一种均匀性光伏硅片刻蚀机构制造技术

本发明专利技术公开一种均匀性光伏硅片刻蚀机构，包括控制终端、进料口、刻蚀槽、硅片清洗喷头、碱洗槽、去PSG槽、分刀式吹干机和出料口，控制终端底侧设有进料口，进料口与刻蚀槽固定连接，刻蚀槽内安装有硅片清洗喷头，刻蚀槽一端与碱洗槽固定连接，碱洗槽一端与去PSG槽固定连接，去PSG槽一端与分刀式吹干机连接，分刀式吹干机一端设置有出料口，本发明专利技术适应性强，表面刻蚀均匀性好、对硅片损伤少，几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料，相对于传统的刻蚀系统，本发明专利技术通过控制终端收集数据，对收集到的数据进行分析，通过调整刻蚀均匀系统调整刻蚀均匀性，有效地提高工作效率，具有良好的经济效益和社会效益，适宜推广使用。

【技术实现步骤摘要】
一种均匀性光伏硅片刻蚀机构
本专利技术涉及一种刻蚀系统，具体为一种均匀性光伏硅片刻蚀机构，属于半导体

技术介绍
半导体制造工艺是一种平面制造工艺，该工艺结合光刻、刻蚀、沉积、离子注入多种工艺，需要在同一衬底上形成大量各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的电子功能。其中，任何一步的工艺出现偏差，都可能会造成电路的性能参数偏离设计值。目前，随着超大规模集成电路的器件特征尺寸不断地比例缩小，集成度不断地提高，对各步工艺的控制及其工艺结果的精确度提出了更高的要求，刻蚀，它是半导体制造工艺，微电子制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤，目前的刻蚀系统只能调整一个刻蚀参数即刻蚀时间来控制目标值，而不能调整刻蚀的均匀性，导致生产出的产品合格率大大降低，增大生产成本，因此针对上述问题，我们提出了一种均匀性光伏硅片刻蚀机构。
技术实现思路
本专利技术提供一种均匀性光伏硅片刻蚀机构，通过控制终端内设置有刻蚀均匀系统，解决了现有的刻蚀系统刻蚀不均匀的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了如下的技术方案：本专利技术提供一种均匀性光伏硅片刻蚀机构，包括运行控制器、进料口、刻蚀槽、硅片清洗喷头、碱洗槽、去PSG槽、分刀式吹干机和出料口，所述控制终端底侧设有进料口，所述进料口与刻蚀槽固定连接，所述刻蚀槽内安装有硅片清洗喷头，所述刻蚀槽一端与碱洗槽固定连接，所述碱洗槽一端与去PSG槽固定连接，所述去PSG槽一端与分刀式吹干机连接，所述分刀式吹干机一端设置有出料口。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述碱洗槽内设置有所述硅片清洗喷头。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述去PSG槽内设置有所述硅片清洗喷头。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述刻蚀槽与所述碱洗槽内设有多种强腐蚀性化学药品。本专利技术所达到的有益效果是：本专利技术适应性强，表面刻蚀均匀性好、对硅片损伤少，几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料，相对于传统的刻蚀系统，本专利技术通过控制终端收集数据，对收集到的数据进行分析，通过调整刻蚀均匀性系统调整刻蚀均匀性，有效地提高工作效率，具有良好的经济效益和社会效益，适宜推广使用。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是本专利技术的结构图图；图中标号：1、控制终端；2、进料口；3、刻蚀槽；4、硅片清洗喷头；5、碱洗槽；6、去PSG槽；7、分刀式吹干机；8、出料口。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例：如图1所示，本专利技术提供一种均匀性光伏硅片刻蚀机构，包括控制终端1、进料口2、刻蚀槽3、硅片清洗喷头4、碱洗槽5、去PSG槽6、分刀式吹干机7和出料口8，控制终端1底侧设有进料口2，进料口2与刻蚀槽3固定连接，刻蚀槽3内安装有硅片清洗喷头4，刻蚀槽3一端与碱洗槽5固定连接，碱洗槽5一端与去PSG槽6固定连接，去PSG槽6一端与分刀式吹干机7连接，分刀式吹干机7一端设置有出料口8。碱洗槽5内设置有硅片清洗喷头4，硅片清洗喷头4可以有效清洗产品在碱洗槽5内洗涤时所粘上的碱性物质。去PSG槽6内设置有硅片清洗喷头4，硅片清洗喷头4可以有效清洗产品在PSG槽6内粘上的杂质。刻蚀槽3与碱洗槽5内设有多种强腐蚀性化学药品，刻蚀槽3的酸性物质对产品起到了很好地刻蚀作用，碱洗槽5内的强碱物质对于强酸可以起到很好的一个中和作用。本专利技术在使用时，启动设备，物料从进料口进入刻蚀槽内，在蚀槽内先对物料进行喷蜡，喷蜡完成后使用KOH和BDG对产品去除蜡和多孔硅，之后使用HF和HCL对物料去除磷硅玻璃和金属离子，通过控制终端收集数据，对收集到的数据进行分析，通过调整刻蚀均匀系统调整刻蚀均匀性，刻蚀完成后使用硅片清洗喷头对物料进行清洗，在碱洗槽5内的强碱物质可以很好对在刻蚀槽3内粘上的强酸物质起到中和作用，在进行清洗和烘干后就可以出料。本专利技术所达到的有益效果是：本专利技术适应性强，表面刻蚀均匀性好、对硅片损伤少，几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料，相对于传统的刻蚀系统，本专利技术通过控制终端收集数据，对收集到的数据进行分析，通过调整刻蚀均匀系统调整刻蚀均匀性，有效地提高工作效率，具有良好的经济效益和社会效益，适宜推广使用。最后应说明的是：以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种均匀性光伏硅片刻蚀机构，包括控制终端(1)、进料口(2)、刻蚀槽(3)、硅片清洗喷头(4)、碱洗槽(5)、去PSG槽(6)、分刀式吹干机(7)和出料口(8)，其特征在于，所述控制终端(1)底侧设有进料口(2)，所述进料口(2)与刻蚀槽(3)固定连接，所述刻蚀槽(3)内安装有硅片清洗喷头(4)，所述刻蚀槽(3)一端与碱洗槽(5)固定连接，所述碱洗槽(5)一端与去PSG槽(6)固定连接，所述去PSG槽(6)一端与分刀式吹干机(7)连接，所述分刀式吹干机(7)一端设置有出料口(8)。

【技术特征摘要】
1.一种均匀性光伏硅片刻蚀机构，包括控制终端(1)、进料口(2)、刻蚀槽(3)、硅片清洗喷头(4)、碱洗槽(5)、去PSG槽(6)、分刀式吹干机(7)和出料口(8)，其特征在于，所述控制终端(1)底侧设有进料口(2)，所述进料口(2)与刻蚀槽(3)固定连接，所述刻蚀槽(3)内安装有硅片清洗喷头(4)，所述刻蚀槽(3)一端与碱洗槽(5)固定连接，所述碱洗槽(5)一端与去PSG槽(6)固定连接，所述去PSG槽(6)一端与分...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷凤乾，
申请(专利权)人：江苏燕山光伏设备有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32