复合式LCP高频高速双面铜箔基板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种复合式LCP高频高速双面铜箔基板，包括至少一层LCP芯层、至少一层极低介电胶层和两层铜箔层；LCP芯层和极低介电胶层位于两层铜箔层之间；每层LCP芯层的厚度为5‑50μm；每层极低介电胶层的厚度为2‑50μm；每层铜箔层的厚度为1‑35μm，极低介电胶层是指Dk值为2.0‑3.0(10GHz)且Df值为0.002‑0.010(10GHz)的胶层。本发明专利技术不但电性良好，而且具备低粗糙度、在高温湿度环境下稳定的dk/df性能、超低吸水率、良好的UV镭射钻孔能力、低反弹力适合高密度组装以及极佳的机械性能；另外，涂布法当前技术最多只能涂50μm左右的厚度，本发明专利技术的制备方法可以轻易得到100μm以上的基板。

Composite LCP High Frequency High Speed Double-sided Copper Foil Substrate and Its Preparation Method

The invention discloses a composite LCP high-frequency and high-speed double-sided copper foil substrate, which comprises at least one LCP core layer, at least one extremely low dielectric adhesive layer and two copper foil layers; the LCP core layer and the very low dielectric adhesive layer are located between two copper foil layers; the thickness of each LCP core layer is 5 50 micron; and the thickness of each extremely low dielectric adhesive layer is 2 50 micron; The thickness of each copper foil layer is 1 35 um. The very low dielectric adhesive layer is the adhesive layer with Dk value of 2.0 3.0 (10GHz) and Df value of 0.002 0.010 (10GHz). The invention not only has good electrical properties, but also low roughness, stable dk/df performance under high temperature and humidity environment, ultra-low water absorption, good UV laser drilling ability, low rebound force, suitable for high density assembly and excellent mechanical properties; moreover, the current technology of coating method can only coat about 50 microns in thickness, and the invention The preparation method can easily obtain a substrate of more than 100 microns.

【技术实现步骤摘要】
复合式LCP高频高速双面铜箔基板及其制备方法
本专利技术涉及FPC(柔性线路板)用双面铜箔基板及其制备
，特别涉及一种复合式LCP高频高速双面铜箔基板。
技术介绍
随着信息技术的飞跃发展，为满足信号传送高频高速化、散热导热快速化以及生产成本最低化，各种形式的混压结构多层板的设计与应用应运而生。印刷电路板是电子产品中不可或缺的材料，而随着消费性电子产品需求增长，对于印刷电路板的需求也是与日俱增。由于软性印刷电路板(FPC，FlexiblePrintedCircuit)具有可挠曲性及可三度空间配线等特性，在科技化电子产品强调轻薄短小、可挠曲性、高频率的发展驱势下，目前被广泛应用于计算机及其外围设备、通讯产品以及消费性电子产品等。在高频领域，无线基础设施需要提供足够低的插损，才能有效提高能源利用率。随着5G通讯、毫米波、航天军工的加速发展，高频高速FPC(柔性电路板)/PCB(印刷电路板)需求业务来临，随着大数据、物联网等新兴行业兴起以及移动互联终端的普及,快速地处理、传送信息,成为通讯行业重点。在通讯领域,未来5G网络比4G拥有更加高速的带宽、更密集的微基站建设,网速更快。应物联网与云端运算以及新时代各项宽频通讯之需求，发展高速伺服器与更高传输速度的手机已成市场之趋势。一般而言，FPC/PCB是整个传输过程中主要的瓶颈，若是欠缺良好的设计与电性佳的相关材料，将严重延迟传输速度或造成讯号损失。这就对电路板材料提出了很高的要求。此外,当前业界主要所使用的高频基板主要为LCP(液晶高分子聚合物)板、PTFE(聚四氟乙烯)纤维板，然而也受到制程技术的限制，对制造设备的要求高且需要在较高温环境(>280℃)下才可以操作，随之也造成了其膜厚不均匀，而膜厚不均会造成电路板的阻抗控制不易；此外，又面临了不能使用快压机设备，导致加工困难等问题。而其它树脂类膜虽然没有上述问题，但面临电性不佳、接着力太弱或者机械强度不好等问题。复合式基板除了性能优良外还具有优良作业性、低成本、低能耗的特点，在中国专利“双面铜箔基板”技术CN201590948U和专利“一种复合式双面铜箔基板及使用该基板之软性印刷电路板结构”，台(M377823)、日(JP2010-7418A)和美(US2011/0114371)三国专利中即提到了此结构，在专利“高频基板结构”(新型CN202276545U/专利技术CN103096612B，TWM422159)和另一篇“高频基板结构”(TWM531056)中则以此结构搭配氟系材料、粉体等高频材料制作高频基板，在申请专利(“PI型高频高速传输用双面铜箔基板及其制备方法,申请号201710085366.7”)中也提到了一种使用聚酰亚胺做芯层搭配低介电胶层的复合式结构基板。一般的环氧树脂系产品，于下游产业的小孔径(小于100um)UV镭射加工下表现并不理想，容易造成通孔(PTH,PlatingThroughHole)孔洞内缩，只适合用在较大孔径的机械钻孔方式。在多层板及软硬结合板的制备时，由于一般PI(聚酰亚胺)型及TPI型铜箔基板的高吸湿性(1-2％)，会有爆板问题，严重影响了良率。在成本、效能及作业性方面，LCP、TPI(热固性聚酰亚胺)法制备高频基板，生产需高温压合，压合温度在280-330℃之间，特别是在生产传输性能较优的38μm以上厚度产品时，效率低，成本高。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种复合式LCP高频高速双面铜箔基板，本专利技术不但电性良好，而且具备低粗糙度、在高温湿度环境下稳定的dk/df性能、超低吸水率、良好的UV镭射钻孔能力、低反弹力适合高密度组装以及极佳的机械性能；另外，涂布法当前技术最多只能涂50μm左右的厚度，本专利技术的制备方法可以轻易得到100μm以上的基板。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种复合式LCP高频高速双面铜箔基板，包括至少一层LCP芯层、至少一层极低介电胶层和两层铜箔层；所述LCP芯层和所述极低介电胶层位于所述两层铜箔层之间；每层所述LCP芯层的厚度为5-50μm；每层所述极低介电胶层的厚度为2-50μm；每层所述铜箔层的厚度为1-35μm。优选的，每层所述LCP芯层的厚度为12.5-50μm；每层所述极低介电胶层的厚度为12.5-50μm；每层所述铜箔层的厚度为6-18μm。进一步地说，所述双面铜箔基板为下列两种结构中的一种：一、由一层LCP芯层、一层极低介电胶层、第一铜箔层和第二铜箔层组成，且所述LCP芯层位于第一铜箔层和极低介电胶层之间，所述极低介电胶层位于所述第二铜箔层和LCP芯层之间；所述LCP芯层、极低介电胶层、第一铜箔层和第二铜箔层的总厚度为9-170μm；二、由第一LCP芯层、一层极低介电胶层、第二LCP芯层、第一铜箔层和第二铜箔层组成，所述第一LCP芯层位于所述第一铜箔层和所述极低介电胶层之间，所述极低介电胶层位于所述第一LCP芯层和所述第二LCP芯层之间，所述第二LCP芯层之间位于所述极低介电胶层和所述第二铜箔层之间，所述第一LCP芯层、极低介电胶层、第二LCP芯层、第一铜箔层和第二铜箔层的总厚度为14-220μm。进一步地说，所述极低介电胶层是指Dk值为2.0-3.0(10GHz)且Df值为0.002-0.010(10GHz)的胶层。优选的，所述极低介电胶层是指Dk值为2.2-3.0(10GHz)的胶层。进一步地说，每一所述铜箔层皆是Rz值为0.4-1.0μm的低轮廓铜箔层，且所述铜箔层与所述LCP芯层粘着的一面的Rz值为0.4-1.0μm，且所述铜箔层的外表面的Rz值为0.4-0.7μm，且每一所述铜箔层皆为压延铜箔层或电解铜箔层。进一步地说，所述LCP芯层的吸水率为0.01-0.1％；所述极低介电胶层的吸水率为0.01-0.1％；所述双面铜箔基板的整体吸水率为0.01-0.5％，且所述极低介电胶层的接着强度>0.7kgf/cm2。进一步地说，所述LCP芯层的吸水率为0.01-0.04％；所述极低介电胶层的吸水率为0.01-0.08％；所述双面铜箔基板的整体吸水率为0.01-0.1％。进一步地说，所述极低介电胶层中的树脂材料为氟系树脂、环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂、硅橡胶系树脂、聚对环二甲苯系树脂、双马来酰亚胺系树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。进一步地说，所述极低介电胶层包括烧结二氧化硅、铁氟龙、氟系树脂、磷系耐燃剂和聚酰亚胺树脂，且所述烧结二氧化硅、所述铁氟龙、所述氟系树脂和所述磷系耐燃剂的比例之和为总固含量的8-50％(重量百分比)，所述聚酰亚胺树脂含量的比例为40％-90％(重量百分比)。进一步地说，所述烧结二氧化硅的比例为总固含量的2-15％(重量百分比)，所述铁氟龙的比例为总固含量的2-10％(重量百分比)，所述氟系树脂的比例为总固含量的2-10％(重量百分比)，所述磷系耐燃剂的比例为总固含量的2-15％(重量百分比)。本专利技术还提供了一种所述的复合式LCP高频高速双面铜箔基板的制备方法，所述制备方法为下列两种方法中的一种：方法一：包括下述步骤：步骤一、将LCP清漆涂布于第一铜箔层的一面，先于60-100℃去除溶剂，然后在300℃下10hr使其黄化反应，即生成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合式LCP高频高速双面铜箔基板，其特征在于：包括至少一层LCP芯层、至少一层极低介电胶层和两层铜箔层；所述LCP芯层和所述极低介电胶层位于所述两层铜箔层之间；每层所述LCP芯层的厚度为5‑50μm；每层所述极低介电胶层的厚度为2‑50μm；每层所述铜箔层的厚度为1‑35μm。

【技术特征摘要】
1.一种复合式LCP高频高速双面铜箔基板，其特征在于：包括至少一层LCP芯层、至少一层极低介电胶层和两层铜箔层；所述LCP芯层和所述极低介电胶层位于所述两层铜箔层之间；每层所述LCP芯层的厚度为5-50μm；每层所述极低介电胶层的厚度为2-50μm；每层所述铜箔层的厚度为1-35μm。2.根据权利要求1所述的复合式LCP高频高速双面铜箔基板，其特征在于：所述双面铜箔基板为下列两种结构中的一种：一、由一层LCP芯层、一层极低介电胶层、第一铜箔层和第二铜箔层组成，且所述LCP芯层位于第一铜箔层和极低介电胶层之间，所述极低介电胶层位于所述第二铜箔层和LCP芯层之间；所述LCP芯层、极低介电胶层、第一铜箔层和第二铜箔层的总厚度为9-170μm；二、由第一LCP芯层、一层极低介电胶层、第二LCP芯层、第一铜箔层和第二铜箔层组成，所述第一LCP芯层位于所述第一铜箔层和所述极低介电胶层之间，所述极低介电胶层位于所述第一LCP芯层和所述第二LCP芯层之间，所述第二LCP芯层之间位于所述极低介电胶层和所述第二铜箔层之间，所述第一LCP芯层、极低介电胶层、第二LCP芯层、第一铜箔层和第二铜箔层的总厚度为14-220μm。3.根据权利要求1所述的复合式LCP高频高速双面铜箔基板，其特征在于：所述极低介电胶层是指Dk值为2.0-3.0(10GHz)且Df值为0.002-0.010(10GHz)的胶层。4.根据权利要求1所述的复合式LCP高频高速双面铜箔基板，其特征在于：每一所述铜箔层皆是Rz值为0.4-1.0μm的低轮廓铜箔层，且所述铜箔层与所述LCP芯层粘着的一面的Rz值为0.4-1.0μm，且所述铜箔层的外表面的Rz值为0.4-0.7μm，且每一所述铜箔层皆为压延铜箔层或电解铜箔层。5.根据权利要求1所述的复合式LCP高频高速双面铜箔基板，其特征在于：所述LCP芯层的吸水率为0.01-0.1％；所述极低介电胶层的吸水率为0.01-0.1％；所述双面铜箔基板的整体吸水率为0.01-0.5％，且所述极低介电胶层的接着强度>0.7kgf/cm2。6.根据权利要求1所述的复合式LCP高频高速双面铜箔基板，其特征在于：所述极低介电胶层中的树脂材料为氟...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志铭，李韦志，李建辉，
申请(专利权)人：昆山雅森电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32