一种肖特基二极管器件制造技术

一种肖特基二极管，属于半导体功率技术领域。本发明专利技术包括自下而上依次设置的金属化阴极、N+半导体衬底、N型半导体纳米线阵列、肖特基金属和金属化阳极，N型半导体纳米线空隙之间填充有复合绝缘介质层。由于不同介电常数的绝缘介质层形成的复合界面能够引入电场峰值，并且靠近金属化阳极一侧的绝缘介质层的介电常数较高，故而能够有效降低肖特基结处表面电场，使得半导体纳米线内部的电场分布更加均匀。由此提高器件的击穿电压并可适当增大半导体纳米线的掺杂浓度以降低导通电阻、减小导通损耗，从而改善肖特基二极管的击穿电压和正向导通压降的矛盾关系。

【技术实现步骤摘要】
一种肖特基二极管器件
本专利技术属于功率半导体
，具体涉及一种肖特基二极管。
技术介绍
二极管广泛应用于各类电子产品中，是一种不可或缺的电子元器件。功率二极管中应用最广泛的包括PN结二极管、肖特基二极管(SBD)、结势垒二极管(JBS)等。其中，肖特基二极管又称为肖特基势垒二极管，是基于半导体物理金属-半导体接触理论而发展起来的一类两端半导体器件，其金属和半导体之间形成电气非线性接触，具有较低的开启电压和导通压降；又因为是单极导电，无载流子存储效应，因而反向恢复时间短，开关速度很快，被广泛应用在各种高频、微波、整流、开关电源及高速电路中。但是，肖特基二极管的反向漏电流较大，温度特性较差，且传统的平面型结构容易发生表面击穿。由于肖特基二极管是单极器件，其击穿电压和正向导通压降之间也存在“硅极限”问题，即如若要提高肖特基二极管的击穿电压，则需要降低其漂移区掺杂浓度、增大漂移区的厚度，这必然会引起导通压降的增大以及正向导通损耗的增加。
技术实现思路
鉴于上文所述，本专利技术针对SBD的反向击穿电压与正向导通压降之间存在矛盾关系这一技术缺陷，提供一种基于纵向纳米线阵列之间填充复合绝缘介质层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种肖特基二极管，其结构包括自下而上依次设置的金属化阴极(1)、N+半导体衬底(2)、N型半导体纳米线阵列、肖特基金属(5)和金属化阳极(6)，其特征在于：所述N型半导体纳米线阵列由相互独立、互不接触的N型半导体纳米线(3)组成；N型半导体纳米线阵列之间填充有复合绝缘介质层(4)；所述复合绝缘介质层(4)是由至少两层绝缘介质层按照介电常数自下而上递增的规律相叠而成；所述复合绝缘介质层(4)的下表面与N+半导体衬底(2)相接触，复合绝缘介质层(4)和N型半导体纳米线阵列的上表面与肖特基金属(5)相接触。

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，其结构包括自下而上依次设置的金属化阴极(1)、N+半导体衬底(2)、N型半导体纳米线阵列、肖特基金属(5)和金属化阳极(6)，其特征在于：所述N型半导体纳米线阵列由相互独立、互不接触的N型半导体纳米线(3)组成；N型半导体纳米线阵列之间填充有复合绝缘介质层(4)；所述复合绝缘介质层(4)是由至少两层绝缘介质层按照介电常数自下而上递增的规律相叠而成；所述复合绝缘介质层(4)的下表面与N+半导体衬底(2)相接触，复合绝缘介质层(4)和N型半导体纳米线阵列的上表面与肖...

【专利技术属性】
技术研发人员：任敏，何文静，杨梦琦，李泽宏，高巍，张金平，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51