具有共享栅极的像素结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有共享栅极的像素结构，包含的第一像素具有第一控制开关及主控制开关，第一控制开关电性连接主控制开关，通过主控制开关选择性接收外部电压，主控制开关再将外部电压传输至第一控制开关，再通过第一控制开关选择性接收外部电压，避免传输至第一像素进行充、放电的外部电压产生压降，第二像素具有第二控制开关，通过第二控制开关电性连接主控制开关，以选择性接收主控制开关所传输的外部电压，避免传输至第二像素进行充、放电的外部电压产生压降，本实用新型专利技术可用于像素面积小且高分辨率的面板，不会因为像素空间不足而无法画入。

【技术实现步骤摘要】
具有共享栅极的像素结构
本技术是关于一种面板中的像素结构设计，特别是一种具有共享栅极的像素结构。
技术介绍
随着液晶显示技术的提升，现今液晶显示面板普遍被使用在几乎人手一机的智能手机、平板计算机、笔记本电脑、液晶电视等消费性电子产品。在这些消费性电子产品中，使用薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)的液晶显示器更是被广泛应用，薄膜晶体管液晶显示器包含薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光基板及液晶层，在薄膜晶体管基板上具有多个阵列排列的薄膜晶体管及其对应配置的像素(Pixel)电极。请参照图1，现有的像素10利用一信号端D传送频率信号，并通过薄膜晶体管14的开关控制液晶电容C1及储存电容C2进行充电、放电的动作。薄膜晶体管14的开启或关闭来自栅极G1接收外部栅极驱动电路的栅极信号GS，利用栅极信号GS以供给栅极G1正电及负电的方式，以使薄膜晶体管14产生开启或关闭的动作，并对液晶电容C1及储存电容C2进行充电、放电，液晶电容C1及储存电容C2的电压会影响液晶电压，意即控制液晶显示器的驱动程度。承接上段，此一薄膜晶体管14在开关时，容易产生漏电现象，导致液晶电容C1及储存电容C2的电压下降，进而影响液晶的光学特性。例如，一般充、放电时间以60Hz(1/60秒)计算，时间较短，比较不容易发现漏电现象，漏电现象较为不明显，但以低频的频率信号，如1Hz进行充、放电时，会因为薄膜晶体管14的开关时间过长，容易造成漏电现象，从而导致液晶电容C1及储存电容C2的电压下降，更进一步地影响了液晶显示器的光学特性。接着，请参照另一现有的双薄膜晶体管结构，如图2所示，为了解决此一漏电的现象，在每一像素10、22中增加了一个薄膜晶体管20，并利用其中连接的共享栅极信号GC，以控制薄膜晶体管20的开关，进一步防止像素10及像素22各自的液晶电容C1及储存电容C2产生漏电现象。可是，此一双薄膜晶体管预防漏电的方式，在低分辨率及此两个像素10、22像素组合面积大时，不会产生尺寸不合的问题，但在高分辨率、像素面积小时，容易因为像素10、22多一个薄膜晶体管，导致面积太大而无法设计，且此一问题在非晶硅(a-Si)制程更为严重。有鉴于此，本技术为了解决现有的像素结构漏电与结构设计的面积问题，特别提出了一种具有共享栅极的像素结构，以避免漏电以及可用在像素面积小的结构中。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种具有共享栅极的像素结构，利用翻转像素，将翻转像素的薄膜晶体管结构呈现轴对称，进而改变薄膜晶体管开关顺序的方式，使其中一个薄膜晶体管的栅极可以共享，以减少新增加的薄膜晶体管，更避免占用在像素中的空间，进一步可以用在高分辨率、像素面积小的结构中。本技术的另一目的在于提供一种具有共享栅极的像素结构，可为多像素成一组共享一栅极，无论是哪一个像素中，皆可具有双栅极的功效，用于防止双薄膜晶体管在开关时会对液晶电容及储存电容产生漏电，更进一步地稳定液晶显示器的光学特性。为了达到上述目的，本技术提供一种具有共享栅极的像素结构，包含有一第一像素及一第二像素，第一像素具有一第一控制开关及一主控制开关，第一控制开关电性连接主控制开关，并通过主控制开关选择性接收外部电压，主控制开关再将外部电压传输至第一控制开关，并通过第一控制开关选择性接收外部电压，避免传输到第一像素进行充、放电的外部电压产生压降，第二像素具有一第二控制开关，第二像素通过第二控制开关电性连接主控制开关，以选择性接收主控制开关所传输的外部电压，避免传输到第二像素进行充、放电的外部电压产生压降。在本技术中，第一像素与第二像素的栅极结构以主控制开关为中线而呈现轴对称。在本技术中，第一像素包含有一第一储存电容电性连接一第一接地元件及第一控制开关，一第一液晶电容电性连接第一接地元件、第一储存电容及第一控制开关，并通过第一控制开关对第一储存电容及第一液晶电容的充、放电进行控制。在本技术中，第二像素包含有一第二储存电容电性连接一第二接地元件及第二控制开关，一第二液晶电容电性连接第二接地元件、第二储存电容及第二控制开关，通过第二控制开关对第二储存电容及第二液晶电容的充、放电进行控制。在本技术中，第一控制开关、第二控制开关及主控制开关为晶体管。在本技术中，第一控制开关、第二控制开关及主控制开关通过栅极接收信号，以进行开或关的控制。在本技术中，第一像素的第一控制开关及主控制开关与第二像素的第二控制开关应用在非晶硅制程。在本技术中，第一像素的尺寸大于、小于或等于第二像素。在本技术中，第一像素及第二像素的栅极形状可为水平型、L型、J型或指叉型。在本技术中，第一像素的栅极通道长度为1～10μm及宽度为1～300μm；第二像素的栅极通道长度为1～10μm及宽度为1～300μm。在本技术中，第一像素结合第二像素，可应用在穿透区及反射区独立的像素结构、穿透区被反射区包围的像素结构、微穿透型态反射区间隙的像素结构或透明电极略大于反射电极的像素结构。附图说明图1为现有的像素的示意图。图2为现有的双像素双开关的示意图。图3为本技术具有共享栅极的像素结构的示意图。图4a为本技术像素的结构示意图。图4b为图4a的侧面剖面示意图。图4c为现有的像素的结构示意图。图5a～图5d为本技术应用在各种像素架构的示意图。图6为本技术具有共享栅极的像素结构的另一实施例的示意图。附图标记说明：10-像素；14-薄膜晶体管；20-薄膜晶体管；22-像素；30-具有共享栅极的像素结构；32-第一像素；34-第二像素；36-第一控制开关；38-主控制开关；40-第二控制开关；42-像素；44、46、48、50-控制开关；52-像素结构；522-反射区；524-穿透区；526-信号线；528-透明电极；54-像素结构；542-反射区；544-穿透区；546-信号线；548-透明电极；56-像素结构；562-反射区；564-穿透区；566-信号线；58-像素结构；582-反射区；584-穿透区；586-信号线；588-透明电极；60-像素结构；62-第一像素；64-第二像素；66-第一控制开关；68-主控制开关；70-第二控制开关；C1-液晶电容；C2-储存电容；C3-第一储存电容；C4-第一液晶电容；C5-第二储存电容；C6-第二液晶电容；D-信号端；G1-栅极；G3、G4-栅极；G5-主栅极；Gn1、Gn2-栅极信号线；GM-主栅极信号线；GC-共享栅极信号；GS-栅极信号；L-长度；L1、L2-通道长度；S1-第一输入信号端；S2-第二输入信号端；S3-第三输入信号端；GE1、GE2、GE3-栅极电极；SE1、SE2、SE3-半导体电极；SD1、SD2、SD3-源极/漏极电极；CH1、CH2-通道结构；Vcom1-第一接地元件；Vcom2-第二接地元件；W1、W2-通道宽度。具体实施方式现今，液晶显示器为了达到省电的目的，通常会降低更新频率，一旦降低了更新频率，薄膜晶体管元件的漏电就会成为一大问题，导致开始产生了许多预防漏电的像素结构，而在本技术中，可以同时在像素中具有两个栅极控制开关，在部分像素中使用两颗薄膜晶体管，并且使用在高分辨率、像素面积本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有共享栅极的像素结构，其特征在于，包含：一第一像素，其具有一第一控制开关及一主控制开关，该第一控制开关电性连接该主控制开关，并通过该主控制开关选择性接收外部电压，该主控制开关再将该外部电压传输至该第一控制开关，并再通过该第一控制开关选择性接收该外部电压，以避免传输至该第一像素进行充、放电的该外部电压产生压降；以及一第二像素，其具有一第二控制开关，该第二像素通过该第二控制开关电性连接该主控制开关，以选择性接收该主控制开关所传输的该外部电压，以避免传输至该第二像素进行充、放电的该外部电压产生压降。

【技术特征摘要】
2018.01.24 TW 1072011691.一种具有共享栅极的像素结构，其特征在于，包含：一第一像素，其具有一第一控制开关及一主控制开关，该第一控制开关电性连接该主控制开关，并通过该主控制开关选择性接收外部电压，该主控制开关再将该外部电压传输至该第一控制开关，并再通过该第一控制开关选择性接收该外部电压，以避免传输至该第一像素进行充、放电的该外部电压产生压降；以及一第二像素，其具有一第二控制开关，该第二像素通过该第二控制开关电性连接该主控制开关，以选择性接收该主控制开关所传输的该外部电压，以避免传输至该第二像素进行充、放电的该外部电压产生压降。2.如权利要求1所述的具有共享栅极的像素结构，其特征在于，该第一像素与该第二像素的栅极结构以该主控制开关为中线而呈现轴对称。3.如权利要求1所述的具有共享栅极的像素结构，其特征在于，该第一像素更包含：一第一接地元件；一第一储存电容，其电性连接该第一接地元件及该第一控制开关；及一第一液晶电容，其电性连接该第一接地元件、该第一储存电容及该第一控制开关，通过该第一控制开关对该第一储存电容及该第一液晶电容的充、放电进行控制。4.如权利要求1所述的具有共享栅极的像素结构，其特征在于，该第二像素更包含：一第二接地元件；一第二储存电容，其电性连接该第二接地元件及该第二控制开关；及一第二液晶电容，其电性连接该第二接地元件、该第二储存电容及该第二控制开关，通过该第二控制开关对该第二储存电容及该第二液晶电容的充、放电进行控制。5.如权利要求1所述的具有共享栅极的像素结构，其特征在于，该第一控制开关、该第二控制开关及该主控制开关为晶体管。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴哲耀，周凯茹，江宜达，
申请(专利权)人：凌巨科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71