温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种抑制二次雪崩的二极管芯片结构，包括依次分布的阳极P+区、衬底N区和阴极N+区，其边缘的阳极P+区至衬底N区三分之二处设有弧形沟槽，使得边缘PN结形成正斜角度；所述阴极N+区内设有P型控制区，所述P型控制区的平均掺杂浓度大于所述...
该专利属于安徽钜芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽钜芯半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。