一种像素结构及阵列基板制造技术

本申请提供了一种像素结构及阵列基板，所述像素结构包括：一个电子开关器件；像素电极，与所述电子开关器件电性连接，所述像素电极包括多个子像素电极区域，不同的所述子像素电极区域的透过率相异；栅极线，设置于所述像素电极的一侧，与所述电子开关器件电性连接；以及数据线，设置于所述像素电极的另一侧，与所述电子开关器件电性连接。本申请通过提供一种仅包括一个电子开关器件的像素结构，并将像素电极划分为多个子像素电极区域，使不同的子像素电极区域的透过率不同，可以有效减少显示色彩偏差并提高开口率，从而提高画面品质。

【技术实现步骤摘要】
一种像素结构及阵列基板
本申请属于显示
，尤其涉及一种像素结构及阵列基板。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，各种显示装置层出不穷，为人们的生产和生活带来了极大便利。例如，TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器，thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay)。通常采用多畴像素电极结构，来使液晶分子在配向后沿多个不同的方向倾斜，从而有效提高背光的透过率，可以适用于广视角显示装置，解决广视角显示装置的色偏现象。然而，采用多畴像素电极结构时，通常需要依靠多个薄膜晶体管对像素电极的不同区域分别进行开关控制，多个薄膜晶体管会占用较多的像素面积，从而降低整个显示装置的开口率，开口率的降低会降低显示装置的画面品质。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供了一种像素结构及阵列基板，以解决采用多畴像素电极结构时，通常需要依靠多个薄膜晶体管对像素电极的不同区域分别进行开关控制，多个薄膜晶体管会占用较多的像素面积，从而降低整个显示装置的开口率，开口率的降低会降低显示装置的显示效果的问题。本申请实施例提供了一种像素结构，其包括：一个电子开关器件；像素电极，与所述电子开关器件电性连接，所述像素电极包括多个子像素电极区域，所述多个子像素电极区域的透过率相异；栅极线，设置于所述像素电极的一侧，与所述电子开关器件电性连接；以及数据线，设置于所述像素电极的另一侧，与所述电子开关器件电性连接。在一个实施例中，所述子像素电极区域包括：封闭式电极线边框，由多条边框电极线首尾连接构成，相邻的所述子像素电极区域共用一条边框电极线；以及多条取向电极线，倾斜设置在所述封闭式电极线边框中，所述多条取向电极线相互平行、线间距相同且线宽相同。在一个实施例中，所述多个子像素电极区域中的若干子像素电极区域构成所述像素电极的主区域，剩余子像素电极区域构成所述像素电极的分区域；其中，所述主区域中的所有子像素电极区域相互邻接，所述分区域中的所有子像素电极区域相互邻接，所述主区域中的取向电极线的线宽大于所述分区域中的取向电极线的线宽。在一个实施例中，位于所述主区域和所述分区域交界处的边框电极线上开有狭缝。在一个实施例中，所述主区域包括的子像素电极区域的数量等于所述分区域的子像素电极区域的数量。在一个实施例中，相邻的所述子像素电极区域中的取向电极线以共用的边框电极线为对称轴对称分布。在一个实施例中，所述像素电极包括的子像素电极区域的数量大于或等于四个。在一个实施例中，所述一个电子开关器件包括栅极、漏极、源极和有源层，所述有源层设置在所述栅极与所述漏极和所述源极之间；所述像素电极与所述漏极电性连接，所述栅极线与所述栅极电性连接，所述数据线与所述源极电性连接。在一个实施例中，所述像素结构还包括：栅绝缘层，设置在所述有源层与所述栅极和所述栅极线之间；保护层，设置在所述像素电极与所述数据线、所述源极和所述漏极之间，所述像素电极通过所述保护层的过孔与所述漏极电性连接。本申请还提供一种阵列基板，其包括：基板；以及多个上述的像素结构，所述像素结构设置于所述基板且呈阵列形式排布，相邻的所述栅极线电连接且相邻的所述数据线电连接。本申请实施例通过提供一种仅包括一个电子开关器件的像素结构，并将像素电极划分为多个子像素电极区域，使不同的子像素电极区域的透过率不同，可以有效减少显示色彩偏差并提高开口率，从而提高画面品质。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请的一个实施例提供的像素电极的结构示意图；图2是本申请的另一个实施例提供的像素电极的结构示意图；图3是本申请的一个实施例提供的像素结构的结构示意图；图4是本申请的另一个实施例提供的像素结构的结构示意图；图5是本申请的一个实施例提供的阵列基板的结构示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含一系列步骤或单元的过程、方法或系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外，术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同对象，而非用于描述特定顺序。如图1所示，本申请实施例提供一种像素电极10，其应用于单个像素、阵列基板或显示装置时，只需要与电子开关器件电性连接，即可在有效减少色彩偏差的前提下，实现对单个像素的液晶分子的驱动，从而减少采用多畴像素电极结构时，需要的电子开关器件个数，提高透光面积在整个像素面积中的占比，降低开口率；其中，开口率＝透光面积/像素面积。在应用中，电子开关器件可以为任意的可以适用于显示装置的能够实现电子开关作用的器件，例如，双极性结型晶体管(bipolarjunctiontransistor，BJT)、场效应晶体管(FieldEffectTransistor，FET)或薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)等。当应用于液晶显示器时，可以选用薄膜晶体管。在一个实施例中，所述像素电极与所述电子开关器件的漏电极电性连接。如图1所示，在本实施例中，像素电极10包括多个子像素电极区域，不同的子像素电极区域的透过率相异。在应用中，子像素电极区域的数量可以根据实际需要进行设置，子像素电极区域的个数即为像素电极的畴数，例如，两畴像素电极包括两个子像素电极区域，四畴像素电极包括四个子像素电极区域，八畴像素电极包括八个子像素电极区域。在一个实施例中，所述像素电极包括的子像素电极区域的数量大于或等于四个。图1中，示例性的示出像素电极10包括八个子像素电极区域11。在应用中，子像素电极区域可以按照任意方式划分，即像素电极中的子像素区域可以按照任意形式排列，只要所有子像素区域整体上构成一个完整的像素电极即可。子像素区域的形状也可以按照任意方式设置，只要保证不同的子像素区域不重叠即可。在应用中，为了使液晶分子在配向后有规律的沿多个不同的方向倾斜，而不是杂乱无章的倾斜，可以尽量的将像素电极划分为多个规则排列且对称分布的子像素区域，并且还应当尽量的将子像素区域设置为规则的形状，例如，三角形、四边形、正五边形或正六边形等。图1中，示例性的示出子像素电极区域11为矩形。如图1所示，在本实施例中，子像素电极区域10包括封闭式电极线边框111和多条取向电极线112；其中，封闭式电极线边框111由多条边框电极线首尾连接构成，相邻的子像素电极区域共用一条边框电极线；多条取向电极线112倾斜设置在封闭式电极线边框112中，多条取向电极线112相互平行、线间距相同且线宽相同；不同的子像素电极区域11本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：一个电子开关器件；像素电极，与所述电子开关器件电性连接，所述像素电极包括多个子像素电极区域，所述多个子像素电极区域的透过率相异；栅极线，设置于所述像素电极的一侧，与所述电子开关器件电性连接；以及数据线，设置于所述像素电极的另一侧，与所述电子开关器件电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：一个电子开关器件；像素电极，与所述电子开关器件电性连接，所述像素电极包括多个子像素电极区域，所述多个子像素电极区域的透过率相异；栅极线，设置于所述像素电极的一侧，与所述电子开关器件电性连接；以及数据线，设置于所述像素电极的另一侧，与所述电子开关器件电性连接。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述子像素电极区域包括：封闭式电极线边框，由多条边框电极线首尾连接构成，相邻的所述子像素电极区域共用一条边框电极线；以及多条取向电极线，倾斜设置在所述封闭式电极线边框中，所述多条取向电极线相互平行、线间距相同且线宽相同。3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述多个子像素电极区域中的若干子像素电极区域构成所述像素电极的主区域，剩余子像素电极区域构成所述像素电极的分区域；其中，所述主区域中的所有子像素电极区域相互邻接，所述分区域中的所有子像素电极区域相互邻接，所述主区域中的取向电极线的线宽大于所述分区域中的取向电极线的线宽。4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，位于所述主区域和所述分区域交界处的边框电极线上开有狭缝。5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泽尧，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，重庆惠科金渝光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44