半导体8寸晶元制造薄膜制程的WxZ工艺的陶瓷环状零部件再生方法技术

本发明专利技术公开了半导体8寸晶元制造薄膜制程的WxZ工艺的陶瓷环状零部件再生方法，包括以下步骤：（1）、将陶瓷环状零部件固定于基座上，纯水或超纯水通入高压水泵，喷射水流，水流的喷射水压不小于100bar；（2）、将陶瓷环状零部件放入高温炉，高温炉充氧气至体积分数超过35%，开始一段加热：升温速率15‑20℃/min，升至950‑1120℃，保温7‑12min，然后停止加热，并往加热炉内鼓入室温空气；（3）、二段加热：高温炉再次充氧气至体积分数超过35%，升温速率10‑15℃/min，升至1000‑1150℃，保温3‑5min，停止加热，缓慢冷却至室温。本发明专利技术的冲洗和高温分步去除杂质的方法对耐受力强的陶瓷极为适用，并且能够一步步去除顽固程度不同的杂质，工艺无污染、高效且操作方便。

【技术实现步骤摘要】
半导体8寸晶元制造薄膜制程的WxZ工艺的陶瓷环状零部件再生方法
本专利技术属于光电清洗
，尤其是半导体8寸晶元制造薄膜制程的WxZ工艺的陶瓷环状零部件再生方法。
技术介绍
半导体
使用的核心零部件，对清洁度的要求较高。作为可以耐久使用的非消耗核心零部件，不可能频繁更换，不然成本太高，而是用清洗、清洁技术来实现半导体零部件的再生，再生的零部件可以重复投入使用，性能上基本没有影响。传统的清洗是有机化学溶剂或试剂，对有机残留进行溶解后处理；或者采用辅助的的高压水喷砂清洗等。但前者会对环境造成污染，后者会损坏零部件本身表面涂层。因此，开发一种无污染、且清洗效果好的光电零部件再生方法势在必行。HJTCWxZ工艺工艺是和舰科技开发的一种半导体薄膜制程工艺，其适用的零部件包含有陶瓷材质的净化环、内环、外环等环状构件。而陶瓷是耐高温、膨胀率低而化学性质稳定的优异材料，用其作为环状构件性价比高。针对陶瓷材质零部件，本专利技术基于热胀冷缩原理，使零部件表面的杂质脱落后去除，并且令其表面的有机介质在高温有氧条件下燃烧，全程采用清洁的介质，无污染和化学残留，再生效果极佳，避免了污染性的化学药品和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体8寸晶元制造薄膜制程的WxZ工艺的陶瓷环状零部件再生方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、将陶瓷环状零部件固定于基座上，纯水或超纯水通入高压水泵，高压水泵连接旋转喷嘴，所述旋转喷嘴在水流带动下旋转，并在陶瓷环状零部件中心上方位置斜向下喷射，陶瓷环状零部件周向收到均匀的冲力，水流的喷射水压不小于100bar；（2）、将陶瓷环状零部件放入高温炉，高温炉充氧气至体积分数超过35%，固定零部件后，开始一段加热：升温速率15‑20℃/min，升至950‑1120℃，保温7‑12min，然后停止加热，并往加热炉内鼓入室温空气；（3）、在陶瓷环状零部件冷却至100~200℃时，开始二段加热：高温...

【技术特征摘要】
1.半导体8寸晶元制造薄膜制程的WxZ工艺的陶瓷环状零部件再生方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、将陶瓷环状零部件固定于基座上，纯水或超纯水通入高压水泵，高压水泵连接旋转喷嘴，所述旋转喷嘴在水流带动下旋转，并在陶瓷环状零部件中心上方位置斜向下喷射，陶瓷环状零部件周向收到均匀的冲力，水流的喷射水压不小于100bar；（2）、将陶瓷环状零部件放入高温炉，高温炉充氧气至体积分数超过35%，固定零部件后，开始一段加热：升温速率15-20℃/min，升至950-1120℃，保温7-12min，然后停止加热，并往加热炉内鼓入室温空气；（3）、在陶瓷环状零部件冷却至100~200℃时，开始二段加热：高温炉再次充氧气至体积分数超过35%，升温速率10-15℃/min，升至1000-1150℃，保温3-5min，停止加热，缓慢冷却至室温。2.根据权利要求1所述的半导体8寸晶元制造薄膜制程的WxZ工艺的陶瓷环状零部件再生方法，其特征在于，步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：范银波，
申请(专利权)人：苏州珮凯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32