【技术实现步骤摘要】
掩模版及其制作方法
本专利技术涉及设备
,尤其涉及掩模版及其制作方法。
技术介绍
真空镀膜(vacuumevaporation)设备是一种常用的成膜设备,具体是将待沉积材料和待沉积基板置于真空室中,采用一定方法加热待沉积材料,使之蒸发或升华,并在待沉积基板上成膜的工艺。由于采用真空镀膜方式所沉积的膜层在致密度、纯度以及与基板的附着力等方面效果较好,因而在例如有机电致发光器件(OLED)的制备过程中得到了广泛的应用。为了使待沉积材料沉积于基板上的某些特定区域,例如OLED器件的像素区,通常在真空镀膜设备的真空室安装蒸镀用的掩模版(例如金属精密掩模版,FMM),这种掩模版上形成有像素孔和遮挡区域,受热蒸发的待沉积材料通过掩模版上的像素孔沉积在基板上对应的像素区。在将掩模版安装于真空镀膜设备之前,为了避免重力作用导致的变形,通常利用张网装置对掩模版的端部施加一定的拉力,将掩模版焊接在掩模版框架(maskframe)上。但是,专利技术人发现,较小的拉力会造成掩模版的下垂量较大,而较大的拉力又容易导致在掩模版上出现褶皱,并且,在被拉伸时,掩模版上的应力分布不均,容易导 ...
【技术保护点】
1.一种掩模版,其特征在于,包括:开孔区,所述开孔区具有多个镂空孔;夹持区,所述夹持区位于所述掩模版的端部;以及应力缓冲区,所述应力缓冲区位于所述开孔区与所述夹持区之间,所述应力缓冲区包括至少一个凸部和至少一个凹部,所述凸部和所述凹部一一对应地设置于所述掩模版的沿厚度方向相对的两个表面。
【技术特征摘要】
1.一种掩模版,其特征在于,包括:开孔区,所述开孔区具有多个镂空孔;夹持区,所述夹持区位于所述掩模版的端部;以及应力缓冲区,所述应力缓冲区位于所述开孔区与所述夹持区之间,所述应力缓冲区包括至少一个凸部和至少一个凹部,所述凸部和所述凹部一一对应地设置于所述掩模版的沿厚度方向相对的两个表面。2.如权利要求1所述的掩模版,其特征在于,所述掩膜板包括至少两个夹持区,所述开孔区与每个所述夹持区之间设置有至少一个应力缓冲区。3.如权利要求2所述的掩模版,其特征在于,每个所述应力缓冲区包括多个间隔设置的凸部,多个凸部均匀分布。4.如权利要求1至3任一项所述的掩模版,其特征在于,所述凹部的深度等于所述掩模版的厚度的四分之一至二分之一。5.如权利要求1至3任一项所述的掩模版,其特征在于,在平行于所述掩模版的表面方向上,所述凸部和/或所述凹部的横截面形状为圆形、扇形、椭圆形、三角形、四边...
【专利技术属性】
技术研发人员:张继帅,黄秀颀,叶訢,李伟丽,
申请(专利权)人:昆山国显光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。