一种含铱金属络合物及其有机发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种含铱金属络合物及其有机发光器件，该含铱金属络合物具有式(Ⅰ)所示结构，结构包括第一配体和辅助配体，其中辅助配体结构中的富电子的双氮配位结构有利于稳定中心三价金属阳离子，同时，也会影响金属铱上的电子云分布，进而对于整个配合物分子的光电性质产生很大的影响，并且双氮配位结构的配体与金属构成的四元环具有更强的刚性，有利于减少不必要的振动能量损失，实现高效的发光性能。通过调节取代基基团，使络合物具有更好的热稳定性和化学性质。将铱金属络合物制备成器件，尤其是作为掺杂材料，器件表现出驱动电压低、发光效率高的优点，优于现有常用OLED器件。

【技术实现步骤摘要】
一种含铱金属络合物及其有机发光器件
本专利技术涉及有机光电材料
，具体涉及一种含铱金属络合物及其有机发光器件。
技术介绍
1987年美国柯达公司的邓青云等人首次通过真空蒸镀的方式将有机化合物蒸镀成无定型的有机薄膜，并选择不同的有机材料作为空穴和电子传输层制备了双层的OLED器件，器件在电压为10V左右时，器件发光亮度达到了1000cdm-2，最大外量子效率EQE(ExternalQuantumEfficiency)为1％左右，表现出了非常好的电致发光性能，这标志着有机电致发光器件(OLED)已经具备了实际应用的可能性，从此之后，各大公司以及科研机构都投入了大量的人力与资源进行有机电致发光方向的研究。1990年英国剑桥大学的Friend等人通过溶液加工的方式制备了基于高分子材料poly(p-phenylenevinylene)(PPV)的单层OLED器件，使得高分子材料也逐步应用于有机电致发光领域。1998年美国普林斯顿大学的Forrest等人报道了以八乙基卟啉铂(PtOEP)为客体的掺杂磷光器件。有别于以往荧光材料中内量子效率仅为25％这一限制，磷光材料实现了100％的内量子效率，磷光电致发光材料的发现是有机电致发光材料发展的一个重大突破。近二十年来，磷光发光材料在有机电致发光中的应用受到了学术界广泛的关注，相关的磷光化合物包含了具有平面结构、d8电子组态的Pt(II)、Pd(II)、Au(III)络合物，以及具有八面体结构、d6电子组态的Ru(II)、Rh(III)、Re(I)、Ir(III)、Os(II)等络合物。其中研究较多的是锇、铱、铂及钌的络合物，他们都有较佳的发光效率，且具有较短的磷光半衰期，从而大大减少非辐射方式衰退的几率。铱络合物由于具有较短的磷光寿命、较高的磷光量子产率、较好的热学稳定性、正八面体的配位结构也不易形成较为严重的π-π堆积等优异性质，成为了设计新型高效红光至近红外磷光材料的一个重要研究方向。绿光、黄光有机磷光材料的效率及寿命已经基本能达到产业化的要求，但是高性能的红光磷光材料仍有待进一步的开发。金属铱络合物由于具有磷光寿命较短、发光效率高、合成提纯简单、光色易调节、良好的热学及电化学稳定性等优点，成为了设计新型高效红光磷光材料的一个研究热点。目前，有机发光器件已经向着实用化、商品化发展，但仍然存在不足，磷光材料普遍存在热稳定性差、发光效率低，寿命短的问题，而决定有机电致发光器件性能优劣的根本因素为材料的选择，因此，亟待设计及开发一种具有更高发光效率、驱动电压低的有机金属络合物。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种金属络合物及其有机发光器件，本专利技术提供的含铱金属络合物具有驱动电压低、发光效率高的优点，是性能优良的有机发光材料。本专利技术首先提供一种金属络合物，结构式(Ⅰ)为：其中M选自Ir、Rh、Re、Ru、Os、Pt、Au、Cu中的一种；其中X选自CH或N；其中R、R3独立地选自取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种；其中R1、R2独立选自CF3、取代或未取代的C1～C30烷基、C1～C30烷氧基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种。优选的，其中R、R3独立地选自取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；其中R1、R2独立地选自CF3、取代或未取代的C1～C10烷基、C1～C10烷氧基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种。优选的，所述金属络合物，其中M选自Ir。优选的，所述金属络合物，它是不带电荷的。优选的，所述金属络合物，R1、R2相同或者不同的选自以下结构：优选的，所述金属络合物，选自如下所示结构中的任意一种：本专利技术还提供上述一种含铱金属络合物在有机发光器件中的应用。优选的，所述有机发光器件包括阳极、阴极以及位于阳极与阴极之间的若干个有机功能层，所述的有机功能层含有所述的一种含铱金属络合物。优选的，所述的一种有机发光器件，所述有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层，电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层；所述有机功能层中至少一层含有所述的一种含铱金属络合物。优选的，所述的一种有机发光器件，发光层客体掺杂材料中含有所述的一种含铱金属络合物。本专利技术的有益效果:本专利技术首先提供一种络合物，该络合物具有式(Ⅰ)所示结构，结构包括第一配体和辅助配体，其中第一配体通过引入大π共轭结构和位阻基团，减少三线态激子间的碰撞，克服器件在大电流密度下效率的滚降的问题，辅助配体结构中的富电子的双氮配位结构有利于稳定中心三价金属阳离子，同时，也会影响金属铱上的电子云分布，进而对于整个络合物分子的光电性质产生很大的影响，并且双氮配位结构的配体与金属构成的四元环具有更强的刚性，有利于减少不必要的振动能量损失，实现高效的发光性能。通过调节取代基基团，使络合物具有更好的热稳定性和化学性质。将铱络合物制备成器件，尤其是作为掺杂材料，器件表现出驱动电压低、发光效率高的优点，优于现有常用OLED器件。具体实施方式为了进一步理解本专利技术，下面结合实施例对本专利技术优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本专利技术的特征和优点，而不是对本专利技术权利要求的限制。本专利技术所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基、环烷基，实例可包括甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、异丙基、1-甲基丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等，但不限于此。本专利技术所述烷氧基是指指烷烃分子中一个氢原子被氧原子替代得到的基团的总称，实例可包括—OCH3、—O(CH3)2等，但不限于此。本专利技术所述芳基是指苯基分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，实例可包括苯基、4-甲基苯基、4-叔丁基苯基、2-乙基苯基、联苯基或三联苯基等，但不限于此。本专利技术所述杂芳基是指苯基分子中的一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，实例可包括吡啶基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噁唑基或三嗪基等，但不限于此。本专利技术首先提供一种含铱金属络合物，结构式(Ⅰ)为：其中M选自Ir、Rh、Re、Ru、Os、Pt、Au、Cu中的一种；其中X选自CH或N；其中R、R3独立地选自取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种；其中R1、R2独立地选自CF3、取代或未取代的C1～C30烷基、C1～C30烷氧基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种。优选的，其中R、R3独立地选自取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；其中R1、R2独立地选自CF3、取代或未取代的C1～C10烷基、C1～C10烷氧基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种。优选的，所述金属配合物，其中M选自Ir。优选的，所述金属配合物，它是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含铱金属络合物，其特征在于，结构式如式(Ⅰ)所示：

【技术特征摘要】
1.一种含铱金属络合物，其特征在于，结构式如式(Ⅰ)所示：其中M选自Ir、Rh、Re、Ru、Os、Pt、Au、Cu中的一种；其中X选自CH或N；其中R、R3独立地选自取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种；其中R1、R2独立的选自CF3、取代或未取代的C1～C30烷基、C1～C30烷氧基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种。2.根据权利要求1所述的一种含铱金属络合物，其特征在于，其中R、R3独立地选自取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；其中R1、R2独立的选自CF3、取代或未取代的C1～C10烷基、C1～C10烷氧基、取代或...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡辉，张弘，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林,22