贴装式整流半导体器件制造技术

本发明专利技术一种贴装式整流半导体器件，其第一二极管芯片的正极端与第一金属基片上表面电连接，第一连接片两端分别与第一二极管芯片的负极端和负极金属条的上表面电连接，第三连接片两端分别与第四二极管芯片的负极端和负极金属条的上表面电连接，所述第一、第二、第三、第四连接片沿前后方向平行设置，所述负极金属条位于第一金属基片和E形金属基片之间的前端具有一折弯部，此折弯部底部与第一、第二金属基片和E形金属基片各自的底部位于同一水平面且均裸露出所述环氧封装体。本发明专利技术贴装式整流半导体器件避免了现有产品的通过机箱内的空气对流散热，芯片发热要通过环氧才能传导到外界空气中，芯片与PCB的散热路径最短，导热系数优越。

Mounted Rectifier Semiconductor Devices

The invention relates to a mounted rectifier semiconductor device, in which the positive end of the first diode chip is electrically connected with the upper surface of the first metal substrate, the two ends of the first connector are electrically connected with the negative end of the first diode chip and the upper surface of the negative metal strip, and the two ends of the third connector are electrically connected with the negative end and the upper surface of the fourth diode chip respectively. The upper surface of the negative metal strip is electrically connected. The first, second, third and fourth connecting plates are arranged parallel in the front and rear directions. The negative metal strip is located at the front end between the first metal substrate and the E-shaped metal substrate, and has a bending part. The bottom of the bending part and the respective bottom of the first, second metal substrate and the E-shaped metal substrate are respectively provided. The epoxy package is located on the same horizontal plane and bare. The mounted rectifier semiconductor device of the invention avoids the convection heat dissipation of the existing products through the air in the chassis. The heat of the chip can be transmitted to the outside air only through epoxy. The heat dissipation path of the chip and the PCB is the shortest and the thermal conductivity is superior.

【技术实现步骤摘要】
贴装式整流半导体器件
本专利技术涉及一种整流半导体器件，尤其涉及一种贴装式整流半导体器件。
技术介绍
整流器是由四个整流二极管组成的一个桥式结构，它利用二极管的单向导电特性对交流电进行整流，由于桥式整流器对输入正正弦波的利用效率比波整流高一倍，是对二极管半波整流的一种显著改进，故被广泛应用于交流电转换成直流电的电路中。一方面，现有双列叠片式结构整流器，生产工艺简单，易操作。但是每颗二极管晶粒所在的支撑片平整度互相影响造成生产制程中产品内部应力状况不够稳定，晶粒受损或者接触不良的状况时有发生。另一方面，现有产品为4颗独立的二极管（附图1）或插件式桥堆产品（附图2）或微型桥堆产品。主要存在如下弊端：4颗独立的二极管：产品厚度大，占用PCB板空间较大，不适用回流焊方式焊接。直列式桥堆产品：产品厚度大，散热性能不佳，不适用回流焊方式焊接。微型桥堆产品，无散热片，客户希望产品能有更好的散热性能。综上，现有技术存在产品厚度大，占用PCB板空间较大，不适应终端产品小型化的需求；产品散热性能不佳，造成终端产品发热量大，不利于节能环保；不适用回流焊方式焊接，PCB板上其他产品需要用回流焊方式焊接时整个PCB板需要二次受热，会对已组装的器件带来损害等技术问题。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种贴装式整流半导体器件，该贴装式整流半导体器件厚度薄，芯片与PCB的散热路径最短，散热片为金属材质，导热系数优越，充分利用了PCB板自身的散热能力，避免了现有产品的通过机箱内的空气对流散热，芯片发热要通过环氧才能传导到外界空气中，环氧导热能力差等缺陷。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种贴装式整流半导体器件，包括：由环氧封装体包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片和负极金属条，所述环氧封装体底部且位于左、右侧分别固定有第一、第二金属基片和E形金属基片，所述负极金属条位于第一、第二金属基片和E形金属基片之间；第一二极管芯片的正极端与第一金属基片上表面电连接，第二二极管芯片的负极端与E形金属基片一端上表面电连接，第三二极管芯片的负极端与E形金属基片另一端上表面电连接，第四二极管芯片的正极端与第二金属基片上表面电连接；第一连接片两端分别与第一二极管芯片的负极端和负极金属条的上表面电连接，第二连接片两端分别与第二二极管芯片的正极端和第一金属基片的上表面电连接，第二连接片中部具有凸起部且该凸起部与负极金属条通过环氧封装体隔离；第三连接片两端分别与第四二极管芯片的负极端和负极金属条的上表面电连接，第四连接片两端分别与第三二极管芯片的正极端和第二金属基片的上表面电连接；所述第一、第二、第三、第四连接片沿前后方向平行设置，所述负极金属条位于第一金属基片和E形金属基片之间的前端具有一折弯部，此折弯部底部与第一、第二金属基片和E形金属基片各自的底部位于同一水平面且均裸露出所述环氧封装体；第一、第二金属基片作为交流输入端，所述负极金属条的折弯部作为直流负极端，所述E形金属基片作为直流正极端；所述环氧封装体的厚度小于2mm，所述第一、第二金属基片位于环氧封装体边缘处的端面分别设置有至少2个第一引脚外凸部。由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点和效果：1.本专利技术贴装式整流半导体器件，其相对现有微型桥堆产品为双面封装，本专利技术在厚度方向上单面封装，该产品厚度薄，将厚度有5mm以上调整为在2mm以内，既作为散热片又同时作为电气端子的第一、第二金属基片和E形金属基片，上面与芯片连接，下面与客户使用时的PCB连接，芯片为发热部件，芯片与PCB的散热路径最短，散热片为金属材质，导热系数优越，充分利用了PCB板自身的散热能力，避免了现有产品的通过机箱内的空气对流散热，芯片发热要通过环氧才能传导到外界空气中，环氧导热能力差等缺陷。2.本专利技术贴装式整流半导体器件，其该产品为表面贴装产品，适用于较先进的回流焊方式焊接，该产品使用独创的内部结构，四颗连接片跨过一颗引线桥接实现桥接，该布局使得4颗芯片间距最远，四颗发热相互累积效应最低设计和全新焊盘外形设计，第一、第二金属基片和E形金属基片采用E型设计，散热片面积与产品长x宽面积比例达50%，最大限度的利用了PCB散热能力。附图说明附图1为现有轴向型产品结构示意图；附图2为现有直列式桥堆结构示意图；附图3为本专利技术贴装式整流半导体器件结构示意图；附图4为附图3的仰视且旋转后的结构示意图；附图5为附图3的剖面结构示意图一；附图6为附图3的剖面结构示意图二。以上附图中：1、环氧封装体；2、第一二极管芯片；3、第二二极管芯片；4、第三二极管芯片；5、第四二极管芯片；6、负极金属条；7、第一金属基片；8、第二金属基片；9、E形金属基片；10、第一连接片；11、第二连接片；111、凸起部；12、第三连接片；13、第四连接片；14、折弯部；15、第一引脚外凸部；16、第二引脚外凸部。具体实施方式下面结合附图及实施例对本专利技术作进一步描述：实施例：一种贴装式整流半导体器件，包括：由环氧封装体1包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片2、3、4、5和负极金属条6，所述环氧封装体1底部且位于左、右侧分别固定有第一、第二金属基片7、8和E形金属基片9，所述负极金属条6位于第一、第二金属基片7、8和E形金属基片9之间；第一二极管芯片2的正极端与第一金属基片7上表面电连接，第二二极管芯片3的负极端与E形金属基片9一端上表面电连接，第三二极管芯片4的负极端与E形金属基片9另一端上表面电连接，第四二极管芯片5的正极端与第二金属基片8上表面电连接；第一连接片10两端分别与第一二极管芯片2的负极端和负极金属条6的上表面电连接，第二连接片11两端分别与第二二极管芯片3的正极端和第一金属基片7的上表面电连接，第二连接片11中部具有凸起部111且该凸起部111与负极金属条6通过环氧封装体1隔离；第三连接片12两端分别与第四二极管芯片5的负极端和负极金属条6的上表面电连接，第四连接片13两端分别与第三二极管芯片4的正极端和第二金属基片8的上表面电连接；所述第一、第二、第三、第四连接片10、11、12、13沿前后方向平行设置，所述负极金属条6位于第一金属基片7和E形金属基片9之间的前端具有一折弯部14，此折弯部14底部与第一、第二金属基片7、8和E形金属基片9各自的底部位于同一水平面且均裸露出所述环氧封装体1；第一、第二金属基片7、8作为交流输入端，所述负极金属条6的折弯部14作为直流负极端，所述E形金属基片9作为直流正极端。上述环氧封装体1的厚度小于2mm。上述第一、第二金属基片7、8位于环氧封装体1边缘处的端面分别设置有至少2个第一引脚外凸部15。上述E形金属基片9位于环氧封装体1边缘处的端面设置有4个第二引脚外凸部16。采用上述贴装式整流半导体器件时，其相对现有微型桥堆产品为双面封装，本专利技术在厚度方向上单面封装，该产品厚度薄，将厚度有5mm以上调整为在2mm以内，既作为散热片又同时作为电气端子的第一、第二金属基片和E形金属基片，上面与芯片连接，下面与客户使用时的PCB连接，芯片为发热部件，芯片与PCB的散热路径最短，散热片为金属材质，导热系数优越，充分利用了PCB板自身的散热能力，避免了现有产品的通过机箱内的空气对流散热，芯片发热要通过环氧才能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种贴装式整流半导体器件，其特征在于：包括：由环氧封装体（1）包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片（2、3、4、5）和负极金属条（6），所述环氧封装体（1）底部且位于左、右侧分别固定有第一、第二金属基片（7、8）和E形金属基片（9），所述负极金属条（6）位于第一、第二金属基片（7、8）和E形金属基片（9）之间；第一二极管芯片（2）的正极端与第一金属基片（7）上表面电连接，第二二极管芯片（3）的负极端与E形金属基片（9）一端上表面电连接，第三二极管芯片（4）的负极端与E形金属基片（9）另一端上表面电连接，第四二极管芯片（5）的正极端与第二金属基片（8）上表面电连接；第一连接片（10）两端分别与第一二极管芯片（2）的负极端和负极金属条（6）的上表面电连接，第二连接片（11）两端分别与第二二极管芯片（3）的正极端和第一金属基片（7）的上表面电连接，第二连接片（11）中部具有凸起部（111）且该凸起部（111）与负极金属条（6）通过环氧封装体（1）隔离；第三连接片（12）两端分别与第四二极管芯片（5）的负极端和负极金属条（6）的上表面电连接，第四连接片（13）两端分别与第三二极管芯片（4）的正极端和第二金属基片（8）的上表面电连接；所述第一、第二、第三、第四连接片（10、11、12、13）沿前后方向平行设置，所述负极金属条（6）位于第一金属基片（7）和E形金属基片（9）之间的前端具有一折弯部（14），此折弯部（14）底部与第一、第二金属基片（7、8）和E形金属基片（9）各自的底部位于同一水平面且均裸露出所述环氧封装体（1）；第一、第二金属基片（7、8）作为交流输入端，所述负极金属条（6）的折弯部（14）作为直流负极端，所述E形金属基片（9）作为直流正极端；所述环氧封装体（1）的厚度小于2mm，所述第一、第二金属基片（7、8）位于环氧封装体（1）边缘处的端面分别设置有至少2个第一引脚外凸部（15）。...

【技术特征摘要】
1.一种贴装式整流半导体器件，其特征在于：包括：由环氧封装体（1）包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片（2、3、4、5）和负极金属条（6），所述环氧封装体（1）底部且位于左、右侧分别固定有第一、第二金属基片（7、8）和E形金属基片（9），所述负极金属条（6）位于第一、第二金属基片（7、8）和E形金属基片（9）之间；第一二极管芯片（2）的正极端与第一金属基片（7）上表面电连接，第二二极管芯片（3）的负极端与E形金属基片（9）一端上表面电连接，第三二极管芯片（4）的负极端与E形金属基片（9）另一端上表面电连接，第四二极管芯片（5）的正极端与第二金属基片（8）上表面电连接；第一连接片（10）两端分别与第一二极管芯片（2）的负极端和负极金属条（6）的上表面电连接，第二连接片（11）两端分别与第二二极管芯片（3）的正极端和第一金属基片（7）的上表面电连接，第二连接片（11）中部具有凸起部（111）且该凸起部...

【专利技术属性】
技术研发人员：何洪运，程琳，刘玉龙，
申请(专利权)人：苏州固锝电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32