扩展方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式涉及一种扩展方法，其具有以下工序：准备具有沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，并扩大芯片的间隔的工序(IIC)。

【技术实现步骤摘要】
扩展方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置本申请是申请人提交的申请号为201380067782.4、专利技术名称为“扩展方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置”的申请的分案申请。母案申请日为2013年12月26日，优先权日为2012年12月26日。
本专利技术的实施方式涉及扩展方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置。
技术介绍
近年来，半导体芯片向薄膜化及小型化取得惊人的进展。特别是对内置于像存储卡或灵巧卡片那样的IC卡中的半导体芯片，例如要求75μm以下的厚度、以及10mm×10mm以下的芯片尺寸。认为随着今后IC卡的需求增加，薄膜化及小型化的必要性更进一步提高。半导体芯片通常通过将半导体晶片在背面研磨工序或蚀刻工序等中制成规定的厚度后，在切割工序中将半导体晶片单片化而获得。在切割工序中，通常采用将半导体晶片利用切割刀片切断的刀片切割方式。在刀片切割方式中，有时因切削时产生的切削阻力而在半导体芯片中产生微小的缺损(也称为“崩裂”。)。崩裂的产生不仅会损害半导体芯片的外观，而且根据程度连半导体芯片上的电路图案也有可能发生破损，最近，作为重要的问题之一被抓住不放。就薄膜化及小型化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其工序中具有扩展方法，所述扩展方法包含以下工序：在沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片上使用切割芯片焊接一体型片材，准备具有半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，扩大芯片的间隔的工序(IIC)。

【技术特征摘要】
2012.12.26 JP 2012-2827851.一种半导体装置的制造方法，其工序中具有扩展方法，所述扩展方法包含以下工序：在沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片上使用切割芯片焊接一体型片材，准备具有半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，扩大芯片的间隔的工序(IIC)。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述切割芯片焊接一体型片材具有芯片焊接膜及切割带，所述芯片焊接膜包含含有热固化型环氧树脂的粘接剂。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述扩展方法包含以下工序：在沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片上使用切割芯片焊接一体型片材，准备具有半导体晶片、芯片焊接膜、切割带及框的层叠体的工序(Ia)；向具备能够升降的扩展平台及能够将框固定的固定部件的扩展装置的扩展平台上面供给层叠体的工序(Ib)；通过固定部件将框固定的工序(Ic)；在层叠体冷却的状态下使扩展平台上升，将切割带进行拉伸的工序(IIa)；使上升后的扩展平台下降，将拉伸后的切割带松弛的工序(IIb)；以及在层叠体冷却的状态下使扩展平台上升，将切割带进行拉伸，将半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩永有辉启，铃村浩二，作田竜弥，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP