一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备技术

本发明专利技术公开了一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备。该制备方法包括：形成过渡掩膜板；对所述过渡掩膜板进行电解抛光处理，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度。采用该方法制备掩膜板时，通过对过渡掩膜板进行电解抛光处理，使得获得的最终掩膜板的厚度小于过渡掩膜板的厚度，从而，减小了相邻像素混色风险，提高了有效显示区的膜厚均一性，有效地提高了OLED面板的显示良率。同时，本发明专利技术提出的掩膜板的制备方法，降低了对掩膜板原材料的厚度要求，在一定程度上降低了掩膜板的制作难度，降低了掩膜板的制作成本。本发明专利技术还公开了采用该方法制备出的掩膜板以及包括该掩膜板的蒸镀设备。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)面板具有自主发光、色彩鲜艳、低功耗、广视角等优点，已成为显示领域的主流产品。目前，OLED面板的主流制作方式是利用掩膜板蒸镀，但利用掩膜板蒸镀存在蒸镀阴影效应，严重影响了OLED面板的蒸镀效果，降低了OLED面板的显示品质。现有技术中，精细金属掩膜板(FineMetalMask，FMM)由于受到制作工艺方面的限制，很难减小蒸镀阴影，因此，急需提供一种掩膜板的制备方法，以在使用通过该方法制备出的掩膜板进行蒸镀时，可以减小蒸镀阴影，提高OLED面板的显示品质。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是，提供一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备，以减小采用掩膜板蒸镀时产生的蒸镀阴影，提高OLED面板的显示品质。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种掩膜板的制备方法，包括：形成过渡掩膜板；对所述过渡掩膜板进行电解抛光处理，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度。可选地，所述过渡掩膜板包括朝向蒸发源的第一面以及朝向待蒸镀基板的第二面，所述过渡掩膜板上设置有多个贯穿的开孔，所述对所述过渡掩膜板进行电解抛光处理，获得最终掩膜板，包括：在所述过渡掩膜板上形成保护层，所述保护层覆盖所述开孔的内侧面，所述第一面和所述第二面中的至少一面暴露出来；对带有所述保护层的过渡掩膜板进行电解抛光处理，以从暴露的面的一侧减小所述过渡掩膜板的厚度；除去所述保护层，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度。可选地，所述开孔具有邻接所述第二面的台部，自所述第一面朝向所述第二面的方向上，所述台部的横截面面积相等或逐渐增大，所述在所述过渡掩膜板上形成保护层，所述保护层覆盖所述开孔的内侧面，所述第一面和所述第二面中的至少一面暴露出来，包括：在所述过渡掩膜板上形成保护层，所述保护层覆盖所述开孔的内侧面和所述第一面，所述第二面暴露出来。可选地，在所述电解抛光处理中，所述过渡掩膜板作为阳极，阴极的材质包括铂、不锈钢、铅板、石墨中的一种。可选地，所述电解抛光处理中，电流密度为20～60A/cm2，电压为15V～30V，电解温度20℃～30℃，电解抛光处理时间为30s～60s。可选地，所述电解抛光液配方包括磷酸和铬酸酐，或者，所述电解抛光液配方包括高氯酸和酒精。可选地，采用湿法刻蚀工艺形成所述过渡掩膜板。可选地，所述保护层的材质包括树脂。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例还提供了一种掩膜板，该掩膜板采用以上所述方法制备而成，所述掩膜板包括朝向蒸发源的第一面以及朝向待蒸镀基板的第二面，所述掩膜板上设置有多个贯穿的开孔，自第一面朝向第二面方向上，开孔的横截面面积逐渐减小，所述掩膜板的厚度小于掩膜板基材的厚度。了解决上述技术问题，本专利技术实施例还提供了一种蒸镀设备，包括蒸发源以及以上所述的掩膜板，所述掩膜板设置在所述蒸发源与待蒸镀基板之间，所述掩膜板的第二面朝向待蒸镀基板方向设置。本专利技术实施例提出的掩膜板的制备方法，通过对过渡掩膜板进行电解抛光处理，使得获得的最终掩膜板的厚度小于过渡掩膜板的厚度，而掩膜板的厚度直接与蒸镀阴影效应相关，厚度越大，蒸镀阴影效应越严重，因此，相比于过渡掩膜板，厚度更小的最终掩膜板的蒸镀阴影效应大大减小，进而，减小了相邻像素混色风险，提高了有效显示区的膜厚均一性，有效地提高了OLED面板的显示良率。另外，采用本实施例的制备方法制备掩膜板时，可以通过电解抛光处理不断减小掩膜板原材料的厚度，使得最终掩膜板的厚度达到目标厚度要求，这样就可以降低对掩膜板原材料的厚度要求，在一定程度上降低了掩膜板的制作难度，降低了掩膜板的制作成本。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1为一种采用掩膜板进行蒸镀的示意图；图2为本专利技术第一实施例掩膜板的制备方法的示意图；图3为本专利技术第一实施例中形成的过渡掩膜板的结构示意图；图4a为本专利技术第一实施例中涂覆保护层后的结构示意图；图4b为本专利技术第一实施例中在过渡掩膜板上形成保护层后的结构示意图；图5为本专利技术第一实施例中电解抛光处理的示意图；图6为本专利技术第一实施例中形成的最终掩膜板的结构示意图；图7为本专利技术第二实施例中形成的过渡掩膜板的结构示意图；图8为本专利技术第二实施例中形成开孔的过程结构示意图；图9a为本专利技术第二实施例中涂覆保护层后的结构示意图；图9b为本专利技术第二实施例中在过渡掩膜板上形成保护层后的结构示意图；图10为本专利技术第二实施例中电解抛光处理的示意图；图11为本专利技术第二实施例形成的最终掩膜板的结构示意图；图12为采用图11所示的最终掩膜板进行蒸镀的示意图。附图标记说明：1—掩膜板；10—封装挡板；20—最终掩膜板；21—第一面；22—第二面；23—开孔；30—保护层；45—阴极；51—第一图案层；52—第二图案层；100—基板；200—蒸发源；231—台部；232—敞口部；511—第一镂空部；521—第二镂空部。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。图1为一种采用掩膜板进行蒸镀的示意图。在图1中，掩膜板1具有开口23，开口23具有台部231，台部231的高度为h1。掩膜板1设置在待蒸镀基板100和蒸发源200之间，台部231朝向基板100的方向设置，掩膜板1与基板100的距离即蒸镀距离为h。蒸发源200的数量为多个，在图1中只示出了蒸镀过程中的两个蒸发源，蒸发源的蒸镀范围与水平方向的夹角即蒸镀角度为θ。从图1中可以看出，在蒸镀过程中，蒸发源产生的蒸镀材料通过开口23蒸镀到基板100上，并在基板100上产生蒸镀阴影，蒸镀阴影包括位于OLED像素区域外部的外阴影和位于OLED像素区域内部的内阴影，外阴影宽度A＝(h+h1)*tan(90°-θ)，内阴影宽度B＝(h+h1)*tan(90°-θ)。外阴影会造成膜层叠加，增大混色风险，内阴影会影响有效显示区的膜厚均一性，影响光学特性。从外阴影宽度和内阴影宽度的数值上可以看出，蒸镀阴影宽度与蒸镀距离、蒸镀角度直接相关，并且蒸镀阴影宽度还与台部高度直接相关。在蒸镀距离、蒸镀角度保持不变的前提下，如何降低掩膜板的厚度以及减小台部高度成为减小蒸镀阴影效应最为直接有效的方式。现有技术中，由于受到制作工艺方面的限制，降低FMM的厚度困难重重。为了降低蒸镀阴影效应，本专利技术实施例提出了一种掩膜板的制备方法。该掩膜板的制备方法包括：形成过渡掩膜板；对所述过渡掩膜板进行电解抛光处理，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度。本专利技术实施例提出的掩膜板的制备方法，通过对过渡掩膜板进行电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：形成过渡掩膜板；对所述过渡掩膜板进行电解抛光处理，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：形成过渡掩膜板；对所述过渡掩膜板进行电解抛光处理，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述过渡掩膜板包括朝向蒸发源的第一面以及朝向待蒸镀基板的第二面，所述过渡掩膜板上设置有多个贯穿的开孔，所述对所述过渡掩膜板进行电解抛光处理，获得最终掩膜板，包括：在所述过渡掩膜板上形成保护层，所述保护层覆盖所述开孔的内侧面，所述第一面和所述第二面中的至少一面暴露出来；对带有所述保护层的过渡掩膜板进行电解抛光处理，以从暴露的面的一侧减小所述过渡掩膜板的厚度；除去所述保护层，获得最终掩膜板，所述最终掩膜板的厚度小于所述过渡掩膜板的厚度。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述开孔具有邻接所述第二面的台部，自所述第一面朝向所述第二面的方向上，所述台部的横截面面积相等或逐渐增大，所述在所述过渡掩膜板上形成保护层，所述保护层覆盖所述开孔的内侧面，所述第一面和所述第二面中的至少一面暴露出来，包括：在所述过渡掩膜板上形成保护层，所述保护层覆盖所述开孔的内侧面和所述第一面，所述第二面暴露出来。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：徐倩，张微，嵇凤丽，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11