低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管，其包括：在基板上的呈类环状的多晶硅层；在所述基板和所述多晶硅层上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上的栅极；在所述第一绝缘层上和所述栅极上的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，以分别与所述多晶硅层接触。本发明专利技术还提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法。本发明专利技术通过制作具有类环状的多晶硅层，可以减小晶体管的沟道宽度，从而更利于晶体管的散热，提升晶体管的稳定性，进而有利于制作高分辨率、低功耗的显示面板。

【技术实现步骤摘要】
低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
本专利技术属于薄膜晶体管的制作
，具体地讲，涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
目前，作为显示面板的开关元件而广泛采用的是非晶硅薄膜三极管(a-SiTFT)，但a-SiTFT在满足薄型、轻量、高精细度、高亮度、高可靠性、低功耗等要求仍受到限制。低温多晶硅(LowerTemperaturePolycrystalSilicon，LTPS)TFT与a-SiTFT相比，具有高电子迁移率的多晶硅层，因此在满足上述要求方面，具有明显优势。但是，LTPSTFT在具有高电子迁移率的同时，其发热量也随之变大，不利于提高产品的可靠性。
技术实现思路
为实现上述的目的，本专利技术提供了一种通过减小沟道宽度来降低发热量的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法。根据本专利技术的一方面，提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管，其包括：在基板上的呈类环状的多晶硅层；在所述基板和所述多晶硅层上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上的栅极；在所述第一绝缘层上和所述栅极上的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，以分别与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：在基板上的呈类环状的多晶硅层；在所述基板和所述多晶硅层上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上的栅极；在所述第一绝缘层上和所述栅极上的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，以分别与所述多晶硅层接触。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：在基板上的呈类环状的多晶硅层；在所述基板和所述多晶硅层上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上的栅极；在所述第一绝缘层上和所述栅极上的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，以分别与所述多晶硅层接触。2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述多晶硅层的纵截面形状包括轴对称的两个类三角形状，所述类三角形状包括第一直边、第二直边和弧边，所述第一直边位于所述基板上，所述第二直边的第一端与所述第一直边的第一端连接，所述弧边连接在所述第一直边的第二端和所述第二直边的第二端之间，所述弧边向所述类三角形状以内内凹。3.根据权利要求1或2所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述多晶硅层的横截面形状呈圆环形。4.根据权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述多晶硅层的内腔的横截面面积沿着远离所述基板的方向逐渐减小。5.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管还包括在所述基板和多晶硅层之间缓冲层。6.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成呈类环状的多晶硅层；在所述基板和所述多晶硅层...

【专利技术属性】
技术研发人员：易国霞，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42