一种三相整流桥元器件封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种三相整流桥元器件封装结构，属于半导体元器件领域，包括六个二极管芯片及五个支架，其特征在于，第一二极管芯片、第二二极管芯片、第三二极管芯片P极朝上设置在第五支架的上表面，第一二极管芯片、第二二极管芯片、第三二极管芯片的上表面通过凸点分别与第一支架、第二支架、第三支架相连，第四二极管芯片、第五二极管芯片和第六二极管芯片的N极朝上设置在第四支架的上表面，第四二极管芯片的上表面与第一支架相连，第五二极管芯片的上表面与第二支架相连，第六二极管芯片的上表面与第三支架相连；采用两片式结构将六颗二极管封装在一起，实现三相整流桥功能，使产品空间布局更加合理，更利于产品的微型化。

【技术实现步骤摘要】
一种三相整流桥元器件封装结构
本技术涉及半导体元器件领域，具体涉及一种三相整流桥元器件封装结构。
技术介绍
三相整流桥是将数个整流二极管塑封在一个管壳内，构成一个完整的整流电路。目前，三相整流桥越来越多的应用于变频器、大功率开关电源、高频感应加热电源以及电动汽车上，随着这些行业的发展，对三相整流桥也提出了更高的要求。现有的三相整流桥，多采用焊线工艺或跳片工艺。焊线工艺本身具有局限性，生产效率相对较低，对生产条件也较苛刻，而且采用的引线在塑封过程中很容易出现焊线坍塌的现象，造成产品良率偏低，同时影响到产品的品质；所采用的引线为铜线，而为了满足封装的要求，所用铜线细度要求极高，势必造成产品成本的提高，且搭线操作比较麻烦，搭线速度慢，影响生产效率。跳片工艺是利用跳片代替金线或银线，对生产设备要求非常高，而且在生产过程中容易出现跳片偏斜、移位的现象，造成产品良率低，同时也影响到产品的品质。跳片工艺的三相整流桥，其产品内部空间利用率低，产品大而厚，不利于产品微小化。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提供了一种结构更加稳定、生产效率更高、成本更低的两片式三相整流桥元器件封装结构。本技术为解决其技术问题所采用的技术方案是：一种三相整流桥元器件封装结构，包括第一二极管芯片、第二二极管芯片、第三二极管芯片、第四二极管芯片、第五二极管芯片、第六二极管芯片、第一支架、第二支架、第三支架、第四支架、第五支架、锡膏和塑封体，其特征在于，所述第一支架、第二支架、第三支架、第四支架、第五支架端部分别设置有第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚，所述第一引脚、第二引脚和第三引脚设置为交流极输入端，第四引脚和第五引脚设置为直流输出端，所述第一二极管芯片、第二二极管芯片、第三二极管芯片、第四二极管芯片、第五二极管芯片、第六二极管芯片技术指标相同；所述第一支架、第二支架和第三支架的下表面均设置有一个凸点，所述第四支架的上表面设置有两个凸点和一个基岛，基岛设置在第四支架远离第四引脚的一端，基岛与第四支架相连呈阶梯式结构；所述第一二极管芯片、第二二极管芯片和第三二极管芯片的P极朝上，第一二极管芯片、第二二极管芯片、第三二极管芯片均设置在第五支架的上表面，第一二极管芯片的上表面通过凸点与第一支架相连，第二二极管芯片的上表面通过凸点与第二支架相连，第三二极管芯片的上表面通过凸点与第三支架相连；所述第四二极管芯片、第五二极管芯片和第六二极管芯片的N极朝上，第四二极管芯片、第五二极管芯片均通过凸点设置在第四支架的上表面，第六二极管芯片通过基岛设置在第四支架的上表面；第四二极管芯片的上表面与第一支架相连，第五二极管芯片的上表面与第二支架相连，第六二极管芯片的上表面与第三支架相连。进一步的，所述第一支架上的凸点设置在靠近第一引脚处。进一步的，所述第二支架上的凸点设置在靠近第二引脚处。进一步的，所述第三支架上的凸点设置在靠近第三引脚处。进一步的，所述第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚裸露在塑封体之外形成平角结构。进一步的，所述第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚设置为共平面。进一步的，所述第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚均采用铜材质。进一步的，所述凸点设置为圆锥状、柱状、长方体或横截面呈V型中的一种。进一步的，所述第一支架、第二支架、第三支架共平面且平行排布。进一步的，所述第四支架、第五支架共平面且平行排布，且第四支架的排布方向垂直于第一支架的排布方向。本技术的有益效果是，采用两片式结构将六颗二极管封装在一起，实现三相整流桥功能，使产品空间布局更加合理，更利于产品的微型化，较之现有的焊线工艺技术，生产工艺条件要求相对较低，操作相对简单，生产效率较高，较之现有的跳片工艺技术，定位更精确，更利于提高产品品质；五个支架均采用截面较大的铜，与同类焊线工艺相比，内部电阻更低，功率损耗更小，散热性能更佳，即不影响产品散热的同时占用空间更小，应用领域更加广泛。附图说明图1是本技术的俯视结构示意图；图2是本技术的主视结构示意图；图3是本技术的右视结构示意图；图4是本技术的内部立体结构示意图；图5是本技术五个支架的俯视结构示意图；图6是本技术的内部芯片电路连接示意图。图中：1.第一二极管芯片，2.第二二极管芯片，3.第三二极管芯片，4.第四二极管芯片，5.第五二极管芯片，6.第六二极管芯片7.第一支架，8.第二支架，9.第三支架，10.第四支架，11.第五支架，12.塑封体，13.第一引脚，14.第二引脚，15.第三引脚，16.第四引脚，17.第五引脚，18.凸点，19.基岛。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图1-图6所示，本技术公开了一种三相整流桥元器件封装结构，包括第一二极管芯片1、第二二极管芯片2、第三二极管芯片3、第四二极管芯片4、第五二极管芯片5、第六二极管芯片6、第一支架7、第二支架8、第三支架9、第四支架10、第五支架11、锡膏和塑封体12，所述第一支架7、第二支架8、第三支架9、第四支架10、第五支架11端部分别设置有第一引脚13、第二引脚14、第三引脚15、第四引脚16、第五引脚17，所述第一引脚13、第二引脚14和第三引脚15设置为交流极输入端，第四引脚16和第五引脚17设置为直流输出端，所述第一二极管芯片1、第二二极管芯片2、第三二极管芯片3、第四二极管芯片4、第五二极管芯片5、第六二极管芯片6技术指标相同；所述第一支架7、第二支架8和第三支架9的下表面均设置有一个凸点18，第一支架7上的凸点18设置在靠近第一引脚13处，第二支架8上的凸点18设置在靠近第二引脚14处，第三支架9上的凸点18设置在靠近第三引脚15处，所述第四支架10的上表面设置有两个凸点18和一个基岛19，基岛19设置在第四支架10远离第四引脚16的一端，基岛19与第四支架10相连呈阶梯式结构；所述第一二极管芯片1、第二二极管芯片2和第三二极管芯片3的P极朝上，第一二极管芯片1、第二二极管芯片2、第三二极管芯片3均设置在第五支架11的上表面，第一二极管芯片1的上表面通过凸点18与第一支架7相连，第二二极管芯片2的上表面通过凸点18与第二支架8相连，第三二极管芯片3的上表面通过凸点18与第三支架9相连；所述第四二极管芯片4、第五二极管芯片5和第六二极管芯片6的N极朝上，第四二极管芯片4、第五二极管芯片5均通过凸点18设置在第四支架10的上表面，第六二极管芯片6通过基岛19设置在第四支架10的上表面；第四二极管芯片4的上表面与第一支架7相连，第五二极管芯片5的上表面与第二支架8相连，第六二极管芯片6的上表面与第三支架9相连。本技术所述的第一引脚13、第二引脚14、第三引脚15、第四引脚16、第五引脚17裸露在塑封体12之外形成平角结构，第一引脚13、第二引脚14、第三引脚15、第四引脚16、第五引脚17设置为共平面，且均采用铜材质。本技术所述的凸点18设置为圆锥状、柱状、长方体或横截面呈V型中的一种。本实用新本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三相整流桥元器件封装结构，包括第一二极管芯片（1）、第二二极管芯片（2）、第三二极管芯片（3）、第四二极管芯片（4）、第五二极管芯片（5）、第六二极管芯片（6）、第一支架（7）、第二支架（8）、第三支架（9）、第四支架（10）、第五支架（11）、锡膏和塑封体（12），其特征在于，所述第一支架（7）、第二支架（8）、第三支架（9）、第四支架（10）、第五支架（11）端部分别设置有第一引脚（13）、第二引脚（14）、第三引脚（15）、第四引脚（16）、第五引脚（17），所述第一引脚（13）、第二引脚（14）和第三引脚（15）设置为交流极输入端，第四引脚（16）和第五引脚（17）设置为直流输出端，所述第一二极管芯片（1）、第二二极管芯片（2）、第三二极管芯片（3）、第四二极管芯片（4）、第五二极管芯片（5）、第六二极管芯片（6）技术指标相同；所述第一支架（7）、第二支架（8）和第三支架（9）的下表面均设置有一个凸点（18），所述第四支架（10）的上表面设置有两个凸点（18）和一个基岛（19），基岛（19）设置在第四支架（10）远离第四引脚（16）的一端，基岛（19）与第四支架（10）相连呈阶梯式结构；所述第一二极管芯片（1）、第二二极管芯片（2）和第三二极管芯片（3）的P极朝上，第一二极管芯片（1）、第二二极管芯片（2）、第三二极管芯片（3）均设置在第五支架（11）的上表面，第一二极管芯片（1）的上表面通过凸点（18）与第一支架（7）相连，第二二极管芯片（2）的上表面通过凸点（18）与第二支架（8）相连，第三二极管芯片（3）的上表面通过凸点（18）与第三支架（9）相连；所述第四二极管芯片（4）、第五二极管芯片（5）和第六二极管芯片（6）的N极朝上，第四二极管芯片（4）、第五二极管芯片（5）均通过凸点（18）设置在第四支架（10）的上表面，第六二极管芯片（6）通过基岛（19）设置在第四支架（10）的上表面；第四二极管芯片（4）的上表面与第一支架（7）相连，第五二极管芯片（5）的上表面与第二支架（8）相连，第六二极管芯片（6）的上表面与第三支架（9）相连。...

【技术特征摘要】
1.一种三相整流桥元器件封装结构，包括第一二极管芯片（1）、第二二极管芯片（2）、第三二极管芯片（3）、第四二极管芯片（4）、第五二极管芯片（5）、第六二极管芯片（6）、第一支架（7）、第二支架（8）、第三支架（9）、第四支架（10）、第五支架（11）、锡膏和塑封体（12），其特征在于，所述第一支架（7）、第二支架（8）、第三支架（9）、第四支架（10）、第五支架（11）端部分别设置有第一引脚（13）、第二引脚（14）、第三引脚（15）、第四引脚（16）、第五引脚（17），所述第一引脚（13）、第二引脚（14）和第三引脚（15）设置为交流极输入端，第四引脚（16）和第五引脚（17）设置为直流输出端，所述第一二极管芯片（1）、第二二极管芯片（2）、第三二极管芯片（3）、第四二极管芯片（4）、第五二极管芯片（5）、第六二极管芯片（6）技术指标相同；所述第一支架（7）、第二支架（8）和第三支架（9）的下表面均设置有一个凸点（18），所述第四支架（10）的上表面设置有两个凸点（18）和一个基岛（19），基岛（19）设置在第四支架（10）远离第四引脚（16）的一端，基岛（19）与第四支架（10）相连呈阶梯式结构；所述第一二极管芯片（1）、第二二极管芯片（2）和第三二极管芯片（3）的P极朝上，第一二极管芯片（1）、第二二极管芯片（2）、第三二极管芯片（3）均设置在第五支架（11）的上表面，第一二极管芯片（1）的上表面通过凸点（18）与第一支架（7）相连，第二二极管芯片（2）的上表面通过凸点（18）与第二支架（8）相连，第三二极管芯片（3）的上表面通过凸点（18）与第三支架（9）相连；所述第四二极管芯片（4）、第五二极管芯片（5）和第六二极管芯片（6）的N极朝上，第四二极管芯片（4）、第五二极管芯片（5）均通过凸点（18）设置在第四支架（10）的上表面，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔凡伟，朱坤恒，侯祥浩，
申请(专利权)人：山东晶导微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37