一种含二苯并呋喃结构的化合物及其应用制造技术

本发明专利技术属于有机电致发光材料领域，公开了一种含二苯并呋喃结构的化合物及其应用。本发明专利技术所公开化合物具有通式(I)所示的结构。将本发明专利技术的含二苯并呋喃结构的化合物应用于有机电致发光器件中，使器件具有很高的三重态能级；本发明专利技术的化合物尤其适合作为搭配深蓝光材料的空穴传输材料，并且具有激子阻挡功能，能够显著提高器件效率。

【技术实现步骤摘要】
一种含二苯并呋喃结构的化合物及其应用
本专利技术属于有机电致发光材料领域，特别涉及一种含二苯并呋喃结构的化合物及其应用。
技术介绍
有机电致发光器件，是通过在阴极和阳极引入一层或多层有机膜，实现加电发光的一种器件技术，能够实现超薄、柔性以及透明的性能，在平板显示及照明行业的应用逐年提高。根据现有技术，有机电致发光器件在其空穴传输层或空穴注入层中使用的空穴传输材料，尤其是三芳基胺衍生物类的空穴传输材料，其通常含有至少两个三芳基氨基基团或至少一个三芳基氨基基团，以及至少一个咔唑基团。这些化合物通常来源于二芳基氨基取代的三苯胺(TPA型)、二芳基氨基取代的联苯衍生物(TAD类型)或这些基础化合物的组合。此外，例如在2，7或者2，2，7，7位被两个或者四个二芳基氨基基团取代的螺二芴，也是常见的空穴传输材料。另外，上述化合物在4，4位被二苯基氨基基团取代后获得的螺二芴衍生物也是一种空穴传输材料。但是，将这些化合物作为空穴传输材料用于有机电致发光器件中，无论对于荧光OLED，还是对于磷光OLED，在器件的效率、寿命和工作电压方面，都需要改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种咔唑化合物及其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含二苯并呋喃结构的化合物，其特征在于，具有式(I)所示的通式结构：

【技术特征摘要】
1.一种含二苯并呋喃结构的化合物，其特征在于，具有式(I)所示的通式结构：其中，X表示取代或未取代螺芴基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基，取代或未取代的苯基、取代或未取代的螺硅芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的咔唑基；R1、R2、R3、R4、R5、R6各自独立地表示H、卤素、C1-12烷基、C1-12烷氧基、取代或未取代的C6-60芳基、取代或未取代的C6-60杂芳基。2.根据权利要求1所述的含二苯并呋喃结构的化合物，其特征在于，所述C6-60芳基选自苯基；所述C6-60杂芳基选自吡啶基、三嗪基、吡嗪基或嘧啶基。3.根据权利要求2所述的含二苯并呋喃结构的化合物，其特征在于，R1与R4相同、R2与R5相同、R3与R6相同。4.根据权利要求3所述的含二苯并呋喃结构的化合物，其特征在于，R2和R5同时为取代或未取代的苯基。5.根据权利要求4所述的含二苯并呋喃结构的化合物，其特征在于，具有式(II)所示的结构：其中，X...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹辰辉，黄达，陈少海，
申请(专利权)人：瑞声科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32