【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路技术，更具体地说，它涉及一种低温漂、高psrr的无运放带隙基准电路。
技术介绍
1、基准电压源旨在产生一个不受工艺、温度、电源电压影响的稳定电压，在电源模块、adc、dac等电路中具有广泛的应用。带隙基准电压利用三极管的温度特性，通过正温度系数与负温度系数电压的互补从而产生低温漂的基准电压，这种补偿方式大多需要运放钳位，而运放引入的失调会影响基准电压的精度。
2、如图1所示，为现有技术中的带隙基准电压电路，该电路包括运放电路、ptat电流产生电路、电流镜和基准输出电路。运放的虚短特性使得三极管q1、q2的基极电压相等，电阻r1上的电流为ptat电流，大小为：
3、
4、经电流镜复制到m3输出支路，基准电压vref可表示为：
5、
6、其中k= (w/l)3/(w/l)1，通过调整电阻比例理论上能得到低温漂基准电压。但运放输入端引入的失调电压vos是不可忽略的，考虑失调电压，基准电压vref为：
7、
8、典型cmos工艺下的失调电压vos约为1mv~10mv，对基准电压vref的精度有很大的影响。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种低温漂、高psrr、高精度的带隙基准电路。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：
3、一种低温漂、高psrr的无运放带隙基准电路，包括mos管m1、mos管m2、mos管m3、
4、mos管m11的漏极与mos管m9的漏极、mos管m9的栅极、mos管m10的栅极相连，mos管m11的栅极与mos管m5的漏极、三极管q2的集电极相连，mos管m11的源极与mos管m14的漏极、mos管m13的源极相连，
5、mos管m9的源极与mos管m10的源极、mos管m7的源极、mos管m8的源极、mos管m1的源极、mos管m2的源极的相连，
6、mos管m12的漏极与mos管m10的漏极、mos管m12栅极、mos管m3的栅极、 mos管m6的栅极相连，
7、mos管m13的漏极与mos管m12的源极、mos管m13的栅极、三极管q3的基极、三极管q1的基极、三极管q2的基极相连，
8、mos管m14的源极与mos管m15的源极、电阻r3的一端、电阻r2的一端相连，mos管m14的栅极与mos管m15的栅极、mos管m15的漏极、mos管m7的漏极相连，
9、三极管q3的发射极与电阻r3的另一端相连，三极管q3的集电极与mos管m3的源极相连，mos管m3的漏极与mos管m8的漏极、mos管m7的栅极、mos管m8的栅极相连，
10、三极管q1的发射极与电阻r1的一端相连，三极管q1的集电极与mos管m6的源极相连，mos管m6的漏极与mos管m4的漏极、mos管m1的栅极、mos管m2的栅极相连，mos管m1的漏极和mos管m4的源极相连，
11、三极管q2的发射极与电阻r1的另一端、电阻r2的另一端 相连，mos管m5的源极与mos管m2的漏极相连，mos管m4的栅极和mos管m5的栅极相连。
12、进一步的，三极管q1、q2、q3的面积之比为n：1:1，三极管q1与q2产生的ptat电流为i1,三极管q3的电流为i3,
13、其中，
14、,；
15、基准电压vref为:
16、，
17、上式对温度求导，得到：
18、
19、等式右边第一项为负温度系数，第二项为负温度系数，第三项为正温度系数，通过调整电阻比例，可以产生低温漂的基准电压。
20、通过采用上述技术方案，本专利技术的有益效果为：
21、1、本专利技术电路为无运放的带隙基准电路，其避免了运放失调电压对基准电压的影响，提高了基准电压的精度；
22、2、通过调整电阻系数可以很好地调整基准电压的温度系数，实现低温漂基准电压；
23、3、通过增加一层nmos构成cascode结构，减小了mos管m10栅源电压的变化，有效提高了基准电压的psrr。
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1.一种低温漂、高PSRR的无运放带隙基准电路，其特征在于，包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、MOS管M15、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3，
2.根据权利要求1所述的一种低温漂、高PSRR的无运放带隙基准电路，其特征在于，所述三极管Q1、Q2、Q3的面积之比为N：1:1，三极管Q1与Q2产生的PTAT电流为I1,三极管Q3的电流为I3,
【技术特征摘要】
1.一种低温漂、高psrr的无运放带隙基准电路，其特征在于，包括mos管m1、mos管m2、mos管m3、mos管m4、mos管m5、mos管m6、mos管m7、mos管m8、mos管m9、mos管m10、mos管m11、mos管m12、mos管m13、mos管m14、mos管m1...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹武，钟政，
申请(专利权)人：浙江巨磁智能技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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