使得电容变小，降低了下基板的讯号线的负载，同时，可省略金球材料及涂布制程，以此降低阵列基板的材料及成本。附图说明图1为本专利技术一实施例提供的阵列基板显示区的剖面结构示意图。图2为本专利技术一实施例提供的显示面板非显示区的剖面结构示意图。图3为本专利技术一实施例提供的一阵列基板的制造方法的流程示意图。图4为本专利技术另一实施例提供的一液晶显示面板的制造方法的流程示意图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。本专利技术所提到的方向用语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。为了理解和便于描述，附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本专利技术不限于此。在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当例如层、膜、区域或基底的组件被称作“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上，或者也可以存在中间组件。另外，在说明书中，除非明确地描述为相反的，否则词语“包括”将被理解为意指包括所述组件，但是不排除任何其它组件。此外，在说明书中，“在……上”意指位于目标组件上方或者下方，而不意指必须位于基于重力上方的顶部上。为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的一种阵列基板、显示面板及制造方法其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。如图1和图2所示，本专利技术一实施例提供了一种阵列基板，包括一基板10、形成于基板10上的主动开关20、形成于主动开关20上的彩色滤光层30、形成于彩色滤光层30上的间隔单元层50，及形成于彩色滤光层30及间隔单元层50上的电极层60。本实施例提供的阵列基板可进一步用于制成显示面板，比如液晶显示面板。以下针对本专利技术实施例提供的阵列基板内的各个组件及组件之间的位置关系作具体说明。在一实施例中，基板10由玻璃材料制成，包括显示区和非显示区。在本实施例中，主动开关20为薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)层，其主要用于控制液晶的站立角度。具体的，薄膜晶体管层是在基板10上沉积一层薄膜当作通道区，其包括栅极210、源极220及漏极230，栅极210上设置有栅极绝缘层211，源极220和漏极230均设置在栅极绝缘层211上。薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管，其工作原理大致如下：当栅极210施以正电压时，栅极正电压在栅极绝缘层211中产生电场，电力线由栅极210指向半导体有源层212的表面，并在表面处产生感应电荷。随着栅电压增加，半导体有源层212中形成反型层。当达到强反型时(即达到开启电压时)，源极220、漏极230间加上电压就会有载流子通过沟道。当源极220、漏极230间电压(以下简称源漏电压)很小时，导电沟道近似为一恒定电阻，漏电流随源漏电压增加而线性增大。当源漏电压很大时，它会对栅电压产生影响，使得栅极绝缘层211中电场由源端到漏端逐渐减弱，薄膜晶体管层的表面反型层中电子由源端到漏端逐渐减少，沟道电阻随着源漏电压增大而增加。漏电流增加变得缓慢，对应线性区向饱和区过渡。当源漏电压增到一定程度，漏端反型层厚度减为零，电压在增加，器件进入饱和区。在实际液晶显示面板的生产中，薄膜晶体管层大多使用氢化非晶硅(a-Si:H)作为主要材料，其主要利用a-Si:HTFT的开态(大于开启电压)对电极层60快速充电，利用关态来保持电极层60的电压，从而实现快速响应和良好存储的统一。在一实施例中，薄膜晶体管层在电极及内部接线使用铟锡氧化物(ITO)。在一实施例中，基板10还包括设置在薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板，包括显示区和非显示区；多个主动开关，阵列于所述基板上；彩色滤光层，阵列于所述基板上且形成于所述多个主动开关上；间隔单元层，形成于所述彩色滤光层上；电极层，形成于所述彩色滤光层及所述间隔单元层上，所述电极层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层位于所述显示区，所述第二电极层位于所述非显示区。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板，包括显示区和非显示区；多个主动开关，阵列于所述基板上；彩色滤光层，阵列于所述基板上且形成于所述多个主动开关上；间隔单元层，形成于所述彩色滤光层上；电极层，形成于所述彩色滤光层及所述间隔单元层上，所述电极层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层位于所述显示区，所述第二电极层位于所述非显示区。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述间隔单元层包括多个间隔单元，所述第一电极层包括覆盖于所述间隔单元上的第一电极区域。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极区域覆盖所述间隔单元包括：所述第一电极区域覆盖于所述间隔单元的侧面和/或上端面。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极区域形成于至少部分所述间隔单元上。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层还包括形成于所述色阻单元上的第二电极区域，所述第二电极区域和所述第一电极区域连接。6.根据权利要求1所述的阵列基板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄北洲，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44