一种抑制二次雪崩的二极管芯片结构制造技术

本发明专利技术提供一种抑制二次雪崩的二极管芯片结构，包括依次分布的阳极P+区、衬底N区和阴极N+区，其边缘的阳极P+区至衬底N区三分之二处设有弧形沟槽，使得边缘PN结形成正斜角度；所述阴极N+区内设有P型控制区，所述P型控制区的平均掺杂浓度大于所述衬底N区的平均掺杂浓度，小于所述阳极P+区的平均掺杂浓度。与常规结构的二极管芯片，此结构的二极管芯片在反向恢复过程中发生雪崩时，会有大量的电子向阴极N+区方向迁移，此时，P型控制区内的空穴向衬底N区注入，与迁移的电子相互补偿，削弱NN+结附近的电场，避免在NN+结附近出现二次雪崩，从而降低二极管在反向恢复过程中的失效率，延长二极管芯片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种抑制二次雪崩的二极管芯片结构
本专利技术涉及二极管
，尤其是一种抑制二次雪崩的二极管芯片结构。
技术介绍
二极管，特别是高压二极管，虽然已经对PN结边缘进行了合适的处理，使边缘PN结的电场小于体内电场，使得低压二极管在短时间内发生雪崩不至于造成二极管的烧坏。然而，随着二极管电压要求越来越高，二极管芯片会出现二次雪崩，即由于雪崩电子引起NN+结附近电场变强，使得二极管芯片在NN+结附近发生二次雪崩，导致二极管瞬间通过大电流，产生大量的热能，烧坏二极管芯片。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提供了一种抑制二次雪崩的二极管芯片结构，旨在减少高压二极管的失效率。一种抑制二次雪崩的二极管芯片结构，包括依次分布的阳极P+区、衬底N区和阴极N+区，其边缘的阳极P+区至衬底N区三分之二处设有弧形沟槽，使得边缘PN结形成80°～90°的正斜角度；所述阴极N+区内设有P型控制区，所述P型控制区的平均掺杂浓度大于所述衬底N区的平均掺杂浓度，小于所述阳极P+区的平均掺杂浓度。进一步的，所述P型控制区设置于所述阴极N+区且所述紧挨所述衬底N区。进一步的，所述P型控制区的掺杂浓度为1e15～1e16本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抑制二次雪崩的二极管芯片结构，包括依次分布的阳极P+区、衬底N区和阴极N+区，其特征在于，其边缘的阳极P+区至衬底N区三分之二处设有弧形沟槽，使得边缘PN结形成80°～90°的正斜角度；所述阴极N+区内设有P型控制区，所述P型控制区的平均掺杂浓度大于所述衬底N区的平均掺杂浓度，小于所述阳极P+区的平均掺杂浓度。

【技术特征摘要】
1.一种抑制二次雪崩的二极管芯片结构，包括依次分布的阳极P+区、衬底N区和阴极N+区，其特征在于，其边缘的阳极P+区至衬底N区三分之二处设有弧形沟槽，使得边缘PN结形成80°～90°的正斜角度；所述阴极N+区内设有P型控制区，所述P型控制区的平均掺杂浓度大于所述衬底N区的平均掺杂浓度，小于所述阳极P+区的平均掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的抑制二次雪崩的二极管芯片结构，其特征在于，所述P型控制区设置于所述阴极N+区...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹孙根，王志忠，张俊超，芮正果，
申请(专利权)人：安徽钜芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34