用于管芯堆叠的技术和关联配置制造技术

本公开的实施例描述了用于制造堆叠的集成电路（IC）装置的技术。可以对包括多个第一IC管芯的第一晶片进行分类，以识别多个第一IC管芯中的第一已知良好管芯。可以切割第一晶片以分离第一IC管芯。可以对包括多个第二IC管芯的第二晶片进行分类，以识别多个第二IC管芯中的第二已知良好管芯。第一已知良好管芯可被接合到第二晶片的相应第二已知良好管芯。在一些实施例中，在将第一已知良好管芯接合到第二晶片之后，可以减薄第一已知良好管芯。可以描述和/或要求保护其它实施例。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于管芯堆叠的技术和关联配置
本公开的实施例一般涉及集成电路的领域，并且更具体地，涉及用于管芯堆叠的技术和关联配置。
技术介绍
由对具有更多功能性的更小且更薄的电子装置的期望所驱动，异质管芯可被紧密地耦合在一起。然而，用于堆叠异质管芯的当前技术（例如拾取（pick）和放置）要求管芯具有足够的厚度。在许多情况下，当管芯由于管芯上的应力场的改变而非常薄时，功能管芯的电性能发生偏离（drift）。此外，如果任一管芯失效，则整个封装失效，从而导致较低产量。此外，在使用穿硅通孔（TSV）的管芯中，TSV的制作是昂贵的，这主要由于高纵横比TSV的蚀刻和电镀。附图说明结合附图，通过以下详细描述将容易理解实施例。为了促进此描述，相似附图标记标明相似结构元件。作为示例而非作为限制在附图的图中示出了实施例。图1示意性地示出了根据一些实施例的以晶片形式和以分离形式（singulatedform）的示例管芯的俯视图。图2示意性地示出了根据一些实施例的集成电路（IC）组合件的横截面侧视图。图3是根据一些实施例示出了用于堆叠IC管芯的过程的流程图。图4A-4J示意性地示出了根据一些实施例的在用于制造具有堆叠的管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造堆叠的集成电路（IC）装置的方法，所述方法包括：对包括多个第一IC管芯的第一晶片进行分类以识别所述多个第一IC管芯中的第一已知良好管芯；切割所述第一晶片以分离所述第一IC管芯；对包括多个第二IC管芯的第二晶片进行分类以识别所述多个第二IC管芯中的第二已知良好管芯；以及将所述第一已知良好管芯接合到所述第二晶片的相应第二已知良好管芯。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制造堆叠的集成电路（IC）装置的方法，所述方法包括：对包括多个第一IC管芯的第一晶片进行分类以识别所述多个第一IC管芯中的第一已知良好管芯；切割所述第一晶片以分离所述第一IC管芯；对包括多个第二IC管芯的第二晶片进行分类以识别所述多个第二IC管芯中的第二已知良好管芯；以及将所述第一已知良好管芯接合到所述第二晶片的相应第二已知良好管芯。2.如权利要求1所述的方法，还包括：在与所述第二晶片上的所述第二已知良好管芯的位置对应的位置处将所述第一已知良好管芯布置在载体晶片上；其中，所述接合包括将布置在所述载体晶片上的所述第一已知良好管芯接合到所述相应第二已知良好管芯并移除所述载体晶片。3.如权利要求1所述的方法，还包括：在所述接合之后，当将所述第一已知良好管芯接合到所述第二晶片时使所述第一已知良好管芯减薄。4.如权利要求3所述的方法，还包括：在所述减薄之前，在所述第一已知良好管芯之间在所述第二晶片上形成电介质。5.如权利要求3所述的方法，其中所述减薄包括将所述第一管芯减薄至30微米或更小的厚度。6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述第一晶片的直径小于所述第二晶片的直径。7.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述第一IC管芯具有与所述第二IC管芯的电路设计不同的电路设计。8.如权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括在所述第一已知良好管芯中形成一个或多个穿硅通孔（TSV）。9.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述第一管芯包括在硅（Si）衬底上的氮化镓（GaN）。10.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：F华，CM佩尔托，VR劳，MT博尔，JM斯万，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US