【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光部件、打印头、图像形成设备和半导体层层叠基板
本专利技术涉及发光部件、打印头、图像形成设备和半导体层层叠基板。
技术介绍
专利文献1中已经描述了以下发光阵列。即，在发光阵列中，阈值电压或阈值电流可以从外部进行控制的大量多个发光元件一维、二维或三维排列，分别控制多个发光元件的阈值电压或阈值电流的电极中的相邻电极经由电单元彼此连接，并且从外部施加电压或电流所借助的时钟线连接到各个多个发光元件中。专利文献2中已经描述了以下自扫描光源头。即，自扫描光源头设置有基板、表面发射型半导体激光器和晶闸管。表面发射型半导体激光器以阵列排列在基板上。晶闸管充当开关元件，排列在基板上，以选择性地开启/关闭表面发射型半导体层的光发射。专利文献3中已经描述了以下自扫描发光器件。即，在自扫描发光器件中，配置了各具有pnpnpn六层半导体结构的多个发光元件。电极设置在各个多个发光元件的相反侧的p型第一层和n型第六层上，且在多个发光元件的中心中的p型第三层和n型第四层上。使pn层执行发光二极管功能，并且使pnpn四层执行晶闸管功能。现有技术文件专利文献专利文献1：日本特开平1-238962号...
【技术保护点】
1.一种发光部件，该发光部件包括：第一半导体层叠体，其包括多个发光元件；隧道接合层或金属导电性的III‑V族化合物层，其设置在所述第一半导体层叠体上；以及第二半导体层叠体，其设置在所述隧道接合层或所述III‑V族化合物层上，并且包括驱动部，该驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件，以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.30 JP 2016-1297571.一种发光部件，该发光部件包括：第一半导体层叠体，其包括多个发光元件；隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层，其设置在所述第一半导体层叠体上；以及第二半导体层叠体，其设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层上，并且包括驱动部，该驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件，以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态。2.一种发光部件，该发光部件包括：第一基板，其包括第一半导体层叠体、隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层、和第二半导体层叠体，所述第一半导体层叠体包括多个发光元件，所述隧道接合层或所述金属导电性的III-V族化合物层设置在所述第一半导体层叠体之下，所述第二半导体层叠体设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层之下并包括驱动部，该驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件，以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态；以及转印基板，其设置在所述第二半导体层叠体之下。3.根据权利要求1或2所述的发光部件，其中：所述第二半导体层叠体包括电压降低层，该电压降低层的带隙能量小于构成所述第一半导体层叠体的半导体层的带隙能量。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光部件，其中，所述多个发光元件的各个电流路径被收窄。5.一种打印头，该打印头包括：发光部，其包括基板，该基板包括第一半导体层叠体、隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层、和第二半导体层叠体，所述第一半导体层叠体包括多个发光元件，所述隧道接合层或所述金属导电性的III-V族化合物层设置在所述第一半导体层叠体上，所述第二半导体层叠体设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层上并包括驱动部，所述驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件，以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态；以及光学部，其使从所述发光部发出的光成像。6.一种图像形成设备，该图像形成设备包括：图像承载体；带电部，其使所述图像承载体带电；发光部，其包括第一半导体层叠体、隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层、和第二半导体层叠体，所述第一半导体层叠体包括多个发光元件，所述隧道接合层或所述金属导电性的III-V族化合物层设置在所述第一半导体层叠体上，所述第二半导体层叠体设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层上并包括驱动部，所述驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件，以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态；光学部，其使从所述发光部发出的光成像；曝光部，其借助所述光学部对所述图像承载体进行曝光；显影部，其对通过所述曝光部的曝光而形成在所述图像承载体上的静电潜像进行显影；以及转印部...
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