一种掺杂材料及其有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种掺杂材料及其有机电致发光器件，涉及有机光电材料技术领域。本发明专利技术的优点是，本发明专利技术的结构式I所示的具有良好电子受体性质的掺杂剂和结构式II所示的具有良好的电子供体性质的基质材料组建成的掺杂材料在较低的掺杂浓度下具有较高的空穴迁移率、较高的电导率，并且具有较好的整体热稳定性和溶解性，有利于材料成膜。本发明专利技术的有机电致发光器件包括阴极、阳极以及一个或多个有机物层，有机物层位于阴极和阳极之间，有机物层中的至少一层含有本发明专利技术的掺杂材料，本发明专利技术的有机电致发光器件具有较低的驱动电压，较高的发光效率和发光亮度，并且具有较长的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂材料及其有机电致发光器件
本专利技术涉及有机光电材料
，具体涉及一种掺杂材料及其有机电致发光器件。
技术介绍
有机光电材料是具有光子和电子的产生、转换和传输特性的有机材料。目前，有机光电材料已经应用于有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)。OLED是指有机光电材料在电流或电场的作用下发光的器件，它能够将电能直接转化为光能。近年来OLED作为新一代平板显示和固体照明技术正受到越来越多的关注。相比于液晶显示技术，OLED以其低功耗、主动发光、响应速度快、高对比度、无视角限制、可制作柔性显示等特点，越来越多的应用于显示及照明领域。通常OLED具有多层结构，包括氧化铟锡(ITO)阳极和金属阴极以及置于ITO阳极与金属阴极之间的若干有机光电材料层，如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等。在一定电压驱动下，电子与空穴分别由阴极与阳极注入到电子传输层和空穴传输层，两者分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，当两者在发光层中相遇结合时形成电子-空穴复合激子，激子通过发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掺杂材料，其特征在于，包括掺杂剂和基质材料，所述掺杂剂具有结构式I所示的结构通式：

【技术特征摘要】
1.一种掺杂材料，其特征在于，包括掺杂剂和基质材料，所述掺杂剂具有结构式I所示的结构通式：其中，所述R1、R2独立的选自取代或未取代的C1～C15的脂肪基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种；所述R3、R4、R5、R6独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、三氟甲氧基、硝基、取代或未取代的C1～C60的脂肪基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种；所述Ar7、Ar8独立的选自取代或未取代C1-C12的脂肪基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种；其中所述基质材料具有结构式II所示的结构通式：所述X选自C(R)2、NR、P(O)R、PR、S、SO、SO2、Si(R)2、O中的一种，其中R选自取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C6～C24的芳基、取代或未取代的C3～C24的杂芳基中的一种；所述A为氢、稠合在苯环上的取代或未取代的C6～C60的芳基、稠合在苯环上的取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种；所述Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种。2.根据权利要求1所述的一种掺杂材料，其特征在于，所述结构式I中的Ar7、Ar8独立地选自取代或未取代的C6–C12的芳基、取代或未取代的C3-C12的杂芳基；所述结构式II中的X选自C(R)2、NR、S、Si(R)2、O中的一种，其中R选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C3～C18的杂芳基中的一种；所述A为氢、稠合在苯环上的取代或未取代的C6～C30的芳基、稠合在苯环上的取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；所述Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。3.根据权利要求1所述的一种掺杂材料，其特征在于，所述结构式I中的Ar7、Ar8选自苯基；所述结构式II中的X选自C(R)2、NR、S、O中的一种，其中R选自取代或未取代的C1～C8的烷基、取代或未取代的C6～C12的芳基、取代或未取代的C3～C12的杂芳基中的一种；所述A为氢、稠合在苯环上的取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C6～C18的杂芳基中的一种；所述Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C3～C18的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡辉，孙敬，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林,22