多级驱动器、显示装置及电子设备制造方法及图纸

技术编号:19516269 阅读:24 留言:0更新日期:2018-11-21 10:46
本实用新型专利技术涉及多级驱动器、显示装置及电子设备。一种具有温度传感功能的多级驱动器包括多级驱动单元,每级驱动单元包括移位寄存器单元、第二输入端、第二输出端和反向器电路,所述第二输入端电耦接至所述反向器电路的输入端,所述第二输出端电耦接至所述反向器电路的输出端;除第一级驱动单元外,每级驱动单元的第二输入端电耦接至前一级驱动单元的第二输出端;所述第一级驱动单元的第二输入端电耦接至最后一级驱动单元的第二输出端。根据本实用新型专利技术的多级驱动器、显示装置及电子设备能够以低成本实现温度传感功能。

【技术实现步骤摘要】
多级驱动器、显示装置及电子设备
本技术涉及电路及显示
,具体而言,涉及一种多级驱动器、显示装置及电子设备。
技术介绍
对于电子设备和元器件,无论是手机、电脑等电子产品,还是微观方面的TFT器件,温度都是最重要的参数之一。温度的影响主要反映在对器件的寿命和运行性能上。高温会加速器件老化,对电子产品有不良影响。另外,温度变化会影响器件的诸如阈值电压等参数。因此,对于温度的检测是必需的。目前传统的硅基温度传感器,主要原理是当两个相同的晶体管在集电极电流密度比恒定的情况下工作时,它们的基极-发射极电压差仅与绝对温度成正比。但是,对于TFTLCD、OLED显示器等电子装置而言,硅基温度传感器集成在显示器内,但是位于显示面板之外。这样不仅增加了成本,对面板的厚度也会有一定影响。
技术实现思路
本技术提供了一种多级驱动器、显示装置及电子设备,能够以低成本实现温度传感功能。本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本公开的实践而习得。根据本技术的第一方面,提供一种具有温度传感功能的多级驱动器,包括多级驱动单元,其中:每级驱动单元包括移位寄存器单元、第二输入端、第二输出端和反向器电路,所述第二输入端电耦接至所述反向器电路的输入端,所述第二输出端电耦接至所述反向器电路的输出端;除第一级驱动单元外,每级驱动单元的第二输入端电耦接至前一级驱动单元的第二输出端;所述第一级驱动单元的第二输入端电耦接至最后一级驱动单元的第二输出端。根据一些实施例,所述反向器电路包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管,其中:所述第一NMOS晶体管的源极和栅极与第一电源电耦接;所述第一NMOS晶体管的漏极与所述第二NMOS晶体管的漏极电耦接;所述第二NMOS晶体管的源极与第二电源电耦接;所述反向器电路的输入端电耦接至所述第二NMOS晶体管的栅极;所述反向器电路的输出端电耦接至所述第二NMOS晶体管的漏极。根据一些实施例,所述反向器电路包括第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管,其中:所述第一PMOS晶体管的源极与第一电源电耦接;所述第一PMOS晶体管的漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极电耦接;所述第一NMOS晶体管的源极与第二电源电耦接;所述反向器电路的输入端电耦接至所述第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管的栅极;所述反向器电路的输出端电耦接至所述第一NMOS晶体管的漏极。根据一些实施例,所述第一电源为高电平电源,所述第二电源为低电平电源或地电源。根据一些实施例,所述反向器电路独立于所述移位寄存器单元。根据一些实施例,所述反向器电路与所述移位寄存器单元基于同一半导体工艺。根据本技术的第二方面,提供一种显示装置,包括:如前所述的任一多级驱动器,配置为用作栅极驱动器;温度检测模块,与所述多级驱动器的最后一级驱动单元的第二输出端电耦接以接收来自所述最后一级驱动单元的第二输出端的频率信号,并将所述频率信号转换为温度信号。根据一些实施例,所述温度检测模块配置为根据预置的温度频率关系模型将频率信号转换为温度信号。根据一些实施例,所述温度检测模块包括温控IC或FPGA模块。根据本技术的第三方面,提供一种电子设备,包括:如前所述的任一多级驱动器;温度检测模块,与所述多级驱动器的最后一级驱动单元的第二输出端电耦接以接收来自所述最后一级驱动单元的第二输出端的频率信号,并将所述频率信号转换为温度信号。根据本技术的多级驱动器、显示装置及电子设备,能够以低成本实现温度传感功能。附图说明包括附图以提供对本技术的进一步理解,附图并入本申请并组成本申请的一部分,附图示出了本技术的实施例,并与描述一起用于解释本技术的原理。显而易见地,以下附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他附图。在附图中:图1A和1B示出根据现有技术的温度检测电路的示意图;图2示出根据本技术示例性实施例的具有温度传感功能的多级驱动器的框图;图3示出根据本技术示例性实施例利用多级驱动器集成的反向器电路构成的自激环形振荡器的示意图;图4示出根据本技术示例性实施例的多级驱动器的各级驱动单元集成的反向器电路的电路图;图5示出根据本技术另一示例性实施例的多级驱动器的各级驱动单元集成的反向器电路的电路图;图6示出根据本技术示例性实施例的多级驱动器的驱动单元的电路图;图7A示出根据本技术示例性实施例的多级驱动器集成的反向器电路构成的自激环形振荡器在第一温度的输出波形示意图;图7B示出根据本技术示例性实施例的多级驱动器集成的反向器电路构成的自激环形振荡器在第二温度的输出波形示意图;图8示出根据本技术示例性实施例的电子设备框图。具体实施方式现在将参照附图更全面地描述本技术的示例性实施例。然而,实施例可以以多种形式来实施,且不应被理解为限于在此阐述的示例;相反,提供这些实施例使得本技术将更加全面和完整,并将本技术的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。还将理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。图1A和1B示出根据现有技术的温度检测电路的示意图。对于传统的集成电路设计而言,可通过测量环形振荡器的输出信号频率实现温度的检测。环形振荡器的突出优点是电路简单。但是,由于门电路的传输延迟时间极短,TTL门电路只有几十纳秒,CMOS电路也不过一二百纳秒,输出信号频率太高,难以获得较低的振荡频率,频率不易检测调节。为克服这个缺点,如图1A和1B所示,一般使用增加电容C和电阻R来增大反向器延迟,从而获得较低的振荡频率,图中G1、G2、G3为反向器电路。但是,为了得到频率低、易管控的输出信号而添加电容和电阻将会增加集成电路单元(例如,用于显示驱动的栅极驱动器的移位寄存器)的大小。对于显示器应用而言,这会增大面板边框。对于其他应用而言,也可能增加成本。本申请提出一种增加反向器电路数量的方案。对于多级驱动器应用,例如栅极驱动器,移位寄存器单元的数量有几百数千个。本申请采用在多级驱动器的各级驱动单元集成反向器电路的方案,则存在与驱动单元数量相同的反向器电路。这样,即使单一反向器电路延迟很小,所有反向器电路相连则可得到延迟大、频率低的输出信号。在下文中,将参照示例性实施例详细地描述根据本技术的多级驱动器、显示装置及电子设备。图2示出根据本技术示例性实施例的具有温度传感功能的多级驱动器的框图。该多级驱动器可以是用于显示器的栅极驱动器(或扫描驱动器),也可以是其他任何具有多个驱动级的驱动器。下面以栅极驱动器为例对本申请的技术方案进行说明。如图2所示,具有温度传感功能的多级驱动器(例如,栅极驱动器)包括第一级、第N-1级、第N级、第N+1级等多级驱动单元。每级驱动单元包括移位寄存器单元(未示出)、复位端Reset、第一输入端In1、第二输入端In2、第一输出端Out1、第二输出端Out2和反向器电路R(仅在第一级中示出)。第一输入端In1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有温度传感功能的多级驱动器,包括多级驱动单元,其特征在于:每级驱动单元包括移位寄存器单元、第二输入端、第二输出端和反向器电路,所述第二输入端电耦接至所述反向器电路的输入端,所述第二输出端电耦接至所述反向器电路的输出端;除第一级驱动单元外,每级驱动单元的第二输入端电耦接至前一级驱动单元的第二输出端;所述第一级驱动单元的第二输入端电耦接至最后一级驱动单元的第二输出端。

【技术特征摘要】
1.一种具有温度传感功能的多级驱动器,包括多级驱动单元,其特征在于:每级驱动单元包括移位寄存器单元、第二输入端、第二输出端和反向器电路,所述第二输入端电耦接至所述反向器电路的输入端,所述第二输出端电耦接至所述反向器电路的输出端;除第一级驱动单元外,每级驱动单元的第二输入端电耦接至前一级驱动单元的第二输出端;所述第一级驱动单元的第二输入端电耦接至最后一级驱动单元的第二输出端。2.如权利要求1所述的多级驱动器,其特征在于,所述反向器电路包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管,其中:所述第一NMOS晶体管的源极和栅极与第一电源电耦接;所述第一NMOS晶体管的漏极与所述第二NMOS晶体管的漏极电耦接;所述第二NMOS晶体管的源极与第二电源电耦接;所述反向器电路的输入端电耦接至所述第二NMOS晶体管的栅极;所述反向器电路的输出端电耦接至所述第二NMOS晶体管的漏极。3.如权利要求1所述的多级驱动器,其特征在于,所述反向器电路包括第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管,其中:所述第一PMOS晶体管的源极与第一电源电耦接;所述第一PMOS晶体管的漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极电耦接;所述第一NMOS晶体管的源极与第二电源电耦接;所述反向器电路的输入端电耦接至所述第一N...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵远洋邵贤杰张晓洁
申请(专利权)人:合肥京东方光电科技有限公司京东方科技集团股份有限公司
类型:新型
国别省市:安徽,34

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