扩展方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式涉及一种扩展方法，其具有以下工序：准备具有沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，并扩大芯片的间隔的工序(IIC)。

【技术实现步骤摘要】
扩展方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置本申请是申请人提交的申请号为201380067782.4、专利技术名称为“扩展方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置”的申请的分案申请。母案申请日为2013年12月26日，优先权日为2012年12月26日。
本专利技术的实施方式涉及扩展方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置。
技术介绍
近年来，半导体芯片向薄膜化及小型化取得惊人的进展。特别是对内置于像存储卡或灵巧卡片那样的IC卡中的半导体芯片，例如要求75μm以下的厚度、以及10mm×10mm以下的芯片尺寸。认为随着今后IC卡的需求增加，薄膜化及小型化的必要性更进一步提高。半导体芯片通常通过将半导体晶片在背面研磨工序或蚀刻工序等中制成规定的厚度后，在切割工序中将半导体晶片单片化而获得。在切割工序中，通常采用将半导体晶片利用切割刀片切断的刀片切割方式。在刀片切割方式中，有时因切削时产生的切削阻力而在半导体芯片中产生微小的缺损(也称为“崩裂”。)。崩裂的产生不仅会损害半导体芯片的外观，而且根据程度连半导体芯片上的电路图案也有可能发生破损，最近，作为重要的问题之一被抓住不放。就薄膜化及小型化的半导体芯片而言，所允许的崩裂的水平更加严格。今后，预测由于半导体芯片的薄膜化及小型化不断发展，崩裂的问题会变得更加深刻。作为切割工序中的其他方式，有隐形切割方式。隐形切割方式是特别适合用于将极薄的半导体晶片切断的方式，已知根据隐形切割方式，能够抑制崩裂的产生。隐形切割方式如下进行。若示出一个例子，在隐形切割方式中，首先，使聚光点对准半导体晶片内部对半导体晶片照射激光，在半导体晶片内部形成由多光子吸收产生的脆弱的改性部。若使激光的照射位置沿着将半导体晶片分割成各个半导体芯片的预定的线(也称为“分割预定线”。)移动，则能够形成沿着分割预定线的改性部(也称为“切割线”。)。接着，在半导体晶片的背面(没有形成电路的一面)粘贴切割带后，将切割带进行拉伸。由此，对半导体晶片给予外部应力，沿着分割预定线将半导体晶片切断，截断成各个半导体芯片，同时半导体芯片的间隔扩大。将切割带进行拉伸的工序通常称为扩展工序。扩展工序无论切割工序是通过刀片切割方式来进行、或者是通过隐形切割方式来进行，均为一般进行的工序。当切割工序通过刀片切割方式来进行时，使用切割刀片将半导体晶片分割成半导体芯片后，为了扩大半导体芯片的间隔而进行扩展工序。此时的扩展工序的主要目的是使半导体芯片的拾取变得容易。此外，当切割工序通过隐形切割方式来进行时，扩展工序如上所述作为用于将形成有切割线的半导体晶片分割成半导体芯片的工序发挥功能。此外，除此以外，扩展工序还作为用于扩大所分割的半导体芯片的间隔的工序发挥功能。适用于扩展工序的方法及装置例如公开于专利文献1～3等中。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-109044号公报专利文献2：日本特开2005-057158号公报专利文献3：日本特开2009-253071号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题另外，以往，在半导体芯片与支撑部件等被粘物的粘接中主要使用银糊剂。然而，在对薄膜化及小型化的半导体芯片使用银糊剂的情况下，糊剂的溢出、膜厚控制的困难性、起因于半导体芯片的倾斜的引线接合的不良情况、空隙的产生等成为无法忽视的问题。特别是在对于半导体装置也要求半导体芯片的高集成化及支撑部件的小型化的现状下，这些成为大问题。因此，近年来，在半导体芯片与被粘物的粘接时，逐渐使用膜状的芯片焊接材即芯片焊接膜。在使用芯片焊接膜的情况下，例如在半导体晶片的背面依次粘贴芯片焊接膜及切割带。之后，在切割工序中通过将半导体晶片与芯片焊接膜同时切断，得到带芯片焊接膜的半导体芯片。所得到的半导体芯片能够介由芯片焊接膜而粘接到被粘物上。在将半导体晶片及芯片焊接膜通过隐形切割方式切断的情况下，在扩展工序中，要求与形成有切割线的半导体晶片一起将芯片焊接膜切断。通过扩展工序，半导体晶片及芯片焊接膜被分割成带单片化的芯片焊接膜的半导体芯片(也称为“芯片”。)。鉴于这样的状况，本专利技术的实施方式的目的是提供能够将半导体晶片及芯片焊接膜良好地切断的扩展方法。此外，本专利技术的实施方式的目的是提供通过采用上述扩展方法能够高效地制造半导体装置的半导体装置的制造方法、及由此得到的半导体装置。用于解决课题的方案本专利技术的实施方式涉及一种扩展方法，其包括以下工序：准备具有沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，并扩大芯片的间隔的工序(IIC)。此外，本专利技术的另一实施方式涉及一种半导体装置的制造方法，其包含以下工序：准备具有沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，并扩大芯片的间隔的工序(II)；将芯片从切割带上拾取的工序(III)；以及将芯片进行芯片焊接到被粘物上的工序(IV)，工序(I)及工序(II)通过上述实施方式的扩展方法来进行。本专利技术的又一实施方式涉及一种半导体装置，其是具有被粘物和粘接于该被粘物上的芯片的半导体装置，通过上述实施方式的半导体装置的制造方法来制造。本申请的公开内容与2012年12月26日申请的日本特愿2012-282785号中记载的主題相关，它们的公开内容通过引用援引于此。专利技术效果根据本专利技术的实施方式，可以提供能够将半导体晶片及芯片焊接膜良好地切断的扩展方法。此外，根据本专利技术的实施方式，可以提供能够高效地制造半导体装置的半导体装置的制造方法、及由此得到的半导体装置。附图说明图1是表示扩展方法的一实施方式的简图。图2是表示得到沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片的工序的一实施方式的简图。图3是表示在半导体晶片上粘贴芯片焊接膜的工序的一实施方式的简图。图4是表示在芯片焊接膜上粘贴切割带的工序的一实施方式的简图。图5是表示在半导体晶片上粘贴切割芯片焊接一体型片材的工序的一实施方式的简图。图6A是表示扩展方法的一实施方式(工序(Ia)～(IIa))的简图。图6B是表示扩展方法的一实施方式(工序(IIb)～(IIc))的简图。图7A是表示扩展方法的一实施方式(工序(Ia’)～(IIa’))的简图。图7B是表示扩展方法的一实施方式(工序(IIb’)～(IIc’))的简图。图8是表示层叠体的一实施方式的简图。图9是表示扩展方法的一实施方式的流程图。图10是表示将芯片从切割带上拾取的工序的一实施方式的简图。图11是表示将芯片进行芯片焊接到被粘物上的工序的一实施方式的简图。图12是表示半导体装置的一实施方式的简图。图13是表示半导体装置的一实施方式的简图。图14A是表示用于拉伸量及拉伸率的评价的切割带的一实施方式的简图。图14B是表示实施例1及比较例1中用于评价的切割芯片焊接一体型片材的简图。图15是表示实施例2中扩展后的半导体晶片的照片。图16是表示实施例3中扩展后的半导体晶片的照片。图17是表示比较例2中扩展后的半导体晶片的照片。图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其工序中具有扩展方法，所述扩展方法包含以下工序：在沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片上使用切割芯片焊接一体型片材，准备具有半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，扩大芯片的间隔的工序(IIC)。

【技术特征摘要】
2012.12.26 JP 2012-2827851.一种半导体装置的制造方法，其工序中具有扩展方法，所述扩展方法包含以下工序：在沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片上使用切割芯片焊接一体型片材，准备具有半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，扩大芯片的间隔的工序(IIC)。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述切割芯片焊接一体型片材具有芯片焊接膜及切割带，所述芯片焊接膜包含含有热固化型环氧树脂的粘接剂。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述扩展方法包含以下工序：在沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片上使用切割芯片焊接一体型片材，准备具有半导体晶片、芯片焊接膜、切割带及框的层叠体的工序(Ia)；向具备能够升降的扩展平台及能够将框固定的固定部件的扩展装置的扩展平台上面供给层叠体的工序(Ib)；通过固定部件将框固定的工序(Ic)；在层叠体冷却的状态下使扩展平台上升，将切割带进行拉伸的工序(IIa)；使上升后的扩展平台下降，将拉伸后的切割带松弛的工序(IIb)；以及在层叠体冷却的状态下使扩展平台上升，将切割带进行拉伸，将半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩永有辉启，铃村浩二，作田竜弥，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP