【技术实现步骤摘要】
一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管
本技术涉及半导体器件
，具体涉及一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管。
技术介绍
氧化镓(Ga2O3)半导体具有高达4.8eV的超宽禁带和8MV/cm的超大击穿场强，是制备超大功率电力电子器件的理想材料。此外，高质量的氧化镓单晶衬底可通过熔融生长法制得，可保证低制备成本低。现有的Ga2O3基场效应晶体管器件多采用横向结构(参见文献N.Moseretal.,Ge-Dopedβ-Ga2O3MOSFETs,IEEEElectronDeviceLetters,vol.38,no.6,pp.775-778,2017)，主要依靠器件栅极与源极之间的有源区承受电压，通过增加栅源距离提高耐压将导致大幅度增加芯片面积，且横向结构器件性能易受材料表面态的影响，并不能充分发挥Ga2O3材料高击穿的优势。而目前Ga2O3材料的p型掺杂尚无可靠方法实现，所以无法采用传统的结型结构制得垂直场效应晶体管。因此，如何实现垂直Ga2O3基场效应晶体管成为当前业界亟待解决的重点难题之一。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本技术目的在于提供一种鳍式...
【技术保护点】
1.一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管，其特征在于，包括：由下至上层叠的漏电极(101)、n+‑Ga2O3衬底(102)以及n‑‑Ga2O3耐压层(103)，所述的n‑‑Ga2O3耐压层(103)上表面设置条状延伸的n‑‑Ga2O3沟道层(104)，在所述n‑‑Ga2O3沟道层(104)上表面向上依次设有n+‑Ga2O3接触层(105)和源电极(108)；在所述n‑‑Ga2O3沟道层(104)、n+‑Ga2O3接触层(105)侧面和n‑‑Ga2O3耐压层(103)上表面设有用于绝缘的栅介质层(106)，所述栅介质层(106)在n‑‑Ga2O3沟道层(104)和n‑‑Ga...
【技术特征摘要】
1.一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管，其特征在于，包括：由下至上层叠的漏电极(101)、n+-Ga2O3衬底(102)以及n--Ga2O3耐压层(103)，所述的n--Ga2O3耐压层(103)上表面设置条状延伸的n--Ga2O3沟道层(104)，在所述n--Ga2O3沟道层(104)上表面向上依次设有n+-Ga2O3接触层(105)和源电极(108)；在所述n--Ga2O3沟道层(104)、n+-Ga2O3接触层(105)侧面和n--Ga2O3耐压层(103)上表面设有用于绝缘的栅介质层(106)，所述栅介质层(106)在n--Ga2O3沟道层(104)和n--Ga2O3耐压层(103)连接处相对应的另一表面设有栅电极(107)；所述的n--Ga2O3沟道层(104)和n+-Ga2O3接触层(105)组成三维鳍片状结构，所述的三维鳍片状结构在n--Ga2O3耐压层(103)上表面平行设置两组或以上。2.根据权利要求1所述一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管，其特征在于，所述三维鳍片状结构的宽度为x，则x的范围为10nm≤x≤1μm。3.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢星，任远，陈志涛，刘晓燕，赵维，龚政，黎子兰，
申请(专利权)人：广东省半导体产业技术研究院，
类型：新型
国别省市：广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。