一种多层平面电磁线圈驱动的MEMS变形镜制造技术

本实用新型专利技术提供一种多层平面电磁线圈驱动的MEMS变形镜，包括:硅衬底；在硅衬底上形成的多层线圈，每个线圈具有垫点和中心点；覆盖所述多层线圈的介电层；及在所述硅衬底上封装所述多层线圈的变形镜面，其中所述变形镜面包括：反射镜层，在反射镜层下表面上形成的介电层；在介电层的下表面的周边区域中形成Si层；以及在介电层的下表面的中心区域中形成的永磁性材料层；其中所述多层线圈的各层之间通过垫点和中心点进行接触，使得从硅衬底起由下而上依次排序，所述多层线圈的奇数层与偶数层之间通过中心点接触，偶数层与奇数层之间通过垫点接触；在第一层线圈的垫点上以及最后一层线圈的垫点或中心点上形成有与外部互联的两个焊点。

【技术实现步骤摘要】
一种多层平面电磁线圈驱动的MEMS变形镜
本技术属于微光机电系统及自适应光学领域，更具体涉及一种多层平面电磁线圈驱动的MEMS变形镜。
技术介绍
在自适应光学领域，微机电系统(MEMS)变形镜由于具有重量低、成本低、紧凑、工艺稳定、易集成为变形镜阵列等优点，成为近来变形镜制作的一个重要领域。电磁驱动的MEMS变形镜具有控制电压低，约1伏，变形镜变形量大，达到50微米，线性控制等优点，因而在自适应光学系统中有广泛应用。主要面向空间光通信、显微镜、天文望远镜次级镜、光束整形和人眼视网膜成像等应用领域及其他需要低电压、微小型、大形变量的场合。图1为现有技术的变形镜的结构示意图。现有的电磁驱动MEMS变形镜，由于电磁线圈采用单层线圈，线圈内部垫点(pad)将很难与电极正负极很难相连，只能将线圈制作在下基板，通过通孔工艺引出，需要通孔刻蚀，溅射等技术，工艺较复杂。制备线圈时，采用LIGA或准LIGA工艺，以此达到80微米以上的单层线圈厚度，来降低电流密度。这需要同步辐射X射线或其他较高能量的曝光设备，工艺要求较高，增加制作成本。因此，对新的MEMS变形镜以及其制备工艺存在需求。
技术实现思路
鉴于上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层平面电磁线圈驱动的MEMS变形镜，包括:硅衬底(11)；在硅衬底(11)上形成的多层线圈(14)，每个线圈具有垫点和中心点；覆盖所述多层线圈(14)的介电层(15)；以及在所述硅衬底(11)上封装所述多层线圈(14)的变形镜面，其中所述变形镜面包括：反射镜层(21)，在反射镜层下表面上形成的介电层(25)；在介电层(25)的下表面的周边区域中形成Si层；以及在介电层(25)的下表面的中心区域中形成的永磁性材料层(22)；其中，所述多层线圈的各层之间通过垫点或中心点进行接触，使得从硅衬底起由下而上依次排序，所述多层线圈的奇数层与偶数层之间通过中心点接触，偶数层与奇数层之间通过垫点接触...

【技术特征摘要】
1.一种多层平面电磁线圈驱动的MEMS变形镜，包括:硅衬底(11)；在硅衬底(11)上形成的多层线圈(14)，每个线圈具有垫点和中心点；覆盖所述多层线圈(14)的介电层(15)；以及在所述硅衬底(11)上封装所述多层线圈(14)的变形镜面，其中所述变形镜面包括：反射镜层(21)，在反射镜层下表面上形成的介电层(25)；在介电层(25)的下表面的周边区域中形成Si层；以及在介电层(25)的下表面的中心区域中形成的永磁性材料层(22)；其中，所述多层线圈的各层之间通过垫点或中心点进行接触，使得从硅衬底起由下而上依次排序，所述多层线圈的奇数层与偶数层之间通过中心点接触，偶数层与奇数层之间通过垫点接触；在第一层线圈的垫点...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢海忠，孔庆峰，彭效冉，
申请(专利权)人：明德之星北京科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11