【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】茂金属化合物、包含其的烯烃聚合用催化剂组分和烯烃聚合用催化剂、和使用烯烃聚合用催化剂生产烯烃聚合物的方法
本专利技术涉及茂金属化合物、包含其的烯烃聚合用催化剂组分和烯烃聚合用催化剂、和使用烯烃聚合用催化剂生产烯烃聚合物的方法。更具体地,本专利技术涉及在环戊二烯并噻吩的3位具有芳基取代基或杂芳基取代基并且具有桥接型(bridged)(环戊二烯)-(环戊二烯并噻吩)作为基本骨架的茂金属化合物,包含所述茂金属化合物的烯烃聚合用催化剂组分和烯烃聚合用催化剂,和使用烯烃聚合用催化剂生产烯烃聚合物(特别地,乙烯系聚合物)的方法。
技术介绍
作为用于改善在成形加工性方面通常较差的茂金属系聚乙烯的成形加工性的方法,已知将高压法低密度聚乙烯共混至茂金属系聚乙烯中的方法和使用特定的茂金属通过聚合反应将长支链(long-chainbranches)引入至聚乙烯中的方法。由于前者需要共混步骤,因此生产成本变高。此外,所得共混物在成形加工性方面优异,但是作为茂金属系聚乙烯的优势的机械强度降低。另一方面,已知如下方法:使用桥接双茚基化合物(例如,参见专利文献1)或几何约束半茂金属(参见专利文 ...
【技术保护点】
1.一种由以下通式(1)表示的茂金属化合物:
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.03 JP 2017-0410111.一种由以下通式(1)表示的茂金属化合物:在式(1)中,M1表示Ti、Zr和Hf中的任意的过渡金属;X1和X2各自独立地表示氢原子、卤素、碳数为1至20的烃基、含氧或氮的碳数为1至20的烃基、由碳数为1至20的烃基取代的氨基、或碳数为1至20的烷氧基;Q1和Q2各自独立地表示碳原子、硅原子或锗原子;R1、R2、R3和R4各自独立地表示氢原子或碳数为1至10的烃基,并且可以与结合至其的Q1和Q2中的至少一个一起形成环;m为0或1,并且在m为0的情况下,Q1直接结合至包含R9和R10的共轭五元环;R5、R6、R7、R8、R9、R10和R12各自独立地表示氢原子、卤素、碳数为1至20的烃基、含1至6的硅数的碳数为1至18的含硅烃基、碳数为1至20的含卤素烃基、含氧的碳数为1至20的烃基、或由碳数为1至20的烃基取代的甲硅烷基;并且R11表示由以下通式(1-a)表示的取代或未取代的芳基:在式(1-a)中,Y1表示周期表的第14族、第15族或第16族的原子;R13、R14、R15、R16和R17各自独立地表示氢原子、卤素原子、碳数为1至20的烃基、含氧或氮的碳数为1至20的烃基、由碳数为1至20的烃基取代的氨基、碳数为1至20的烷氧基、含1至6的硅数的碳数为1至18的含硅烃基、碳数为1至20的含卤素烃基、或由碳数为1至20的烃基取代的甲硅烷基,并且R13、R14、R15、R16和R17中相邻取代基可以与结合至其的原子一起形成环;n为0或1,并且在n为0的情况下,在Y1上不存在取代基R13;p为0或1,并且在p为0的情况下,取代基R16和与R16结合的碳原子不存在,并且与R15结合的碳原子和与R17结合的碳原子直接结合。2.一种由以下通式(2)表示的茂金属化合物:在式(2)中,M1表示Ti、Zr和Hf中的任意的过渡金属;X1和X2各自独立地表示氢原子、卤素、碳数为1至20的烃基、含氧或氮的碳数为1至20的烃基、由碳数为1至20的烃基取代的氨基、或碳数为1至20的烷氧基;Q1表示碳原子、硅原子或锗原子;R1和R2各自独立地表示氢原子或碳数为1至10的烃基,并且可以与结合至其的Q1一起形成环;R5、R6、R7、R8、R9、R10和R12各自独立地表示氢原子、卤素、碳数为1至20的烃基、含1至6的硅数的碳数为1至18的含硅烃基、碳数为1至20的含卤素烃基、含氧的碳数为1至20的烃基、或由碳数为1至20的烃基取代的甲硅烷基;R18、R19、R20、R21和R22各自独立地表示氢原子、卤素原子、碳数为1至20的烃基、含氧或氮的碳数为1至20的烃基、由碳数为1至20的烃基取代的氨基、碳数为1至20的烷氧基、含1至6的硅数的碳数为1至18的含硅烃基、碳数为1至2...
【专利技术属性】
技术研发人员:樱木努,石滨由之,
申请(专利权)人:日本聚乙烯株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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