一种像素结构及阵列基板制造技术

本申请提供了一种像素结构及阵列基板，所述像素结构包括：一个电子开关器件；像素电极，与所述电子开关器件电性连接，所述像素电极包括多个子像素电极区域，不同的所述子像素电极区域的透过率相异；栅极线，设置于所述像素电极的一侧，与所述电子开关器件电性连接；以及数据线，设置于所述像素电极的另一侧，与所述电子开关器件电性连接。本申请通过提供一种仅包括一个电子开关器件的像素结构，并将像素电极划分为多个子像素电极区域，使不同的子像素电极区域的透过率不同，可以有效减少显示色彩偏差并提高开口率，从而提高画面品质。

【技术实现步骤摘要】
一种像素结构及阵列基板
本申请属于显示
，尤其涉及一种像素结构及阵列基板。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，各种显示装置层出不穷，为人们的生产和生活带来了极大便利。例如，TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器，thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay)。通常采用多畴像素电极结构，来使液晶分子在配向后沿多个不同的方向倾斜，从而有效提高背光的透过率，可以适用于广视角显示装置，解决广视角显示装置的色偏现象。然而，采用多畴像素电极结构时，通常需要依靠多个薄膜晶体管对像素电极的不同区域分别进行开关控制，多个薄膜晶体管会占用较多的像素面积，从而降低整个显示装置的开口率，开口率的降低会降低显示装置的画面品质。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供了一种像素结构及阵列基板，以解决采用多畴像素电极结构时，通常需要依靠多个薄膜晶体管对像素电极的不同区域分别进行开关控制，多个薄膜晶体管会占用较多的像素面积，从而降低整个显示装置的开口率，开口率的降低会降低显示装置的显示效果的问题。本申请实施例提供了一种像素结构，其包括：一个电子开关器件；像素电极，与所述电子开关器件电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：一个电子开关器件；像素电极，与所述电子开关器件电性连接，所述像素电极包括多个子像素电极区域，所述多个子像素电极区域的透过率相异；栅极线，设置于所述像素电极的一侧，与所述电子开关器件电性连接；以及数据线，设置于所述像素电极的另一侧，与所述电子开关器件电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：一个电子开关器件；像素电极，与所述电子开关器件电性连接，所述像素电极包括多个子像素电极区域，所述多个子像素电极区域的透过率相异；栅极线，设置于所述像素电极的一侧，与所述电子开关器件电性连接；以及数据线，设置于所述像素电极的另一侧，与所述电子开关器件电性连接。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述子像素电极区域包括：封闭式电极线边框，由多条边框电极线首尾连接构成，相邻的所述子像素电极区域共用一条边框电极线；以及多条取向电极线，倾斜设置在所述封闭式电极线边框中，所述多条取向电极线相互平行、线间距相同且线宽相同。3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述多个子像素电极区域中的若干子像素电极区域构成所述像素电极的主区域，剩余子像素电极区域构成所述像素电极的分区域；其中，所述主区域中的所有子像素电极区域相互邻接，所述分区域中的所有子像素电极区域相互邻接，所述主区域中的取向电极线的线宽大于所述分区域中的取向电极线的线宽。4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，位于所述主区域和所述分区域交界处的边框电极线上开有狭缝。5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泽尧，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，重庆惠科金渝光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44