盒体、半导体装置、盒体的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术能够提高插入至盒体的半导体电路的散热性。本发明专利技术为一种盒体，其内部供半导体电路插入，该盒体具备：散热部，其在内侧具有与半导体电路接触的接触面；薄壁部，其形成为围绕接触面，而且形成得比散热部薄；以及下凹部，其形成于薄壁部与散热部之间，而且相对于接触面而言下凹，并且，下凹部的内侧的面在盒体的厚度方向上配置在接触面与薄壁部的内侧的面之间。

Manufacturing Method of Box Body, Semiconductor Device and Box Body

The invention can improve the heat dissipation of the semiconductor circuit inserted into the box body. The invention relates to a box body, which is internally inserted by a semiconductor circuit. The box body has: a heat dissipation part, which has a contact surface with a semiconductor circuit inside; a thin wall part, which is formed around the contact surface and is thinner than the heat dissipation part; and a lower concave part, which is formed between the thin wall part and the heat dissipation part, and is relative. For the contact surface, the inner face of the lower concave part is arranged between the contact surface and the inner face of the thin wall part in the thickness direction of the box body.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】盒体、半导体装置、盒体的制造方法
本专利技术涉及一种盒体、半导体装置、以及盒体的制造方法。
技术介绍
混合动力汽车、电动汽车等使用的电力转换装置为了实现燃油效率的进一步提高而要求高输出化，并正在推进大电流化。进而，电力转换电路还要求尺寸的小型化，从电力转换电路产生的热的处理即排热处理成为问题。专利文献1中揭示有一种经由绝缘构件及导热膏使半导体电路与冷却管接触，从而冷却半导体电路的构成。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利4120876号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题业界在寻求提高半导体电路的散热性。解决问题的技术手段根据本专利技术的第1形态，一种盒体，其内部供半导体电路插入，该盒体具备：散热部，其在内侧具有与所述半导体电路接触的接触面；薄壁部，其形成为围绕所述接触面，而且形成得比所述散热部薄；以及下凹部，其形成于所述薄壁部与所述散热部之间，而且相对于所述接触面而言下凹，所述下凹部的内侧的面在所述盒体的厚度方向上配置在所述接触面与所述薄壁部的内侧的面之间。根据本专利技术的第2形态，一种半导体装置，具备：半导体电路，其具有半导体元件；以及盒体，其收纳所述半导体电路，所述盒体具备：散热部，其具有与所述半导体电路接触的接触面；薄壁部，其形成为围绕所述接触面，而且形成得比所述散热部薄；以及下凹部，其形成于所述薄壁部与所述散热部之间，而且相对于所述接触面而言下凹，所述下凹部的内侧的面在所述盒体的厚度方向上配置在所述接触面与所述薄壁部的内侧的面之间。根据本专利技术的第3形态，一种盒体的制造方法，所述盒体的内部供半导体电路插入，该盒体的制造方法是在所述盒体上分别形成散热部、薄壁部及下凹部，所述散热部在内侧具有与所述半导体电路接触的接触面，所述薄壁部形成为围绕所述接触面而且形成得比所述散热部薄，所述下凹部形成于所述薄壁部与所述散热部之间而且相对于所述接触面而言下凹，所述散热部、薄壁部及下凹部的形成方式为所述下凹部的内侧的面在所述盒体的厚度方向上配置在所述接触面与所述薄壁部的内侧的面之间，并且，在利用工程在所述下凹部上的夹具来支承所述盒体的状态下对所述盒体的所述接触面进行切削加工。专利技术的效果根据本专利技术，能够提高插入至盒体的半导体电路的散热性。附图说明图1为表示盒体24的外观的图。图2为说明盒体24的结构的图。图3为说明盒体24的结构的图。图4的(a)为表示加工前的盒体24的外观的图，图4的(b)为图4的(a)的IVb-IVb剖视图，图4的(c)为图4的(a)的IVc-IVc剖视图。图5的(a)为表示第1加工工序后的盒体24的外观的图，图5的(b)为图5的(a)的Vb-Vb剖视图，图5的(c)为图5的(a)的Vc-Vc剖视图。图6的(a)为表示第2加工工序后的盒体24的外观的图，图6的(b)为图6的(a)的VIb-VIb剖视图，图6的(c)为图6的(a)的VIc-VIc剖视图。图7的(a)为表示第3加工工序后的盒体24的外观的图，图7的(b)为图7的(a)的VIIb-VIIb剖视图，图7的(c)为图7的(a)的VIIIc-VIIIc剖视图。图8为表示进行上述的盒体24的切削加工的一例的图。图9为表示从图8中以IX表示的视点获得的第1保持具301、第2保持具302及散热片25的关系的图。图10为表示插入至盒体24的半导体电路的构成的图。图11为在图10所示的半导体电路上追加有上表面散热板3a及上表面散热板3b的图。图12为表示使盒体24与半导体电路100一体化的工序的图。图13为表示图12中的粘合片23接合之后的状态的图。图14为表示半导体冷却装置300的外观的图。图15为表示在半导体冷却装置300中插入有盒体24的状态的图。图16为表示变形例1中的阶差部204及散热片25的配置位置的图。图17为表示变形例2中的阶差部204及散热片25的配置位置的图。具体实施方式(实施方式)下面，参考图1～图15，对本专利技术的盒体的实施方式进行说明。(盒体24的构成)图1为表示本实施方式中的盒体24的外观的图。盒体24是剖面为大致四边形的管状的CAN型六面体。将盒体24的3对的面分别称为开口面、侧壁面、散热面。这些面在盒体24上相互垂直。在作为盒体24所具备的1对面的开口面上分别设置有开口部205。在开口部205上分别形成有凸缘203。在作为另1对面的侧壁面上形成有侧壁208，侧壁208的两端分别与凸缘203的两端连接。在作为最后的1对面的散热面设置有散热用的散热片25。盒体24的II-II剖面示于图2，III-III剖面示于图3。参考图2～图3，对盒体24的结构进行说明。图2中的上下端为开口部205，从开口部205延续的盒体24的内部为内壁206及内壁207。图3中的上下端为侧壁208。在内壁206、207的被凸缘203和侧壁208围住的面上分别形成有从内壁206、207朝内侧突出的厚壁部201。在厚壁部201的外周即图2～3中的厚壁部201的上下形成有壁厚较薄的薄壁部202。图2所示的薄壁部202的厚度t1与图3所示的薄壁部202的厚度t3可相同也可不同。薄壁部202的厚度t1、t3比厚壁部201的厚度而且是除开后文叙述的散热片25的厚度t2薄。薄壁部202连接凸缘203与侧壁208。厚壁部201的朝内侧突出的面通过后文叙述的切削加工形成得较为平坦，在内壁206、207上分别构成接触面102、105。再者，接触面102、105是与插入至盒体24的功率半导体等直接接合的面，形成得较为平坦，以实现高导热。在厚壁部201的接触面102和接触面105的相反面即盒体24的外侧分别形成有多个散热片25。通过将图示右侧的散热片25的顶端彼此连结而形成的假想面即右顶端面103形成为与图示右侧的内壁206上形成的接触面102平行。同样地，通过将图示左侧的散热片25的顶端彼此连结而形成的假想面即左顶端面106形成为与图示左侧的内壁207上形成的接触面105平行。薄壁部202的内侧的面为内壁206、207，形成于与凸缘203的内侧的面大致同一面上。薄壁部202的外侧的面也就是与内壁206、207相反侧那一面形成于与散热片25的根部的面大致同一面上。在厚壁部201的外周而且是连接至开口部205的薄壁部202与厚壁部201的连接部处形成有阶差部204。详细而言，在图2的右侧所示的接触面102侧，在被接触面102和内壁206这2个面夹住的空间而且是图2的右侧上下两处形成有阶差部204。在图2的左侧所示的接触面105侧，在被接触面105和内壁207这2个面夹住空间而且是图2的左侧上下两处形成有阶差部204。以下，将阶差部204的外侧的面称为投影面107。在厚壁部201的外周而且是连接至侧壁208的薄壁部202与厚壁部201的连接部处形成有阶差部209。详细而言，在图3的右侧所示的接触面102侧，在被接触面102和内壁206这2个面夹住的空间而且是图3的右侧上下两处形成有阶差部209。同样地，在图3的左侧所示的接触面105侧，在被接触面105和内壁207这2个面夹住的空间而且是图3的左侧上下两处形成有阶差部209。以下，将阶差部209的外侧的面称为投影面108。从厚壁部201中将阶差部204、209除外而得的区域是释放来自插入至盒体24的功率半导体等发热体的热的散热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种盒体，其内部供半导体电路插入，该盒体的特征在于，具备：散热部，其在内侧具有与所述半导体电路接触的接触面；薄壁部，其形成为围绕所述接触面，而且形成得比所述散热部薄；以及下凹部，其形成于所述薄壁部与所述散热部之间，而且相对于所述接触面而言下凹，所述下凹部的内侧的面在所述盒体的厚度方向上配置在所述接触面与所述薄壁部的内侧的面之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.07 JP 2016-0771501.一种盒体，其内部供半导体电路插入，该盒体的特征在于，具备：散热部，其在内侧具有与所述半导体电路接触的接触面；薄壁部，其形成为围绕所述接触面，而且形成得比所述散热部薄；以及下凹部，其形成于所述薄壁部与所述散热部之间，而且相对于所述接触面而言下凹，所述下凹部的内侧的面在所述盒体的厚度方向上配置在所述接触面与所述薄壁部的内侧的面之间。2.根据权利要求1所述的盒体，其特征在于，还具备开口部，所述开口部形成于与形成有所述散热部及所述薄壁部的面垂直的面上。3.根据权利要求2所述的盒体，其特征在于，所述开口部具有第1开口部及第2开口部，所述第1开口部及第2开口部分别形成于与形成有所述散热部及所述薄壁部的面垂直的一对面上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的盒体，其特征在于，所述半导体电路为大致平板状，所述散热部具备与所述半导体电路的第1面接触的第1接触面以及与所述半导体电路的第2面接触的第2接触面，所述薄壁部具备形成为围绕所述第1接触面的第1薄壁部以及形成为围绕所述第2接触面的第2薄壁部，所述下凹部具备：形成于所述第1薄壁部与所述散热部之间而且相对于所述第1接触面而言下凹的第1下凹部；以及形成于所述第2薄壁部与所述散热部之间而且相对于所述第2接触面而言下凹的第2下凹部。5.根据权利要求4所述的盒体，其特征在于，所述散热部在所述第1接触面的相...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤野伸一，久保木誉，川井胜，
申请(专利权)人：日立汽车系统株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP