基于MEMS工艺的漏电流传感芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种基于MEMS工艺的漏电流传感芯片，包括感应线圈、环状磁芯和缠绕于所述环状磁芯的环状线圈。所述环状磁芯的内部贯穿有第一导线和第二导线，所述第一导线和第二导线的电流方向相反。各个感应线圈靠近环状磁芯并且均位于环状磁芯的一侧，各个铁芯靠近环状磁芯并且均位于环状磁芯的另一侧，使得感应线圈内部由感应产生的感应数据符合被进一步处理的需要。本发明专利技术公开的基于MEMS工艺的漏电流传感芯片，将漏电流传感器升级为漏电流传感芯片，显著地缩小尺寸和占用空间。同时，该漏电流传感芯片面向平面设计目标，适应芯片形态，从传统的立体构型升级为平面构型。

Leakage Current Sensor Chip Based on MEMS Technology

The invention discloses a leakage current sensing chip based on a MEMS process, which comprises an induction coil, a ring magnetic core and a ring coil wound around the ring magnetic core. The inner part of the annular magnetic core is penetrated by a first conductor and a second conductor, and the current direction of the first conductor and the second conductor is opposite. Each induction coil is close to the annular core and is located on one side of the annular core. Each iron core is close to the annular core and is located on the other side of the annular core, which makes the induction data generated by induction in the induction coil meet the needs of further processing. The leakage current sensor chip based on the MEMS technology disclosed in the present invention upgrades the leakage current sensor to a leakage current sensor chip, thereby significantly reducing the size and occupying space. At the same time, the leakage current sensor chip is oriented to the planar design goal, adapts to the chip shape, and upgrades from the traditional three-dimensional configuration to the planar configuration.

【技术实现步骤摘要】
基于MEMS工艺的漏电流传感芯片
本专利技术属于漏电流检测
，具体涉及一种基于MEMS工艺的漏电流传感芯片。
技术介绍
目前，不同电流等级的传感器应用较为广泛。在漏电流检测
，传统的漏电流传感器，通常采用立体构型，具有空间占用较大、整体高度较高等缺陷。例如，申请号为201420575861.8，主题名称为模块化漏电流传感器的技术专利，结合附图的图1至图5可知，该技术专利公开的技术方案：漏电流传感器(1)固定安装在固定板(3)的中部，被测导线(2)穿过电流传感器的测量孔。尽管上述技术方案指出被测导线(2)的截面积、两端距离等数据，但仍然没有摆脱将漏电流传感器立体设置的总体构思。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的状况，克服上述缺陷，提供一种基于MEMS工艺的漏电流传感芯片。本专利技术采用以下技术方案，所述基于MEMS工艺的漏电流传感芯片，包括：环状磁芯和缠绕于所述环状磁芯的环状线圈；所述环状磁芯的内部贯穿有第一导线和第二导线，所述第一导线和第二导线的电流方向相反；至少一个感应线圈，各个感应线圈靠近环状磁芯。根据上述技术方案，所述感应线圈的数量为4个。根据上述技术方案，各个感应线圈分别设置在环状磁芯的左上方、左下方、右上方和右下方。根据上述技术方案，所述感应线圈逐步向内收缩呈环状。根据上述技术方案，所述基于MEMS工艺的漏电流传感芯片还包括MCU控制单元，各个感应线圈相互独立地与MCU控制单元电连接。根据上述技术方案，所述基于MEMS工艺的漏电流传感芯片采用MEMS工艺在晶片上制成。根据上述技术方案，所述环状线圈具有环状线圈第一端和环状线圈第二端。根据上述技术方案，所述感应线圈具有感应线圈第一端和感应线圈第二端。本专利技术公开的基于MEMS工艺的漏电流传感芯片，其有益效果在于，将漏电流传感器升级为漏电流传感芯片，显著地缩小尺寸和占用空间。同时，该漏电流传感芯片面向平面设计目标，适应芯片形态，从传统的立体构型升级为平面构型。附图说明图1是本专利技术优选实施例的结构示意图。图2是本专利技术优选实施例的截面示意图。附图标记包括：10-环状磁芯；11-第一导线；12-第二导线；20-环状线圈；21-环状线圈第一端；22-环状线圈第二端；30-感应线圈；31-感应线圈第一端；32-感应线圈第二端；40-铁芯。具体实施方式本专利技术公开了一种基于MEMS工艺的漏电流传感芯片，下面结合优选实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步描述。参见附图的图1至图2，图1示出了所述基于MEMS工艺的漏电流传感芯片的优选实施例，图2示出了所述基于MEMS工艺的漏电流传感芯片的主视方向的结构。优选地，根据优选实施例，参见附图的图1和图2，所述基于MEMS工艺的漏电流传感芯片包括：环状磁芯10和缠绕于所述环状磁芯10的环状线圈20；所述环状磁芯10的内部贯穿有第一导线11(图中仅为示意)和第二导线12(图中仅为示意)，所述第一导线11和第二导线12的电流方向相反；至少一个感应线圈30和至少一个铁芯40，各个感应线圈30靠近环状磁芯10并且均位于环状磁芯10的一侧，各个铁芯40靠近环状磁芯10并且均位于环状磁芯10的另一侧，使得感应线圈30内部由感应产生的感应数据符合被进一步处理的需要。根据上述优选实施例，所述感应线圈30和铁芯40的数量优选为2个。其中，2个感应线圈30分别设置在环状磁芯10的左上方、左下方,2个铁芯40分别设置在环状磁芯10的右上方和右下方。根据上述优选实施例，所述感应线圈30逐步向内收缩呈环状。同时，所述感应线圈30基本处于同一平面。其中，所述感应线圈30与环状磁芯10在垂直方向上具有间隙，但是该间隙较小。其中，所述环状线圈20具有环状线圈第一端21和环状线圈第二端22。其中，所述感应线圈30具有感应线圈第一端31和感应线圈第二端32。进一步地，所述基于MEMS工艺的漏电流传感芯片还包括MCU控制单元(图中未示出)，各个感应线圈30相互独立地与MCU控制单元电连接，使得MCU控制单元实时获取各个感应线圈30的感应数据，以便MCU控制单元对于感应数据进一步处理。值得一提的是，根据上述优选实施例，所述基于MEMS工艺的漏电流传感芯片采用MEMS工艺在晶片上制成，使得本专利技术专利申请公开的基于MEMS工艺的漏电流传感芯片符合面向平面设计目标，适应微米级别的芯片形态，从传统的立体构型升级为平面构型。值得一提的是，上述优选实施例还可包括变形实施方式，区别在于，位于同一相对高度的感应线圈30之间的间距小于优选实施例中的间距。对于本领域的技术人员而言，依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于MEMS工艺的漏电流传感芯片，其特征在于，包括：环状磁芯和缠绕于所述环状磁芯的环状线圈；所述环状磁芯的内部贯穿有第一导线和第二导线，所述第一导线和第二导线的电流方向相反；至少一个感应线圈和至少一个铁芯，各个感应线圈靠近环状磁芯并且均位于环状磁芯的一侧，各个铁芯靠近环状磁芯并且均位于环状磁芯的另一侧。

【技术特征摘要】
1.一种基于MEMS工艺的漏电流传感芯片，其特征在于，包括：环状磁芯和缠绕于所述环状磁芯的环状线圈；所述环状磁芯的内部贯穿有第一导线和第二导线，所述第一导线和第二导线的电流方向相反；至少一个感应线圈和至少一个铁芯，各个感应线圈靠近环状磁芯并且均位于环状磁芯的一侧，各个铁芯靠近环状磁芯并且均位于环状磁芯的另一侧。2.根据权利要求1所述的基于MEMS工艺的漏电流传感芯片，其特征在于，所述感应线圈和铁芯的数量均为2个。3.根据权利要求2所述的基于MEMS工艺的漏电流传感芯片，其特征在于，各个感应线圈分别设置在环状磁芯的左上方、左下方，各个铁芯分别设置在环状磁芯的右上方和右下方。4.根据权利要求1所述的基于MEMS工艺的漏电流传感芯片，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈全，
申请(专利权)人：浙江巨磁智能技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33